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王连锴

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：吉林大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 3篇锑化物
  • 3篇GASB
  • 2篇电池
  • 2篇异质外延生长
  • 2篇应变量子阱
  • 2篇热光伏电池
  • 2篇晶格
  • 2篇晶格失配
  • 2篇基底
  • 2篇记忆效应
  • 2篇光伏电池
  • 2篇薄膜制备技术
  • 2篇MOCVD
  • 1篇电极
  • 1篇多量子阱
  • 1篇气相外延
  • 1篇重掺杂
  • 1篇自组装量子点
  • 1篇温度
  • 1篇量子

机构

  • 6篇吉林大学

作者

  • 6篇王连锴
  • 5篇刘仁俊
  • 5篇张宝林
  • 4篇吕游
  • 1篇杨皓宇
  • 1篇吕游
  • 1篇李天天

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统...
张宝林王连锴吕游刘仁俊
文献传递
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前，以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统...
张宝林王连锴吕游刘仁俊
文献传递
一种基于GaSb的InxGa1‑xSb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法
一种基于GaSb的In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>Sb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。从上到下依次为上电极、重掺杂的p型Al<Sub>x1</Sub...
张宝林刘仁俊王连锴吕游
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锑化物半导体材料的MOCVD成核及生长特性研究
锑化物是一类窄带直接带隙III V族化合物半导体，其独特的光电性质引起人们极大的研究兴趣。在红外探测、热光伏、超高频率和超低功率器件等领域中有广泛的应用前景。但锑化物衬底价格高、半绝缘衬底难制备、晶格常数大导致其难于异质...
王连锴
关键词：金属有机化学气相沉积锑化物成核
文献传递
一种基于GaSb的In<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>Sb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法
一种基于GaSb的In<Sub>1-x</Sub>Ga<Sub>x</Sub>Sb/GaSb应变量子阱中间能带热光伏电池及其制备方法，属于热光伏电池技术领域。从上到下依次为上电极、重掺杂的p型Al<Sub>x1</Sub...
张宝林刘仁俊王连锴吕游
温度对GaSb/GaAs量子点尺寸分布的影响被引量：2
2013年
采用低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)法制备GaSb/GaAs量子点。通过对不同生长温度的样品进行分析发现温度的变化对GaSb/GaAs量子点的相位角无明显影响,量子点的形状是透镜型。由于量子点特殊的应力分布,可实现量子点的"自限制"生长。量子点的化学势不连续性以及Ostwald熟化机制的影响使得量子点尺寸分布在一定范围内不连续,会出现两种尺寸模式的量子点生长。Sb原子的表面迁移率对GaSb/GaAs量子点生长有较大的影响。升高温度可有效改善量子点的分立性,在升温过程中量子点体现出其熟化过程,高温时表面原子的解析附作用对量子点尺寸和密度的影响较大。
刘仁俊李天天杨皓宇王连锴吕游张宝林
关键词：MOCVD
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