温梦全
- 作品数：6 被引量：0H指数：0
- 供职机构：北京航空航天大学数学与系统科学学院更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SOI/SIMOX-CMOS器件的研究
- 2001年
- 研究SOI SIMOX(SiliconOnInsulation SeparationbyImplantedOxygen)材料及SIMOX CMOS器件 .高能大剂量 ( 1 70keV ,1 .5× 1 0 18 cm2 )氧离子注入到P型( 1 0 0 )单晶Si衬底 ,再经高温长时间 ( 1 30 0℃ ,6h)退火 ,形成SIMOX结构材料 .经测试 ,SIMOX表层单晶硅膜反型为N型 ,研究表明 ,这是由于在制备SIMOX的工艺中 ,残留在SIMOX表层硅膜内的氧离子起施主作用所致 ,并计算出氧杂质在硅中的施主电离能 ,其值为 0 .1 5eV .采用SIMOX材料研制了MOSFET及CMOS三 3输入端与非门电路 ,并介绍了研制SIMOX CMOS器件的主要工艺 .
- 温梦全
- 关键词：半导体材料与非门电路SOISIMOXCMOS
- SIMOX样品导电类型反型的研究
- 1996年
- 氧离子注入Ｐ型（１００）单晶硅形成ＳＩＭＯＸ样品，经俄歇电子能谱、扩展电阻仪测试，形成了ＳＯＩ结构；经霍尔测试仪测试，制备的ＳＩＭＯＸ样品表层硅膜反型为Ｎ型导电类型．ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，氧施主电离能为０．１５ｅＶ，该值与早期文献报道的实验值一致．
- 温梦全周彬
- 关键词：离子注入P型N型施主
- SIMOX材料及SIMOX-CMOS器件的研究
- 温梦全
- 关键词：SIMOX材料CMOS逻辑电路寄生电容
- 文献传递网络资源链接
- SOI结构材料红外吸收光谱的研究
- 1994年
- 用ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ，即氧注入隔离）技术制备ＳＯＩ－ＣＭＯＳ用的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ＯｎＩｎｓｕ ｌａｔｏｒ，即绝缘体上长单晶硅膜）样品；对ＳＯＩ样品红外吸收光谱的分析，从而计算了ＳＯＩ结构材料中ＳｉＯ２埋层的厚度；测试样品不同点的红外吸收光谱，可考察样品ＳｉＯ２埋层厚度的不均匀性，据此，并可分析与之相关的ＳＯＩ样品的质量参数．这种分析方法，是一种无损的检测手段，具有实用价值．
- 温梦全卢殿通林敬与唐荣奇
- 关键词：硅膜红外光谱学红外吸收光谱
- SIMOX材料及SIMOX-CMOS器件的研究
- 温梦全
- 关键词：SIMOX材料CMOS逻辑电路寄生电容
- SOI／SIMOX材料导电类型反型的研究
- 1996年
- 采用大剂量氧离子注入（１７０ｋｅＶ，１．８×１０１８＋／ｃｍ２）ｐ型单晶硅，高温退火（１３００℃，６ｈ）后形成ＳＯＩ－ＳＩＭＯＸ（ＳｉｌｉｃｏｎＯｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ－ＳｅｐａｒａｔｉｏｎｂｙＩｍｐｌａｎｔａｔｌｏｎｏｆＯｘｙｇｅｎ）样品。俄歇电子能谱仪和扩展电阻仪测试表明，该样品表层硅膜的导电类型由ｐ型反型为ｎ型。ＳＩＭＯＸ样品的反型是硅中的氧施主所致，由近自由电子的类氦模型计算，ＳＩＭＯＸ样品中氧施主的电离能为０．１５ｅＶ，与早期文献报导的实验值一致。
- 温梦全周彬
- 关键词：半导体材料SOISIMOX单晶硅氧注入
