沈克强
- 作品数：62 被引量：74H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>
- 一种基于异或门的可重构环形振荡器PUF电路
- 本发明公开了一种基于异或门的可重构环形振荡器PUF电路，包括PUF延迟模块和末端控制模块，其中PUF延迟模块包括n个串联延迟单元，末端控制模块包括类延迟单元和反馈控制单元；所述每个延迟单元作为FPGA的一个CLB及均包含...
- 李冰刘奔陈帅陈剑淡富奎董乾刘勇张林沈克强王刚赵霞
- 文献传递
- 基于现场可编程门阵列的卷积神经网络硬件及其加速方法
- 本发明公开了一种基于现场可编程门阵列的卷积神经网络硬件及其加速方法，现场可编程门阵列平台包括软件部分以及硬件部分。其中软件部分负责Off‑Chip memory的读写以及bit stream的加载控制，硬件部分负责卷积神...
- 李冰步小康刘勇张林董乾沈克强王刚赵霞
- 一种APUF电路结构
- 本发明提出一种APUF电路结构，涉及信息安全技术领域。APUF电路包括：信号延时抵消模块、上延时模块、下延时模块、上仲裁选择模块、下仲裁选择模块及最终仲裁器。上、下延时模块采用类DAPUF电路，分别由4条信号链路组成，其...
- 李冰文静刘勇董乾张林沈克强王刚赵霞
- 文献传递
- 一种具备安全性的APUF电路
- 本发明公开了一种具备安全性的APUF电路，包括(n+1)/2个单元和两个仲裁器，其中每个单元包括四个反相器和四个4选1多路选择器；该电路结构包含四条信号路径，每条信号路径由每个单元的一个反相器和一个多路选择器间隔排列构成...
- 李冰淡富奎陈帅沈克强张林董乾刘勇王刚赵霞
- 文献传递
- 一种深槽半超结结构功率器件及制造方法
- 本发明涉及一种深槽半超结结构功率器件及制造方法，基于半超结改进结构的深槽半超结结构，与传统半超结结构相比，没有底部的电压支持层，而是在超结结构与源区之间通过体电压支持层产生半超结效应，同时沟槽栅较深，且贯穿整个体电压支持...
- 沈克强张乐景润东
- 文献传递
- 用于AES和RSA混合算法硬件电路的可配置乘法装置
- 本发明公开了一种硬件实现可用于AES和RSA混合算法硬件电路的可配置乘法装置，属于密码算法硬件实现领域。和以往的基于普通乘法器的实现方案相比，该装置电路通过设计特殊的电路架构，采用了大量可配置电路，复用了面积比较大的乘法...
- 李冰杨宇高洲顾巍刘勇沈克强王刚赵霞董乾张林陈帅
- 通信用过流过压保护模块的工作机理分析
- 2007年
- 本文分析了通信用过流过压保护模块YD-CLP200M在过压保护、正浪涌和负浪涌过流保护模式下的工作原理,给出了与器件结构参数有关的内部等效电路.针对不同的器件结构参数,利用MEDICI器件模拟软件模拟了器件的开启电压、正浪涌开启电流的I-V特性曲线,模拟结果揭示了影响这些直流参数的主要因素,得到了优化直流特性所需的结构参数调整方法.
- 姚超沈克强
- 关键词：开启电压
- VDMOS的导通电阻模型被引量：12
- 2008年
- 导通电阻是衡量VDMOS器件性能的重要参数之一,是高开关效率,低功耗VDMOS器件的主要设计指标。从VD-MOS器件物理结构出发,利用半导体基本物理方程,如泊松方程,提出了一种建立精确导通电阻模型的方法。采用弧形边界对颈区电阻进行建模;通过考察载流子运动规律,求解泊松方程,结合器件结构与边界条件建立外延层模型。该方法物理概念清晰,规避了经验参数,考虑了器件结构参数对导通电阻的影响。该模型与MEDICI模拟结果相比较有良好的一致性。
- 姜艳陈龙沈克强
- 关键词：导通电阻VDMOSMEDICI
- 一种基于反馈延时差调整的高稳定APUF电路
- 本发明公开了一种基于反馈延时差调整的高稳定APUF电路，包括：PUF延时链模块、正跳变信号加载模块、反馈控制模块、计数器模块、仲裁器，通过将PUF延时链模块输出的正跳变信号反馈重新施加给PUF延时链模块，扩大上下两条路径...
- 李冰陈剑淡富奎陈帅沈克强董乾张林王刚赵霞刘勇
- VDMOS场效应晶体管的研究与进展被引量：23
- 2006年
- 介绍了新一代电力电子器件VDMOS的发展概况及工作原理,分析了其技术特点与优势,重点阐述了近年来国际上VDMOS在高压大电流及低压大电流方面所取得的理论及技术突破,通过不断改进的沟槽技术以及封装工艺提高了器件的整体性能,而Superjunction新结构、SiC新材料的采用突破了Si的高压应用理论极限。最后对未来的研究方向作了展望。
- 陈龙沈克强
- 关键词：VDMOS特征导通电阻
