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彭学新

作品数：21 被引量：63H指数：5
供职机构：南昌大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划江西省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 19篇电子电信
  • 11篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 10篇MOCVD生...
  • 9篇MOCVD
  • 8篇氮化镓
  • 8篇发光
  • 7篇GAN
  • 6篇光致
  • 6篇光致发光
  • 4篇INGAN薄...
  • 3篇衍射
  • 3篇双晶衍射
  • 3篇薄膜生长
  • 3篇X射线双晶衍...
  • 3篇补偿度
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻温度系数
  • 2篇加热器
  • 2篇沟道
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能

机构

  • 21篇南昌大学
  • 1篇教育部发光材...

作者

  • 21篇彭学新
  • 19篇熊传兵
  • 17篇江风益
  • 17篇王立
  • 13篇李述体
  • 11篇姚冬敏
  • 8篇李鹏
  • 7篇莫春兰
  • 6篇辛勇
  • 2篇刘念华
  • 2篇范广涵
  • 2篇廖清华
  • 2篇蒲勇
  • 1篇万凌云
  • 1篇江凤益
  • 1篇潘传康
  • 1篇王慧

传媒

  • 6篇Journa...
  • 6篇发光学报
  • 2篇南昌大学学报...
  • 2篇光学学报
  • 1篇材料导报
  • 1篇江西化工
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇第七届全国L...

年份

  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 7篇2001
  • 8篇2000
  • 2篇1998
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MOCVD生长的GaN单晶膜的蓝带发光研究被引量：12
2000年
对实验室用 MOCVD方法生长的未掺杂 Ga N单晶膜的发光性能进行了研究。结果表明 :在室温时未掺杂 Ga N单晶出现的能量为 2 .9e V左右蓝带发光与补偿度有较强的依赖关系。高补偿 Ga N的蓝带发射强 ,低补偿 Ga N的蓝带发射弱。对蓝带发光机理进行了探讨 ,认为蓝带为导带电子跃迁至受主能级的发光 ( e A发光 )。观察到降低 Ga N补偿度能提高 Ga N带边发射强度。
李述体王立辛勇彭学新熊传兵姚冬敏江风益
关键词：MOCVD光致发光补偿度
GaN的RBS/沟道、X射线双晶衍射和光致发光谱被引量：5
2000年
采用卢瑟福背散射及沟道效应、X射线双晶衍射和光致发光谱三种技术对两类未故意掺杂的 MOVPE生长的 Ga N样品进行综合测试 .它们在表征 Ga
姚冬敏辛勇王立李述体熊传兵彭学新刘念华江风益
关键词：双晶衍射光致发光氮化镓
MOCVD生长InGaN薄膜及其离子束背散射沟道研究
采用MOCVD系统Al<,2>O<,3>为衬底在CaN膜上生长了In<,x>Ca<,1-x>N薄膜。以卢瑟福背散射／沟道(RBS/channeling)技术和光致发光(PL)技术对In<,x>Ca<,1-x>N样品进行了...
李述体彭学新王立熊传兵李鹏
关键词：离子束
文献传递
GaN的补偿度与离子束沟道最小产额比的关系的研究被引量：4
2000年
用ＲＢＳ／沟道技术对ＭＯＣＶＤ生长的未故意掺杂的ＧａＮ的结构性能进行了测试，同时用霍耳方法测试了样品的电学性能。结果表明：ＧａＮ薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比Ｘｍｉｎ和其补偿度存在一定的依赖关系。补偿度小的样品，其Ｘｍｉｎ小；随着样品补偿度的增大，Ｘｍｉｎ也逐渐增大；但它们之间的关系变化是非线性的。对这些结果给予了一定的解释。
姚冬敏王立熊传兵彭学新江风益
关键词：补偿度
MOCVD生长GaN:Si单晶膜的研究被引量：9
2000年
获得高质量的ｎ型ＧａＮ单晶膜是制作ＧａＮ基光电子器件的关键之一。采用立式ＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜，通过优化生长工艺，获得了电子载流于浓度高达２ ×１０１９ｃｍ－３，迁移率达１２０ｃｍ２／Ｖ·ｓ的ｎ型ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜；并有效地抑制了ＧａＮ中由深能级引起的黄带发射，大大提高带边发光强度。研究结果还表明：随着Ｓ掺杂量的增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的电子载流于浓度增加，迁移率下降，Ｘ光双晶衍射峰半高宽增大。首次报道了随掺Ｓ量增大，ＧａＮ：Ｓｉ单晶膜的生长速率显著下降的现象。
江风益李述体王立熊传兵彭学新辛勇姚冬敏
关键词：MOCVD氮化镓
氮化镓基紫外发光材料及器件
紫外灯是一种用处相当广泛的一种光源,它是通过蒸汽放电而获得的。最近,日本日亚公司向市场推出半导体紫外发光二极管,将有可能带来紫外光源的工业革命。半导体紫外发光二极管部分替代紫外灯,其意义将和50年前半导体晶体管部分替代真...
江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初
关键词：LED氮化镓紫外发光二极管INGAN
文献传递
MOCVD生长MgS薄膜被引量：3
1998年
我们首次采用ＭＯＣＶＤ外延技术在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＭｇＳ薄膜，获得了具有ＮａＣｌ结构的ＭｇＳ单晶膜，并测量了纤锌矿结构ＭｇＳ的晶格常数．
廖清华范广涵江风益熊传兵彭学新潘传康
关键词：MOCVD生长
MOCVD生长的未掺杂GaN的结晶特性与补偿度关系的研究被引量：1
2000年
对本实验室用 MOCVD方法生长的未故意掺杂的 Ga N单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究。结果表明 ,室温时 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽与其补偿度有较强的依赖关系。高补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较宽 ,低补偿的 Ga N的 X射线双晶衍射半高宽较窄。
辛勇熊传兵彭学新王立姚冬敏李述体江风益
关键词：补偿度X射线双晶衍射MOCVD氮化镓
新型紫外光源研制成功被引量：8
2001年
以GaN为代表的第三代半导体材料,是制造短波长高功率发光器件和高温大功率电子器件的具有代表性的半导体材料。到目前为止,国际上高功率蓝色发光二极管(LED)、绿色LED、白光LED、蓝紫色LED及激光器等已实现了批量生产,走向了商业市场。 GaN半导体材料与器件的研究已历时30多年。前20年进展缓慢,未能研制出实用化的器件。近十年来。
江风益熊传兵彭学新王立李述体姚冬敏莫春兰李鹏周毛兴周力吴蔚登刘和初
关键词：发光二极管紫外光源
真空炉中超高温加热元件的控制方法
2003年
介绍了电阻温度系数较大的几种加热元件的特性 ,报道了具有通用性的自动分段调压电路工作原理及调试方法。该技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保护 ,设计了通用性很好的调整加热电压的电路 ,现已成功地应用于真空炉中超高温度的控制 。
蒲勇彭学新王慧
关键词：真空炉控制方法电阻温度系数加热器
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