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庞世信

作品数:24 被引量:13H指数:3
供职机构:沈阳仪表科学研究院有限公司更多>>
发文基金:辽宁省教育厅资助项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:自动化与计算机技术机械工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇专利

领域

  • 11篇自动化与计算...
  • 3篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 18篇感器
  • 18篇传感
  • 18篇传感器
  • 12篇力传感器
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  • 8篇扩散硅
  • 6篇硅压力传感器
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  • 3篇力敏器件
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  • 2篇压阻
  • 2篇生产工艺
  • 2篇芯片
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  • 2篇耐高温
  • 2篇硅膜
  • 2篇硅压阻

机构

  • 19篇沈阳仪器仪表...
  • 5篇沈阳仪表科学...
  • 3篇沈阳工业大学
  • 2篇复旦大学

作者

  • 24篇庞世信
  • 5篇徐淑霞
  • 4篇李妍君
  • 4篇徐开先
  • 3篇李新
  • 3篇唐伟
  • 3篇刘沁
  • 2篇吕忠刚
  • 2篇李昕欣
  • 2篇徐淑霞
  • 2篇孙承松
  • 2篇唐慧
  • 1篇刘沁
  • 1篇匡石
  • 1篇张纯棣
  • 1篇鲍敏杭
  • 1篇于振毅
  • 1篇张仕卿
  • 1篇徐洪
  • 1篇李天茂

传媒

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  • 3篇第五届全国敏...
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  • 1篇真空
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  • 1篇第二届全国敏...
  • 1篇中国仪器仪表...
  • 1篇中国科协第二...

年份

  • 1篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇1998
  • 5篇1997
  • 5篇1996
  • 3篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1992
  • 2篇1991
  • 1篇1990
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SG-75扩散硅压力传感器
1996年
本文介绍了工业压力变送器用全固态结构的SG-75扩散硅压力传感器的研制。传感器压力范围0.16~50MPa,满量程输出120~230mV/0.78mA,精度0.2%F·S,工作温区-30~90℃。该传感器现已批量生产。
庞世信李妍君唐伟
关键词:扩散硅传感器
具有温度自补偿性能的扩散硅压力传感器
庞世信吴少青
关键词:扩散压力传感器温度控制电桥
力、磁、热敏传感器关键技术的开发与工程化研究
徐开先赵志诚庞世信陈信琦徐淑霞唐慧张治国刘沁林洪吴虹张仕卿孙仁涛徐洪李妍君于振毅
该项目共投资6858万元,改造面积达6720m<'2>,新增仪器设备120台套,其中进口71台套。经过建设与改造,完善了力敏传感器、磁敏传感器、热敏传感器以及传感器应用的开发、加工条件,测试和可靠性试验环境以及保障条件。...
关键词:
关键词:热敏传感器力敏传感器磁敏传感器生产线硅压阻传感器生产工艺
多功能力敏器件
庞世信唐慧
关键词:力传感器差示压力计硅膜力敏器件
压力传感器计算机辅助设计软件的设计被引量:3
2008年
基于ANSYS有限元软件和VB6.0开发了一套压力传感器计算机辅助设计软件。采用参数建模方法输入传感器的结构参数,自动完成建模、网格划分、加载以及求解,并保存节点坐标及相应的应力结果文件;输入敏感电阻的位置、阻值、条宽等参数,依据电阻变化与应力的关系,结合拉格朗日插值算法计算敏感电阻变化量;计算得到传感器的输出。同实测结果相比,满量程输出误差小于10%。
李新黄体笋庞世信徐开先
关键词:压力传感器有限元计算机辅助设计
多边形三杯双岛复合压力传感器
一种多边形三杯双岛复合压力传感器,它包括基体,用于测量差压的敏感电阻,用于测量静压的敏感电阻,温度敏感电阻和膜片,在基体上设置一个多边双岛形的凹槽和两个方形的凹槽,用于测量静压的敏感电阻布置在方形凹槽的中线和另外一方形凹...
庞世信唐慧徐淑霞刘沁吕忠刚
文献传递
E 型扩散硅力敏器件的研制被引量:1
1997年
本文阐述了E型膜片的结构特性,根据其应力分布特点及硅材料在(110)晶面的<111>晶向上具有最大压阻系数,开展了力敏芯片的最佳设计,并进行了E型力敏器件的制作。最后给出了器件的主要技术指标。
庞世信李妍君乔文华
关键词:差压力敏器件传感器
扩散硅压力传感器的温度特性及其补偿被引量:1
1995年
本文分析了扩散硅压力传感器灵敏度温漂的各种曲线,同时给出了一种简单的温度补偿方法.这种方法虽然不能得到准确解,但是它的补偿结果非常好.采用这种方法补偿对所用的外围器件要求不需要非常严格,而且适用于窄、宽温范围.本文给出了补偿前后的对照表.
唐伟庞世信
关键词:扩散硅压力传感器温度补偿传感器
耐高温SOI结构压力敏感芯片的研制被引量:4
2007年
如何制作与生产适宜高温环境下应用的压力传感器,一直备受关注。在SIMOX技术SOI晶圆的基础上,设计了压力敏感芯片结构,并基于MEMS工艺制作了芯片。电桥采用1mA恒流源供电,在300℃下,满量程输出≥180mV,灵敏度为30-40mV/(mA.MPa),非线性≤1‰FS,重复性≤1‰FS。与常温测试结果相比,300℃高温下,敏感芯片的静态性能没有明显差异。
李新庞世信徐开先孙承松
关键词:高温SOI结构压力敏感芯片
高精度硅电容压力传感器的研究被引量:2
1996年
本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。
李昕欣张纯棣庞世信鲍敏杭杨恒
关键词:电容压力传感器传感器硅电容
共3页<123>
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