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陈静

作品数：244 被引量：24H指数：3
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家杰出青年科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 214篇专利
  • 22篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 67篇电子电信
  • 21篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇医药卫生
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 79篇晶体管
  • 34篇体效应
  • 33篇浮体效应
  • 33篇存储器
  • 32篇阈值电压
  • 28篇场效应
  • 27篇场效应晶体管
  • 26篇SOI
  • 25篇存储器单元
  • 22篇多晶
  • 21篇沟道
  • 20篇电路
  • 18篇多晶硅
  • 18篇总剂量
  • 18篇埋层
  • 17篇随机存储器
  • 17篇离子注入
  • 16篇驱动电流
  • 16篇芯片
  • 13篇氧化层

机构

  • 244篇中国科学院
  • 20篇上海华力微电...
  • 5篇中国科学院大...
  • 4篇上海华力集成...
  • 2篇上海大学
  • 2篇中国科学院研...
  • 1篇长春理工大学
  • 1篇香港中文大学
  • 1篇中科院上海微...
  • 1篇中芯国际集成...
  • 1篇新思科技有限...

作者

  • 244篇陈静
  • 174篇王曦
  • 112篇罗杰馨
  • 65篇柴展
  • 60篇何伟伟
  • 50篇伍青青
  • 37篇吕凯
  • 28篇黄建强
  • 25篇张苗
  • 21篇陈猛
  • 18篇董业民
  • 17篇武爱民
  • 17篇孙佳胤
  • 16篇王湘
  • 15篇薛忠营
  • 15篇余涛
  • 12篇黄晓橹
  • 9篇张恩霞
  • 8篇王硕
  • 8篇张正选

传媒

  • 8篇功能材料与器...
  • 3篇Journa...
  • 3篇功能材料
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇科学通报
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇西安交通大学...
  • 1篇电子器件
  • 1篇电子设计工程
  • 1篇第六届中国功...
  • 1篇第六届中国功...

年份

  • 10篇2024
  • 7篇2023
  • 7篇2022
  • 17篇2021
  • 6篇2020
  • 11篇2019
  • 12篇2018
  • 22篇2017
  • 12篇2016
  • 15篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 21篇2012
  • 21篇2011
  • 20篇2010
  • 3篇2009
  • 10篇2008
  • 8篇2007
  • 7篇2006
  • 7篇2005
共 244 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
2007年
采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异质外延的晶格失配，但是单从热失配的角度，由于引入了热膨胀系数（CET）更小的埋层SiO2，SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力，我们结合微机电系统（MEMS）的制造工艺，用深反应离子刻蚀（DRIE）的方法，借助于SOI材料自停止刻蚀的优势，将衬底硅和埋氧去除，使得SOI的超薄顶层硅部分悬空，形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明，这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20％左右。
王曦孙佳胤武爱民陈静王曦1
关键词：GANSOI热应力MEMS
电流镜
本发明提供了一种电流镜，包括参考端晶体管和输出端晶体管，两晶体管的栅极相互连接，源极均接电路的最低电位或最高电位，参考端晶体管的漏极为电流镜的电流输入端，输出端晶体管的漏极为电流镜的电流输出端；还包括一电压运算放大器，所...
陈静刘玉兰胡一波任志鹏尹伊哲
全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法
本发明提供了一种全耗尽SOI衬底上MOSFET的电容模型提取方法，包括如下步骤：将MOSFET源极、漏极短接并提供交流电压小信号，在背栅提供直流偏置，直流偏置使沟道区处在积累和反型状态，并在上述两状态下分别测量MOSFE...
陈静任志鹏葛浩胡一波尹伊哲
提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法
本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法，先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区；随后，对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型；最后再在进行了...
罗杰馨陈静伍青青柴展余涛吕凯王曦
文献传递
一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种SOI八晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，所述单元包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；获取管，由第三、第四、第五及第...
陈静何伟伟罗杰馨王曦
文献传递
混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管
本发明公开了一种混合材料反型模式圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的第一...
肖德元王曦张苗陈静薛忠营
文献传递
一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法
本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻...
柴展陈静罗杰馨伍青青王曦
一种SOI电路中的ESD保护结构及制作方法
本发明公开了一种SOI电路中的ESD保护结构及其制作方法，该结构包括SOI衬底以及位于SOI衬底上的栅控二极管ESD保护器件，其中，所述栅控二极管ESD保护器件包括：正极、负极、沟道、栅介质层和栅极；所述正极和负极分别位...
黄晓橹魏星程新红陈静张苗王曦
文献传递
一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法
本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元及其制作方法，属于存储器设计及制造技术领域，所述存储器单元包括两个反相器及传输门，所述反相器由一结构对称的NMOS晶体管及结构对称的PMOS晶体管互连组成，所述传输门由两个源漏结构...
陈静伍青青罗杰馨柴展余涛王曦
文献传递
场效应晶体管的制造方法
本发明涉及一种源漏在绝缘体上的场效应晶体管(MOSFET)的制造方法，属于微电子技术领域。本发明的特征在于采用选择外延法在常规SOIMOSTET器件的沟道下方埋氧中开一个窗口，使器件的沟道和硅衬底相连接，达到电耦合与热耦...
董业民陈猛王曦王湘陈静
文献传递
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