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贾泽

作品数：34 被引量：1H指数：1
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 30篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇自动化与计算...
  • 4篇电子电信

主题

  • 22篇电路
  • 18篇集成电路
  • 16篇铁电
  • 16篇存储器
  • 14篇铁电存储器
  • 12篇电路设计
  • 10篇铁电电容
  • 10篇集成电路设计
  • 8篇读写
  • 8篇半导体
  • 8篇半导体集成
  • 8篇半导体集成电...
  • 6篇电路仿真
  • 6篇写操作
  • 5篇电压
  • 4篇电容
  • 4篇读操作
  • 4篇阵列
  • 4篇阵列结构
  • 4篇存储密度

机构

  • 34篇清华大学
  • 1篇江南大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 34篇贾泽
  • 33篇任天令
  • 14篇章英杰
  • 12篇陈弘毅
  • 9篇王林凯
  • 6篇魏朝刚
  • 6篇刘理天
  • 6篇张弓
  • 4篇吴昊
  • 4篇徐建龙
  • 3篇张明明
  • 2篇陈兢
  • 2篇张乃文
  • 2篇刘雷波
  • 2篇邹重人
  • 2篇胡洪
  • 2篇刘建设
  • 1篇尹聪
  • 1篇于宗光
  • 1篇杨轶

传媒

  • 1篇电子技术应用
  • 1篇压电与声光
  • 1篇纳米技术与精...
  • 1篇第八届敏感元...

年份

  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 2篇2012
  • 5篇2011
  • 10篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2003
共 34 条 记 录，以下是 1-10
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应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型
本发明属于集成电路设计技术领域，涉及应用铁电电容的集成电路设计，尤其涉及一种应用于SPICE电路仿真程序中的铁电电容行为模型。该模型利用SPICE程序中的表达式功能建立非线性电容原件，配合微分电路作为控制电路，模拟铁电电...
任天令魏朝刚章英杰贾泽
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一种应用于CeRAM的TMO材料
本发明设计了一种应用于CeRAM的TMO材料，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。本发明用于描述TMO材料在不同电压下表现的电阻行为特性，可以用于电路设计与仿真的工具软件。本发明可以良好的模拟TMO材料的电学行为，并可...
贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅
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单管单电容型铁电存储器
本发明设计了一种基于读出自参考反相器无需参考单元的单管单电容型(1T1C)铁电存储器(FeRAM)存储阵列，属于集成电路设计制造技术领域。该发明去掉了传统1T1C结构FeRAM中的铁电参考单元，利用自参考反向电路完成读操...
贾泽张弓任天令陈弘毅
一种基于CeRAM单元的数模变换器
本发明设计了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种基于CeRAM单元的数模变换器，其组成包括一组CeRAM单元和一个镜像电流源；所有CeRAM单元的WL端连接在一起，作为共同的WL端；所有CeRAM单元的DL端连接在...
贾泽章英杰王林凯任天令陈弘毅
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一种铁电存储器数据读出加速装置及方法
本发明公开了一种铁电存储器数据读出加速装置，属于半导体集成电路设计和制造技术领域。该发明在传统铁电存储器单元结构上增加控制电路，将数据读出和铁电单元回写操作在物理电路层面上进行隔离，从而加速了读出过程，适用于弥补由于寄生...
贾泽章英杰任天令刘理天
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三值铁电存储器电路
本发明设计了一种三值铁电存储器(FeRAM)的实现电路，属于集成电路设计制造技术领域。该电路采用传统铁电存储器的2T2C单元结构，在保留传统的读写操作方式的基础上，增加了利用2T2C结构进行三值读写操作的功能，从而实现了...
贾泽吴昊张弓任天令
采用新型时序操作的铁电编程信息存储单元
本发明公开了属于半导体集成电路设计和制造技术领域的一种采用新型时序操作的铁电编程信息存储单元。其组成包括，一个锁存器，两个门控管和两个铁电存储电容。是在普通SRAM存储单元的基础上通过添加铁电电容来实现信息的非易失存储，...
贾泽章英杰任天令刘理天陈弘毅
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电容式单芯片纹膜微传声器制备工艺改进
对单片纹膜电容式微传声器的工艺设计进行改进,将体硅微加工放大部分的表面硅微加工之后进行.由此带来的以体硅腐蚀时硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题.本文进一步探讨了黑胶,704胶,夹具三种方式进行硅片正面的保护的...
贾泽陈兢任天令刘建设刘理天
关键词：微传声器MEMS
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一种交叉型铁电存储阵列结构
本发明公开了属于集成电路设计制造技术领域的一种交叉型铁电存储阵列结构。该阵列结构以交叉型铁电存储单元为基本组成部分，每个铁电存储单元在横纵方向上分别与同行或同列的存储单元共用控制线CL，同一列的存储单元之间共用列方向上的...
贾泽胡洪章英杰任天令
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用于压电和电容微麦克风的体硅腐蚀相关研究
2006年
用溶胶-凝胶法制备的锆钛酸铅压电薄膜的微麦克风和纹膜电容式微麦克风都是基于微电子机械系统技术的硅基单片微麦克风。在其工艺制作过程中，在表面硅微加工之后进行体硅的湿法腐蚀，由此产生了硅片的正面保护和体硅腐蚀的控制等新的工艺问题。从各种正面保护方法和体硅腐蚀自停止技术两方面对这一问题进行了研究和解决。保持了微麦克风具有20-40mV／Pa的开路灵敏度，并且使圆片级成品率达到70％以上。
贾泽杨轶陈兢刘建设任天令刘理天
关键词：微麦克风微电子机械系统压电
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