谭辉
- 作品数：18 被引量：238H指数：4
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- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜热致相变
- 谭辉陶明德
- 关键词：相变金属玻璃相结构
- TiO_2/Pt/glass纳米薄膜的制备及对可溶性染料的光电催化降解被引量：165
- 1997年
- ＴｉＯ２／Ｐｔ／ｇｌａｓ纳米薄膜的制备及对可溶性染料的光电催化降解符小荣＊张校刚＊＊宋世庚王学燕谭辉陶明德（中国科学院新疆物理研究所乌鲁木齐８３００１１，＊＊新疆大学化学系乌鲁木齐）关键词光催化，ＴｉＯ２，光电化学，薄膜，溶胶－凝胶法１９９６－０９－...
- 符小荣张校刚宋世庚王学燕王学燕陶明德
- 关键词：降解光催化剂铂
- 非晶碳化硅薄膜和非晶——硅薄膜的拉曼散射研究
- 用高频贱射方法生长的非晶碳化硅薄膜是生产宽温区半导体热敏电阻的理想材料之一。它的室温电阻率和温度灵敏都与薄膜的成键情况有密切的关系。本文测量了用6H—SiC多晶靶在不同条件下生长的SiC薄膜的室温拉曼光谱,观察到在400...
- 李国华陶明德谭辉曲凤钦韩英
- 文献传递
- CoMnNi氧化物薄膜的电阻温度特性
- 1989年
- 本文报导射频溅射CoMnNi多成分氧化物薄膜的电阻温度特性,并给出薄膜电阻率与溅射气氛中O_2含量和沉积时间的关系;讨论这种薄膜的退火特性。
- 谭辉陶明德韩英
- 关键词：氧化物
- CoMnNiO非晶薄膜热致相变被引量：2
- 1994年
- 射频溅射的ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜在一定温度下热处理产生晶化，经历一个非晶－微晶－多晶的相变过程。ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜在３００℃开始晶化，６００℃晶化完全，生成尖晶石多晶。其相变机制是原子扩散和链状组织的规则排列以及有序集团的凝聚合并。
- 谭辉陶明德宋世庚
- 关键词：微结构非晶薄膜
- 射频溅射CoMnNiO非晶薄膜中空穴的迁移率
- 1990年
- 测量薄膜的热电动势,很容易确定薄膜中载流子的迁移率。本研究根据CoMnNiO非晶薄膜在200—350K温区的热电动势测量和直流电导,计算了薄膜中空穴的迁移率。结果表明,330K时,薄膜中空穴的迁移率为1.25cm^2v^(-1)(?)^(-1),且具有热激活性质。由此可以推断,射频溅射CoMnNiO非晶薄膜在常温下发生跳跃导电。
- 陶明德谭辉秦东韩英
- 关键词：非晶薄膜热电动势迁移率
- PZT纳米晶薄膜的Sol-Gel法制备及铁电性质被引量：4
- 1997年
- 采用Sol-Gel法，以Zr的硝酸盐替代醇盐，引入PbTiO3过渡层的方法成功的制备了纳米晶铁电薄膜。并进行了差热、热重、结构、组分、铁电性能的测定、分析，
- 宋世庚谭辉王学燕符小荣郑立荣陶明德林成鲁
- 关键词：铁电薄膜PZT纳米晶溶胶凝胶法
- 射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究被引量：4
- 1989年
- 按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中Co,Mn,Ni的原子比偏离靶材料的设计值;X射线衍射谱证明这种薄膜具有非晶结构或尖晶石结构.文章给出了退火后X射线衍射谱及傅利叶交换红外光谱和激光喇曼谱,讨论了生成非晶薄膜和尖晶石结构的条件.
- 谭辉陶明德韩英张寒
- 关键词：射频溅射氧化物
- PbTiO_3和PZT凝胶团聚的分形研究
- 1998年
- 利用TEM、图象处理以及分形方法得出PbTiO3和PZT凝胶团聚的分形维数Df．结论是：Df与溶胶成膜连续性有关；Df大的溶胶制备薄膜的连续性好，无机盐含量的增加可能引起Df减小。
- 宋世庚谭辉王学燕符小荣陶明德林成鲁
- 关键词：分形团聚钛酸铅PZT凝胶
- 非晶薄膜晶化的频谱研究被引量：2
- 1994年
- 选择一定的退火温度和退火时间，ＣｏＭｎＮｉＯ非晶薄膜可以晶化为晶粒尺寸几个至几十个纳米的微晶薄膜．复阻抗频谱和电导频谱研究表明，这种微晶薄膜的粒间效应增强，在一定频率范围内微晶薄膜的电导低于非晶薄膜的电导．认为这种微晶薄膜的粒间组成是许多个原子尺度大小的无规网络，微晶薄膜的结构为纳米晶粒和非晶网络组成的两相结构，电导符合多渠道导电模型．
- 谭辉陶明德李彬彬
- 关键词：非晶半导体非晶薄膜晶化频谱
