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颜秀文

作品数:24 被引量:64H指数:5
供职机构:中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:金属学及工艺电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 7篇金属学及工艺
  • 7篇电子电信
  • 6篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 2篇化学工程
  • 2篇冶金工程
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 3篇电池
  • 3篇熔化
  • 3篇熔化特性
  • 3篇润湿
  • 3篇润湿性
  • 3篇太阳能
  • 3篇太阳能电池
  • 3篇活性剂
  • 3篇合金
  • 3篇表面活性
  • 3篇表面活性剂
  • 3篇X
  • 2篇液态
  • 2篇液态合金
  • 2篇致密
  • 2篇熔点
  • 2篇气密
  • 2篇气密性
  • 2篇钎料
  • 2篇热分析

机构

  • 13篇南京工业大学
  • 11篇中国电子科技...
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 24篇颜秀文
  • 13篇张振忠
  • 13篇丘泰
  • 4篇贾京英
  • 4篇李良峰
  • 3篇唐超凡
  • 3篇李晓芸
  • 3篇王娟
  • 3篇李晓云
  • 2篇张建国
  • 1篇武祥
  • 1篇蓝镇立
  • 1篇胡刚
  • 1篇范迎新
  • 1篇宁宗娥
  • 1篇刘咸成
  • 1篇刘恺
  • 1篇王学仕
  • 1篇邓斌
  • 1篇魏唯

传媒

  • 8篇电子工业专用...
  • 2篇真空电子技术
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇有色金属(冶...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇铸造技术
  • 1篇稀有金属
  • 1篇航空发动机
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇兰州理工大学...
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇2006电子...
  • 1篇特种陶瓷及金...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 8篇2006
  • 3篇2005
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种氧离子注入诱生缺陷的TEM表征
2009年
在利用氧离子注入工艺制备SOI材料的过程中,发现了一种“纳米网状”的结构缺陷。利用透射电镜、选区电子衍射和能谱分析对该缺陷进行了研究。结果表明,该缺陷呈网状,化学成分为硅和氧。初步研究认为,氧离子注入硅中所产生的穿通位错是形成该类缺陷的主要原因。
颜秀文刘东明胡刚
关键词:晶体缺陷离子注入位错透射电子显微镜
LTCC专用烧结炉的应用及发展趋势
2012年
综述了LTCC烧结的原理、特点与技术要求。举例阐述了两种LTCC专用烧结炉在行业中的应用状况,指出了LTCC专用烧结设备在当前应用中存在的问题,并展望了发展趋势。
颜秀文张建国邓斌袁云华潘喜成杨毓彬
关键词:低温共烧陶瓷
无铅电子封装材料及其焊点可靠性研究进展被引量:16
2006年
随着2006年7月1日RoHS法令实施的最后期限的来临,无铅焊料的研究与应用又掀起了新一轮的热潮。由于封装材料与封装工艺的改变,给焊点可靠性带来了一系列相关问题。笔者就近年来国内外开发的无铅焊料、焊点的失效模式、焊点可靠性评价方法和焊点的主要缺陷进行了综述;对今后该领域的研究前景及方向进行了展望。
颜秀文丘泰张振忠
关键词:金属材料无铅焊料焊点可靠性电子封装
太阳能电池测试分选设备运动控制系统设计被引量:4
2014年
太阳能电池测试分选设备用于晶体硅太阳能电池的性能测试和自动分选。介绍了中国电子科技集团公司第四十八研究所开发的全自动晶体硅太阳能电池测试分选设备的系统构成,重点对该设备的运动控制系统进行描述。在该设备中,以进口可编程控制器(PLC)为核心,通过采用高精度运动控制模块实现对分选机各功能部件的高精度运动控制。
唐超凡贾京英王娟颜秀文
关键词:太阳能电池运动控制系统
电真空器件用Ga-Ag-Sn液态合金修复材料被引量:3
2006年
根据镓合金低熔点的特性,利用组合二元相图法模拟了Ga-Ag-Sn三元相图,由此确定了Ga-Ag-Sn液态合金的合理配料区间。对Ga-Ag-Sn液态合金与无氧铜的界面进行了SEM和EDS研究,初步研究结果表明:Ga95.0Ag0.195Sn液态合金能与无氧铜基体发生互扩散,并形成致密且与基体结合良好的Ga-Ag-Sn/Cu界面层,从而起到真空修复作用。
颜秀文丘泰张振忠
关键词:相图
(AgCu_(28))_(80)In_xSn(20-x)焊料合金的显微组织与性能被引量:5
2005年
通过微合金化的方法,采用XRD、SEM/EDS、DSC和铺展性分析等测试手段研究了不同In、Sn添加量的(AgCu28)80InxSn(20-x)焊料合金的显微组织、熔化特性和铺展性能。结果表明:(AgCu28)80In11Sn9合金具有较低的固相线温度和熔程、简单的物相结构、适中的铺展率。其综合性能在添加11%的In时最好。
颜秀文张振忠丘泰
关键词:焊料显微组织熔化特性
一种纳米真空修复剂及其制备和应用
本发明涉及一种纳米真空修复剂及其制备和应用。本发明利用纳米金属粉体的小尺寸效应和有机-纳米金属粉体复合技术,来降低纳米金属粉体的熔点,实现纳米金属粉体在较低温度下与基体发生扩散、填隙和反应等多重作用形成牢固致密的结合层从...
颜秀文丘泰张振忠李晓云
文献传递
纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉体的分散稳定性研究被引量:1
2006年
通过等离子体蒸发凝聚法制备纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉,初步研究了聚乙烯吡咯烷酮K-30(PVP)和十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)及其分散工艺对合金粉体分散性能的影响。研究结果表明:随着超声时间的增加,吸光率增大,分散性能变好;与CTAB相比PVP的分散效果更好,其最佳分散浓度为1.8 g/L。
颜秀文丘泰张振忠李晓芸李良峰
关键词:表面活性剂
宽禁带半导体关键设备技术及发展被引量:10
2013年
宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础。简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势。
颜秀文武祥
关键词:宽禁带半导体碳化硅氮化镓离子注入机
纳米Ag-Cu-In-Sn合金粉末的制备及其热分析被引量:11
2008年
利用直流电弧等离子体法成功制备了分散性较好的纳米链状Ag-Cu-In-Sn合金粉末。用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和差示扫描量热分析(DSC)等手段对粉末的结构、粒度和热性能进行了表征。研究结果表明:通过优化工艺可制备粒度分布均匀,产率较高,平均粒度在45.03nm的Ag-Cu-In-Sn合金粉末。该粉末具有独特的热性能,与微米合金粉末的熔点相比,其熔点下降了近160℃。
颜秀文丘泰李良峰张振忠
关键词:热分析直流电弧等离子体
共3页<123>
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