陈运祥
- 作品数：38 被引量：27H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第二十六研究所更多>>
- 发文基金：国家科技攻关计划中国人民解放军总装备部预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 高次谐波声体波谐振器
- 1996年
- 简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。
- 王宗富刘岳穗周勇陈运祥汪渝
- 关键词：声体波高次谐波谐振器薄膜换能器Q值微波
- 用超声喷雾热解新方法生长ZnO膜
- 1991年
- 采用超声喷雾热解法已在各种基片上长出了ZnO膜。通过X射线、光学及电气测量结果表明了所制备的ZnO膜的特征。发现它们为单一物相、均质且厚度均匀。这些膜的质量与用更复杂的方法制备的膜的质量相当。ZnO膜适合于许多半导体应用。
- P.WuY-M.Gao陈运祥
- 关键词：热解法
- IDT/AlN/LiNbO_3结构声表面波滤波器模拟和分析被引量：1
- 2008年
- 研究了IDT/AlN/LiNbO3结构声表面波滤波器的频散特性,发现了高机电耦合系数(>18%),高声速(>10 km/s)的纵向假声表面波模式。对研究得到的二次模进行了归一化插入损耗频率响应的模拟,其结果与文献报道的实验结果基本一致。
- 李健雄杨成韬王锐陈运祥张树人
- 关键词：声表面波ALN薄膜
- 18～20GHz体声波微波延迟线被引量：1
- 1995年
- 给出了利用换能器旁瓣响应得到的体声波（ＢＡＷ）微波延迟线在１８～２０ＧＩ１２频率范围内的频域及时域性能，其最小插入损耗为８３ｄＢ，延迟时间２００ｎｓ，并对器件插入损耗进行了分析。
- 汤劲松李晓丹陈运祥
- 关键词：体声波微波延迟线
- 可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法
- 本发明公开了一种可调谐的预设空腔型SOI基片薄膜体声波谐振器及制作方法，涉及一种频率可调谐的谐振器及制作方法，包括带空腔SOI基片和设置其上的压电薄膜换能器，谐振器包括压电薄膜、底电极和顶电极，底电极靠预设空腔一侧设置有...
- 杨增涛马晋毅冷俊林杨正兵赵建华陈小兵陈运祥周勇傅金桥张龙
- 一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法
- 本发明公开了一种ZnO薄膜材料、声表面波滤波器复合薄膜材料及制备方法，ZnO薄膜材料是在该ZnO薄膜中掺杂有锂和钒，构成Li<Sub>x</Sub>V<Sub>y</Sub>Zn<Sub>（</Sub><Sub>1-x-...
- 陈运祥 董家和冷俊林李洪平杨洁
- 高声速SAW复合压电薄膜研究
- 本文阐述了高声速SAW复合压电薄膜材料SiO/Al/ZnO/IDT/金刚石/Si的研究进展情况,给出了该复合结构压电材料的制作方法和实验结果。φ2"金刚石/Si材料表面粗糙度达到0.89nm,金刚石膜晶粒粒度在5～10μ...
- 陈运祥谭学斌唐代华李洪平李燕赵雪梅张永川
- 文献传递
- 高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线
- 本发明公开了一种高频体声波延迟线换能器制备方法及高频体声波延迟线，换能器制备时，先在传声介质两端面分别沉积底电极薄膜，用上电极光刻板进行底电极薄膜的光刻，形成底电极图形；再在两端底电极上沉积压电层薄膜；最后在两端压电层薄...
- 江洪敏陈运祥马晋毅石越杜波
- 文献传递
- 激励剪切振动模式的ZnO压电薄膜的研制被引量：1
- 1990年
- 本文介绍用于激励剪切振动模式的ZnO压电薄膜的制备方法、性能及应用前景.采用辅助阳极环,改变基片角度等的RF平面磁控溅射技术,在低气压、高速率的溅射条件下,制备出了c轴偏离基片法线40°,声速为2830m/s,机电耦合系数达到29—32%的ZnO压电薄膜.为制作微波复合谐振器和微波声换能器提供了性能优良的新型压电薄膜材料.
- 晏光华陈运祥
- 关键词：ZNO压电薄膜剪切波振动
- 高声速SAW金刚石复合结构材料及器件研究
- 本文阐述了高声速SAW复合结构材料SiO2/ZnO/金刚石/Si及其器件的研究进展情况,给出了该复合结构材料及其器件的制作方法和实验结果.ZnO膜体电阻率ρ,达到1.9×109 Ω.cm。ZnO薄膜C轴垂直取向度2σ达到...
- 陈运祥秦廷辉谭学斌杨正兵伍平杜明熙周勇冷俊林
- 关键词：金刚石相速度压电材料
- 文献传递
