您的位置： 专家智库 > >

李秀玲

作品数：37 被引量：43H指数：4
供职机构：河北师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金高层次人才科研启动基金河北省自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 4篇学位论文
  • 3篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 19篇理学
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 4篇电气工程
  • 3篇哲学宗教
  • 3篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇语言文字
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇政治法律

主题

  • 4篇第一性原理
  • 4篇溶胶
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体结构
  • 4篇X
  • 3篇电路
  • 3篇微结构
  • 3篇空位
  • 3篇教学
  • 3篇掺杂
  • 3篇磁性
  • 2篇带隙
  • 2篇第一性原理研...
  • 2篇电子学
  • 2篇电阻
  • 2篇直流偏场
  • 2篇溶胶-凝胶
  • 2篇溶胶凝胶
  • 2篇溶胶凝胶法
  • 2篇实验教学

机构

  • 37篇河北师范大学
  • 6篇六盘水师范学...
  • 3篇石家庄学院
  • 2篇河北工程大学
  • 2篇河北建筑工程...
  • 2篇河北省新型薄...
  • 1篇承德民族师范...
  • 1篇兰州大学
  • 1篇承德医学院附...
  • 1篇河北大学
  • 1篇石家庄经济学...
  • 1篇邢台职业技术...
  • 1篇扬州大学
  • 1篇唐山师范学院
  • 1篇邢台学院
  • 1篇河北电视台
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇河北第二机械...

作者

  • 37篇李秀玲
  • 7篇侯登录
  • 6篇纪登辉
  • 5篇潘成福
  • 3篇甄聪棉
  • 3篇贾利云
  • 3篇马瑞霞
  • 3篇胡明哲
  • 3篇张聪敏
  • 2篇齐伟华
  • 2篇侯雪
  • 2篇周鸿娟
  • 2篇徐静
  • 2篇郎莉莉
  • 2篇赵旭
  • 2篇尚志峰
  • 2篇唐贵德
  • 2篇曲蛟
  • 2篇赵秀英
  • 2篇李壮志

传媒

  • 8篇河北师范大学...
  • 2篇河北大学学报...
  • 2篇邢台职业技术...
  • 1篇甘肃教育学院...
  • 1篇物理通报
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇宁夏大学学报...
  • 1篇大学物理
  • 1篇磁性材料及器...
  • 1篇信息记录材料
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇石家庄职业技...
  • 1篇宿州教育学院...
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇宁夏工程技术
  • 1篇河北广播电视...
  • 1篇中国材料科技...
  • 1篇第六届中国国...

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2019
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 4篇2002
共 37 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种晶体结构的氧化物磁性材料Li<Sub>1+x</Sub>Fe<Sub>1-x</Sub>O<Sub>2</Sub>
本发明公开了一种新型晶体结构的氧化物磁性材料及其制备方法。其分子式为Li<Sub>1+x</Sub>Fe<Sub>1-x</Sub>O<Sub>2</Sub>，其中，x≤0.5。制备方法是将经过溶胶-凝胶法制备的单相多晶...
唐贵德纪登辉李壮志尚志峰张晓云徐静郎莉莉刘生荣边荣荣侯雪韩勤家齐伟华刘力虎赵旭李秀玲潘成福周红娟陈伟侯登录刘英
文献传递
面内场对枝状畴形成的IID畴壁中VBL链的影响被引量：1
2004年
实验研究了面内场作用下枝状畴形成的第2类哑铃畴(IID)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)链的解体过程.发现存在一个与材料参量有关的临界面内场范围[H(0)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫ip,H(1)ip],其中H(0)线链保持稳定的最大临界面内场,H(1)ip对应IID畴壁中垂直布洛赫线链完全解体的最小临界面内场.此外,实验发现不同低直流偏场下产生的枝状畴在面内场作用下的软化过程相同,且在这个临界面内场范围内畴壁中的VBL是逐步丢失的.同时实验结果也证明了枝状畴畴壁中VBL是随机分布的.
顾建军李秀玲张丽娇孙会元
关键词：垂直布洛赫线哑铃畴直流偏场
基础物理实验创新教育探索与实践被引量：1
2004年
针对当前大学物理实验课程教学存在的问题,讨论了大学物理实验课程的目标与定位,提出了以素质 培养为中心的物理实验教学新体系,并总结了这种探索与实践取得的效果.
李秀玲赵秀英
关键词：物理实验创新教育课程教学教学改革
晶体结构对TiO_2薄膜电致电阻效应的影响
2014年
采用不同方法制备了4种不同相结构的TiO2薄膜:无定形、锐钛矿、金红石和混合相结构.通过对4种Ag/TiO2/Pt样品进行测试和分析发现,其阻变机制符合文献中报道的细丝模型.4种不同结构的样品均能够表现出阻变特性,均具有一定的保持性能和疲劳性能,其中锐钛矿样品具有相对较好的综合性能,其电阻转换比率达到2 000%以上,保持性达到12K以上,疲劳性能也较稳定.
李秀玲康鑫李爱君
关键词：TIO2薄膜
经济全球化背景下对大学生民族精神的培养被引量：1
2007年
民族精神是一个民族赖以生存和发展的精神支柱。在全球化背景下,面对世界各种思想文化的相互激荡,我们必须把培育大学生的民族精神作为一项极为重要的任务完成。弘扬和培育民族精神,要深刻理解民族精神的实质及丰富内涵。在新时期,培育和发展民族精神的途径和对策:培育民族精神要继承民族优秀文化;要与时代发展相结合;要充分利用校园媒体,发挥大学生主体作用。
朱秀茹李秀玲
关键词：经济全球化民族精神
含有氧空位氧化锆ZrO_2-δ第一性原理研究
2017年
基于第一性原理,使用Material Studio仿真计算软件构建含有阴离子空位的氧化锆ZrO_2-δ(δ=0,0.125,0.25,0.375,0.5)位型,利用CASTEP模块研究不同含量的氧空位对氧化锆结构及其磁性能的影响。选择GGA+PBE+LDA+U作为关联函数,对不同氧空位含量位型进行优化,获得稳定的结构作为物理性能研究基础;能带结构计算结果表明,随着氧空位含量的增加,材料经历了从绝缘体到半导体,再到导体的转变,带隙从4.022 e V逐渐降低到0.00 e V。在费米能级以下,自旋向上与向下的电子密度相同,在低温下不存在铁磁性。值得注意的是,氧空位含量的增加使得材料在可见光范围内出现了反射峰,使得氧化锆材料在不影响磁性能测试的情况下具有良好的自然反光特性,在牙齿美观方面具有一定优势。
许莹莹王敬韩贵良王淑玲李秀玲纪登辉
关键词：氧化锆氧空位第一性原理磁性能
B位掺杂(CH_3NH_3)Pb_(0.5)M_(0.5)I_3(M=C,Si,Ge,Sn)环境友好型光电转化材料第一性原理研究
2016年
采用Material Studio(MS)计算软件中的CASTEP软件包构建出环境友好型钙钛矿太阳能电池材料(CH3NH3)Pb0.5M0.5I3(M=C,Si,Ge,Sn)包括母体在内的共计25种位形,研究了B位掺杂对其结构和物理性能的影响.首先,通过GGA+WC关联函数对25种位形分别进行几何优化和能量优化,并获得最终优化后的几何结构与总能量;其次,寻找到能量最低对应的几何结构,并将该结构作为最稳定结构进行研究;计算结果表明,所有位形都属于半导体.随着B位掺杂元素有效离子半径的减小,晶胞体积收缩,带隙有减小的趋势,在费米能级附近态密度分裂成的子带数量逐渐增加,电子密度逐渐降低,光学吸收峰逐渐从高频向低频移动.
纪登辉肖心举张聪敏胡明哲蒋会显李秀玲尹跃
关键词：第一性原理
Ti（1-x）CoxO2的溶胶-凝胶法制备与结构
2006年
采用溶胶-凝胶方法制备了Ti（1-x）CoxO2样品。研究了不同的热处理温度和掺杂浓度对样品晶型和颗粒尺寸的影响。样品400℃热处理呈锐钛矿相，600℃转变为全红石相并且晶粒尺寸明显增大。掺杂对晶型没有影响，但是随掺杂量的增大晶格常数减小。
孟海娟叶小娟贾利云李秀玲赵秀英侯登录
关键词：溶胶-凝胶相变颗粒尺寸
面内场对3类硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的影响
2007年
实验研究了直流偏场(Hb)下,面内场(Hip)对液相外延石榴石磁泡薄膜的硬磁畴壁中垂直布洛赫线(VBL)稳定性的影响.研究发现,室温时3类硬磁畴壁中VBLs的解体都存在一个临界面内场范围[Hi(p1),Hi(p2)],其中Hi(p1)是硬磁畴壁中VBL开始丢失时面内场,Hi(p2)是VBL完全丢失时的面内场Hip及Hip*为剩余率降至0时的Hip值.在相同的Hb下(Hi(p1))IID<(H(ip1))ID<(Hi(p1))OHB;(Hi(p2))IID=(Hi(p2))ID=(Hi(p2))OHB.在不同的Hb下,临界面内场Hi(p1)和Hip*以及范围[Hi(p1),Hi*p]都随着Hb的增加而减小或变窄.
李秀玲王丽娜郭革新李静
关键词：垂直布洛赫线直流偏场面内场
HA22(Ⅱ)P/T型电话机通话电路的工作原理及故障分析
2003年
在介绍TEA106X系列电话机专用通话集成电路的同时,以HA22(Ⅱ)P/T型电话机通话电路为例,简述了该系列中TEA1062集成块组成的通话电路工作原理,并对常见的七个故障进行了分析.
李秀玲马瑞霞乔一枝贺林
关键词：通话电路集成电路
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0