张玲珊
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院新疆物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- MOS电离辐照感生Si-SiO_2界面态及其密度的能级分布
- 1989年
- 本文主要讨论n(100)硅栅MOS样品在^(60)Coγ射线辐照下,氧化层电荷ΔD_(ot)、Si-SiO_2界面态密度ΔD_(tt)和界面态密度的能级分布。实验证明,辐照效应与偏置电场密切相关,在+1MV/cm偏置电场辐照时,出现氧化层电荷和界面态密度峰值,禁带中央态密度正比于被俘获空穴的密度,硅栅样品的界面态密度在禁带中服从U型分布,而铝栅n衬MOS样品辐照后出现具有确定能级(E_c—E_s=0.41—0.5eV)的界面态密度分布宽峰。
- 吾勤之刘昶时张玲珊寒梅王方柳博赵元富
- 关键词：氧化层界面态
- 电离辐照Si-SiO_2的电子能谱深度剖析被引量：5
- 1990年
- 应用灵敏的电子能谱分析技术,对经电离辐射辐照的Si-SiO_2结构进行深度剖析。实验结果表明:存在于Si-SiO_2中的界面区,在电离辐射的作用下向SiO_2表面方向展宽,界面中心向SiO_2表面方向移动。展宽与偏移的程度与辐照条件紧密相关。文中对实验结果以弱应力键断裂模型进行了分析。
- 刘昶时吾勤之张玲珊
- 关键词：SI-SIO2XPSAES电离
- CCD电离辐射加固工艺研究被引量：1
- 1990年
- 本文以简单的MOS电容为手段,研究CCD工艺,以提高器件的抗电离辐射能力。研究发现,栅氧化温度、SiO_2栅介质厚度和CCD工艺中栅氧化以后的高温过程对辐照性能的影响最大;并提出减薄SiO_2栅介质厚度、在1000℃干氧栅氧化、表面栅和埋栅下SiO_2介质在相同条件下生长以及栅氧化后工艺流程中的高温步骤的温度不能超过栅氧化温度和尽量减少栅氧化后的高温步骤等改进的工艺措施。
- 李杰王缙董亮初严荣良余学锋张玲珊陆妩米拉提汗
- 关键词：电荷耦合器电离
- 不同偏置条件下Si—SiO_2界面电离辐照的XPS研究被引量：2
- 1989年
- 应用灵敏的表面分析技术XPS(x射线光电子能谱)对不同偏置条件下γ射线辐照的Si-SiO_2界面进行断层分析表明,SiO_2态下硅的2p结合能信号强度随辐照剂量的增加而减少,谱峰半宽则增加;且在正偏电场下辐照样品的信号强度明显低于未辐照样品及在负偏电场下辐照的样品,而谱峰半宽情形则相反。文中以应力键梯度模型为基础对实验结果作了解释。
- 刘昶时吾勤之张玲珊
- 关键词：MOS器件电离辐射XPS
- 硅棚MOS结构的辐射感生界面态被引量：2
- 1989年
- 本文主要讨论栅氧化层厚度、辐照总剂量以及偏置电场对硅栅MOS结构辐照感生氧化物电荷△D_(it)和界面态密度△D_(it)的影响。实验表明,在Co^(60)γ射线辐照下,MOS结构的辐射损伤与栅氧化层厚度T_(cx)、辐射总剂量D_(ose)及偏置电场E_(?)有着强烈的依赖关系。由上述辐照损伤规律及MOSFET阈值电压漂移公式,可获得加固MOS器件的重要参数—栅氧化层厚度的最佳设计,这为研究Si—SiO_2界面的辐射损伤机制及MOS器件的抗核加固工程提供了重要的实验依据。
- 张玲珊吾勤之刘昶时王方赵元富甘勇
- 关键词：MOS器件硅栅器件界面态
