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黄琦

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇失配位错
  • 1篇凝聚态
  • 1篇外延层
  • 1篇晶格
  • 1篇缓冲层
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇非线性光学
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体器件
  • 1篇TEM
  • 1篇TEM研究
  • 1篇GA
  • 1篇GAAS/S...
  • 1篇超晶格
  • 1篇AS

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇黄琦
  • 2篇周均铭
  • 2篇冯国光
  • 1篇周筠铭
  • 1篇丁爱菊

传媒

  • 1篇第十届全国凝...

年份

  • 1篇2000
  • 2篇1988
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
GaAs/Si外延层的TEM研究
外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(1)在S...
邹进都安彦冯国光丁爱菊侯宏启黄琦周均铭
关键词：外延层GAAS/SI缓冲层TEM
In Ga As/Ga As超晶格的界面研究
InGaAs/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7%。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷对其材料性能有很大影响。因此对In x GaAs Ga As界面研究就显得很重要。本工作就G...
都安彦邹进冯国光侯宏启黄琦周均铭
关键词：失配位错
第十届全国凝聚态光学性质学术会议论文集
周筠铭黄琦
关键词：非线性光学半导体器件
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共1页<1>
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