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黄琦
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3
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供职机构:
中国科学院物理研究所
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相关领域:
电子电信
理学
机械工程
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合作作者
冯国光
中国科学院物理研究所
周均铭
中国科学院物理研究所
丁爱菊
中国科学院物理研究所
周筠铭
中国科学院物理研究所
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黄琦
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周均铭
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冯国光
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丁爱菊
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第十届全国凝...
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1篇
2000
2篇
1988
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GaAs/Si外延层的TEM研究
外延生长半导体材料中的微缺陷对其性能及应用有着关键性的影响,为此微观缺陷的研究的必要性就显得更突出了。而透射电子显微学恰是进行微缺陷研究的重要手段。本工作就Si衬底上外延生长Ga As开展研究。实验样品有两类:(1)在S...
邹进
都安彦
冯国光
丁爱菊
侯宏启
黄琦
周均铭
关键词:
外延层
GAAS/SI
缓冲层
TEM
In Ga As/Ga As超晶格的界面研究
InGaAs/Ga As之间晶格失配度与X成线性关系,其最大值为7%。因而当外延层厚度大于临界厚度时在界面会产生微缺陷,这些缺陷对其材料性能有很大影响。因此对In x GaAs Ga As界面研究就显得很重要。本工作就G...
都安彦
邹进
冯国光
侯宏启
黄琦
周均铭
关键词:
失配位错
第十届全国凝聚态光学性质学术会议论文集
周筠铭
黄琦
关键词:
非线性光学
半导体器件
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