您的位置： 专家智库 > >

李祥彪

作品数：5 被引量：23H指数：2
供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院知识创新工程更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳化硅
  • 2篇半导体
  • 2篇SIC
  • 1篇单晶
  • 1篇导体
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化锌
  • 1篇载流子
  • 1篇制备及性能
  • 1篇碳化硅单晶
  • 1篇自由载流子
  • 1篇温度
  • 1篇稀磁半导体
  • 1篇铝掺杂
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米材料
  • 1篇禁带
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体光学
  • 1篇晶型

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇李祥彪
  • 4篇肖兵
  • 4篇陈之战
  • 4篇施尔畏
  • 1篇张涛
  • 1篇严成锋
  • 1篇刘学超
  • 1篇李汶军
  • 1篇张勇
  • 1篇张华伟

传媒

  • 2篇无机材料学报

年份

  • 2篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2006
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
超快大功率SiC光导开关的研究被引量：16
2008年
选用钒掺杂浓度为0．2at％的高质量6H-SiC晶体，电阻率为7．0×10^8Ω·cm，研制出超快大功率SiC光导开关．在脉冲宽度为20ns的光源激发下，分别测试了在不同的偏置电压和光能条件下开关的电脉冲输出特性．结果表明：1mm电极间隙的SiC开关器件的性能优越，耐偏压高，光导电脉冲的上升时间快（6．8ns），脉宽〈20ns，稳定性好．负载为40Ω的电阻上输出线性电脉冲电压随开关的偏置电压和光强增大而增大，在2．5kV的偏置电压下，最大瞬时电流约为57．5A，瞬时功率高达132kW．
严成锋施尔畏陈之战李祥彪肖兵
关键词：碳化硅半绝缘光导开关
宽禁带碳化硅晶体材料制备、缺陷与性能研究
碳化硅(SiC)晶体是第三代半导体材料，它具有宽带隙、高热导率、强击穿电场、大饱和电子漂移速率以及耐腐蚀、耐辐射、强化学稳定性等优良特性。针对不同的应用需求，通过不同元素掺杂，可以得到n型和p型导电类型的SiC晶体材料，...
李祥彪
ZnO基稀磁半导体纳米材料制备及性能研究
陈之战施尔畏李汶军肖兵李祥彪张涛张华伟刘学超
该项目是上海市科委纳米专项，通过控制磁性离子的掺杂实现了ZnO从无磁性的半导体材料转变为具有铁磁性半导体材料（DMS）。在原子、分子或纳米尺度上，实现对无缺陷ZnO基DMS材料（量子点、纳米线（棒）纳米带）的尺寸、形状、...
关键词：
关键词：纳米材料稀磁半导体氧化锌
4H-、6H-及15R-晶型SiC晶体光学特性研究
李祥彪施尔畏陈之战张勇肖兵
文献传递
铝掺杂6H-SiC晶体拉曼光谱的温度特性研究被引量：7
2008年
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中的衰减,导致两种样品的拉曼谱峰均向低波数移动,并且发生展宽.随着温度升高,Al掺杂样品中的等离子体激元增加,使得样品中自由载流子浓度增大,由于纵向声子与等离子体激元和自由载流子之间存在很强的耦合交互作用,导致Al掺杂样品的A_1模强度显著降低而菲掺杂样品几乎不变.通过拉曼光谱与霍耳效应测量,从理论和实验上分析了Al在高温下的激活行为及对自由载流子的贡献.
李祥彪施尔畏陈之战肖兵
关键词：碳化硅单晶掺杂自由载流子
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0