周珏辉
- 作品数：13 被引量：6H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家教育部博士点基金浙江省重点科技创新团队项目更多>>
- 相关领域：化学工程一般工业技术建筑科学电子电信更多>>
- 用于大吨位玻璃绝缘子的高强玻璃及其制备方法
- 本发明涉及材料科学领域，旨在提供一种用于大吨位玻璃绝缘子的高强玻璃及其制备方法。该玻璃中的各组分按重量百分比为：SiO<Sub>2</Sub>65～68％，CaO6～8％，MgO1～3％，Na<Sub>2</Sub>O1...
- 张启龙风杰周珏辉杨辉
- 文献传递
- Mg2SO4基微波介质陶瓷的性能优化及低温烧结研究
- 现代通信电子产品的快速发展对微波模块的性能要求不断提升。作为微波电路基板、封装以及一些无源元器件的关键材料，微波介质陶瓷的性能优化和低温烧结技术已成为研究热点。 Mg2SnO4陶瓷具有低介电常数、低介电损耗的特点，是一...
- 周珏辉
- 关键词：晶体结构
- 文献传递
- 一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于材料科学领域，旨在提供一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>–xLFV，其中：复合烧结...
- 张启龙周珏辉刘进壮杨辉
- 文献传递
- 一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于材料科学领域，旨在提供一种中温烧结低介微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明中温烧结低介微波介质陶瓷材料的化学表达式为(1-x)Mg<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>–xLFV，其中：复合烧结...
- 张启龙周珏辉刘进壮杨辉
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- 掺杂Nb_2O_5的钠钙硅玻璃结构与性能研究被引量：3
- 2015年
- 以Na-Ca-Si玻璃系统为研究对象,研究了掺杂Nb2O5对Na-Ca-Si玻璃结构与性能的影响。结果表明:Nb2O5能够对原有的玻璃结构起到修复作用,Nb—O—Si及Nb=O键具有更高的键强,使玻璃的网络结构更加稳定、紧密,从而可显著提高机械强度,并降低介质损耗。当Nb2O5含量达到3%时Na-Ca-Si玻璃具有最佳综合性能,抗弯强度为117 MPa,相对介电常数为8.41,介电损耗为1.25×10-3。
- 凤杰吴小飞周珏辉杨辉张启龙
- 关键词：机械强度介质损耗
- 铋酸盐玻璃/Mg_2SnO_4陶瓷复合材料结构与介电性能研究
- 2015年
- 使用固相法制备了铋酸盐玻璃/Mg2Sn O4陶瓷复合材料,研究复合材料相组成、微观形貌及其介电性能。研究表明:发现铋酸盐玻璃能够有效降低Mg2Sn O4烧结温度。当铋酸盐玻璃添加量为15wt.%以下时,复合材料为单相Mg2Sn O4,随着玻璃添加量的增加,陶瓷密度升高,介电常数上升同时介电损耗下降。而当铋酸盐玻璃添加量达到20 wt.%时,出现Bi2O3第二相,并伴随大量气孔,降低复合材料体积密度,破坏其介电性能。含15wt.%铋酸盐玻璃的复合材料在1350℃烧结获得最优介电性能:εr=7.74,Q×f=8800 GHz。
- 周珏辉王睿张启龙杨辉
- 关键词：铋酸盐玻璃液相烧结介电性能
- 一种玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法
- 本发明属于材料科学领域，旨在提供一种玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法。本发明中的玻璃陶瓷复合绝缘材料的化学表达式为(1-x)Mg<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>–xCBS，其中CBS为CaO-B<S...
- 张启龙周珏辉刘进壮杨辉
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- 掺杂玻璃助剂的Ba_5Nb_4O_(15)陶瓷烧结特性及介电性能
- 2013年
- 引入玻璃烧结助剂,采用液相烧结手段制备了低温烧结Ba5Nb4O15微波介质陶瓷。采用X射线衍射和扫描电子显微技术分析了陶瓷的物相组成和微观形貌。研究表明:陶瓷主晶相为Ba5Nb4O15,铋硅酸盐玻璃在陶瓷中以液相形式存在,促使陶瓷烧结温度从1300℃降至1100℃。添加4 wt.%铋硅酸盐玻璃的Ba5Nb4O15陶瓷在1100℃烧结,具有良好的微波性能:相对介电常数εr=39.01,品质因子Q×f=12214GHz。
- 周珏辉孟冬莹程笛张启龙杨辉
- 关键词：微波介质陶瓷液相烧结介电性能
- 低温烧结的玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法
- 本发明涉及材料科学领域，旨在提供一种低温烧结的玻璃陶瓷复合绝缘材料及其制备方法。该玻璃陶瓷复合绝缘材料的化学表达式为：xAl<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>–(1-x)CBS，x＝5～15wt％；其中，...
- 张启龙刘进壮杨辉周珏辉
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- 第一性原理研究InP的能带结构与光学性能被引量：1
- 2009年
- 采用基于局域密度近似的第一性原理方法计算了InP的能带结构和电子态密度,并对InP晶体的电荷分布进行了Mulliken布局分析。计算表明InP是直接带隙半导体材料,其价带主要由In的5s以及P的3s、3p态电子构成,导带主要由P的3p以及In的5s、5p态电子构成;P原子与In原子的电子重叠布局数达2.30,表明In-P键的共价性较强而离子性较弱。利用Kramers-Kronig色散关系对InP的介电函数、能量损失谱、折射率以及吸收系数等进行了计算,计算结果与实验值基本一致。此外,根据计算的能带结构与态密度分析了InP电子结构与光学性质的内在联系,解释了InP材料光学性能的微观机制。
- 赵宏健薛晶文周珏辉赵宏伟
- 关键词：INP第一性原理光学性能
