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织构金刚石薄膜生长特性与研究: 1996年; 目前利用气相法得的金刚石薄膜多为晶膜，性能远不如天然金刚石，严重地影响了它在光学、电子学等方面的应用。因此，如何控制合成条件，实现金刚石薄膜的均匀定向生长是目前金刚石薄膜研究中急需解决的课题。本工作利用电子促进ＨＦＣＶＤ技术成功的得到了织构生长的金刚石薄膜，研究了合成的优化工艺条件。实验中钨丝温度为２０００℃，ＣＨ４／Ｈ２浓度０．４—２％，基片温度控制在７５０－９００℃，基片与钨丝之间加偏压１３０Ｖ。对合成的薄膜用扫描电子显微镜（型号ＳＥＭ１０００Ｂ—２）观察薄膜的形貌。结果表明，当碳源浓度为的０．８％，基片温度为８７０℃时，晶粒晶形好，样品上金刚石颗粒已经连成了薄膜，每个晶粒顶部呈现和衬底平行的（１００）面。ＣＨ４浓度高时，晶性变差，呈粗糙的球状多晶状。基片温度过低时晶形较差。温度过高因相变和气化不能成膜。基片温度在８５０℃－９００℃范围内可连续成膜。加衬底偏压可以提高基底表面能和降低原子团界面自由能，因而可以促进成核。综上，我们利用偏压促进成核ＨＦＣＶＤ技术，在优化工艺条件下得到了织构生长金刚石薄膜。; 王晓辉傅广生; 关键词：金刚石薄膜 CVD HFCVD

电子助进热丝化学汽相沉积金刚石薄膜被引量：13: 1997年; 以ＣＨ４和Ｈ２为源反应气体，利用电子助进热丝化学汽相沉积（ＣＶＤ）技术，在Ｓｉ（１００）晶面衬底上成功地得到了织构生长的金刚石薄膜．用扫描电子显微镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线衍射等多种技术对薄膜的形貌、成分、晶态等特性进行了分析，得到了在热丝ＣＶＤ实验条件下织构生长金刚石薄膜的最佳工艺条件．; 韩理王晓辉于威董丽芳李晓苇傅广生; 关键词：金刚石薄膜 CVD

电子束辅助热丝CVD法在Si（100）衬底上织构生长金刚石薄膜: 1996年; 电子束辅助热丝ＣＶＤ法在Ｓｉ（１００）衬底上织构生长金刚石薄膜傅广生，王晓辉，于威，韩理（河北大学物理系保定０７１００２）织构生长的金刚石薄膜以其优异的光学、半导体和电学性能而具广泛的应用前景，它一直受到众多研究者的关注。由于金刚石与所用的衬底材料（...; 傅广生王晓辉于威韩理; 关键词：金刚石薄膜硅衬底

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王晓辉