您的位置： 专家智库 > >

汪宁

作品数：50 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信金属学及工艺化学工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 17篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇经济管理
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 12篇减薄
  • 12篇衬底
  • 11篇抛光
  • 8篇研磨工艺
  • 8篇磨工
  • 8篇晶圆
  • 8篇化学机械抛光
  • 8篇机械抛光
  • 8篇光刻
  • 8篇光刻胶
  • 7篇金属
  • 6篇晶片
  • 6篇晶体管
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 6篇半导体
  • 5篇电路
  • 5篇刻蚀
  • 5篇集成电路
  • 5篇硅衬底

机构

  • 50篇中国科学院微...
  • 2篇四川大学

作者

  • 50篇汪宁
  • 22篇刘新宇
  • 19篇陈晓娟
  • 18篇庞磊
  • 18篇罗卫军
  • 11篇金智
  • 10篇苏永波
  • 7篇王大海
  • 5篇王鑫华
  • 5篇刘训春
  • 4篇陈中子
  • 4篇郑英奎
  • 4篇王显泰
  • 4篇罗明雄
  • 3篇石瑞英
  • 3篇王润梅
  • 3篇丁芃
  • 3篇黄森
  • 2篇陈震
  • 2篇张海英

传媒

  • 3篇Journa...
  • 2篇第十二届全国...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 5篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 8篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 4篇2004
  • 2篇2003
共 50 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法
本发明提供了一种基于硅衬底外延GaN的工艺改进方法，通过采用不同材料的浆液和磨盘对硅衬底进行多次减薄处理，制备出预设厚度和预设厚度均匀性的晶圆片结构，其厚度均匀性达到了纳米级别，大大降低了晶圆片结构内部的应力累积，使硅衬...
汪宁黄森王鑫华王大海
制备深亚微米栅的方法
一种制备深亚微米栅的方法，其步骤为：1)在基片上淀积氮化硅和二氧化硅复合膜；光刻生成胶膜图形，使其一边位于器件源漏中间；腐蚀二氧化硅的暴露部分并使形成侧蚀；2)蒸发金属；通过剥离工艺，去除胶上的金属；3)采用等离子体刻蚀...
刘训春李无暇王润海罗明雄石华芬汪宁
文献传递
减小发射极宽度提高InGaP/GaAs HBT的性能
2004年
在发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT工艺的基础上 ,研究了发射极宽度为 2 μm时发射极与基极之间的自对准工艺 ,用简单方法制备出了发射极宽度为 2 μm的 In Ga P/ Ga As HBT.发射极面积为 2 μm× 1 5 μm时器件的截止频率高达 81 GHz,且集电极电流密度为 7× 1 0 4 A/ cm2 时仍没有出现明显的自热效应 .它的高频和直流特性均比发射极宽度为 3μm和 4 μm In Ga P/ Ga As HBT的有了显著提高 。
石瑞英孙海峰刘训春袁志鹏罗明雄汪宁
关键词：自对准工艺
一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛...
汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
一种去除高熔点黏附剂的方法
本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环...
汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
文献传递
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
文献传递
一种去除高熔点黏附剂的方法
本发明公开了一种去除高熔点黏附剂的方法，该方法采用从320℃～50℃的梯形依次递减的温度层次，兼容各种熔点有机黏附剂的去除，使用时可以合理组合各个温度层次，并可以随时调节相应需要的pH值，操作使用无毒性，无污染，绿色，环...
汪宁陈晓娟罗卫军庞磊刘新宇
一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法
本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛...
汪宁陈中子陈晓娟刘新宇罗卫军庞磊
文献传递
一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
不同平面掺杂结构对PHEMT器件性能的影响
研制比较了Al<,0.24>Ga<,0.76>As/In<,0.22>Ga<,0.78>As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT).由于采用了双平面掺杂和双异质结结构,...
汪宁陈震郑英奎刘新宇和致经
关键词：晶体管线性度PHEMT器件
文献传递
全选 清除 导出
共5页<12345>
聚类工具0