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谷力

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：西安理工大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝
  • 1篇液固
  • 1篇英文
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光谱
  • 1篇硅衬底
  • 1篇发光
  • 1篇本征
  • 1篇本征缺陷
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇西安理工大学
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 2篇谷力
  • 2篇吕惠民
  • 1篇陈光德
  • 1篇孙帅涛
  • 1篇耶红刚
  • 1篇郭金仓
  • 1篇颜国君

传媒

  • 1篇光子学报
  • 1篇纳米科技

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
六方氮化铝纳米线本征缺陷和氧杂质的光致发光谱研究(英文)被引量：2
2008年
利用AlCl3和NaN3直接反应合成出六方结构氮化铝纳米线.变温光致发光谱显示,在可见光范围内有两个半高宽大约为5nm的尖锐辐射峰,中心波长分别位于413nm和422nm处.同时,在近紫外区还有一个较宽的辐射带,随着温度升高,该辐射峰发生了明显的红移现象,其中心波长随温度线性变化.理论和实验分析表明,413nm辐射与AlN本身性质无关,而422nm辐射峰是与A1有关的两种本征缺陷所致.
吕惠民陈光德耶红刚颜国君谷力郭金仓孙帅涛
关键词：光致发光谱本征缺陷
硅衬底上有序氮化铝纳米线阵列的生长
2009年
在450℃反应温度下，利用无水三氯化铝与叠氮化钠在25mL的不锈钢反应釜中直接反应，成功地在硅片衬底上制备了六方单晶氮化铝（h—AlN）纳米线有序阵列。这些纳米线呈长直线状，粗细均匀，直径约为100nm，长度均在几个微米以上。所有纳米线生长方向一致，而且与硅片衬底垂直。经过分析，纳米线由气液固机制生长而成.
吕惠民谷力
关键词：纳米线阵列
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