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李京娜

作品数:3 被引量:10H指数:1
供职机构:烟台师范学院物理与电子工程学院物理系更多>>
发文基金:国务院侨办重点学科基金更多>>
相关领域:理学电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇氮化硅膜
  • 1篇电路
  • 1篇电子辐照
  • 1篇动态电路
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇微晶
  • 1篇微晶化
  • 1篇唯一稳态
  • 1篇线性电路
  • 1篇线性电阻
  • 1篇晶化
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱分析
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇硅膜
  • 1篇红外
  • 1篇红外光
  • 1篇红外光谱

机构

  • 3篇烟台师范学院
  • 1篇暨南大学
  • 1篇中国人民解放...

作者

  • 3篇李京娜
  • 1篇魏德芳
  • 1篇黄君凯
  • 1篇冯平
  • 1篇赵继德
  • 1篇钟雨乐
  • 1篇刘伟平

传媒

  • 2篇烟台师范学院...
  • 1篇辐射研究与辐...

年份

  • 1篇2002
  • 1篇2001
  • 1篇1999
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
含有非线性电阻的动态电路唯一稳态的研究
2002年
利用矩阵分解方法 ,在用常数界定元件成分关系斜率条件下 ,得到了确定具有分解形式的高维含有非线性电阻的动态电路唯一稳定条件 .结果表明 ,含有非线性电阻的动态电路的唯一稳态 。
赵继德冯平魏德芳李京娜
关键词:非线性电阻动态电路非线性电路唯一稳态
高能电子辐照导致氢化非晶硅的微晶化被引量:1
2001年
氢化非晶硅 (a -Si:H)是无序硅网络中嵌入一定量H原子的非晶态硅—氢合金膜 ,结构上存在许多不稳定的弱Si-Si键及各种畸变键 ,在光、电老化过程中 ,它们会断裂或变形 ,导致缺陷态的增加 ,使材料性能变坏。a -Si:H微晶化后 ,这些缺点将得到有效的克服。结果发现 ,用 0 .3- 0 .5MeV、注入束流密度 1.3× 10 19cm- 2 s- 1的高能电子辐照 10 - 6 0 0s,a -Si:H膜会出现微晶化现象 ,晶粒大小为 10 - 2 0nm ,晶化层厚度为 2 5- 2
钟雨乐黄君凯刘伟平李京娜
关键词:高能电子辐照微晶化氢化非晶硅
PECVD氮化硅膜的制备及其红外光谱分析被引量:9
1999年
用等离子(增强)化学气相淀积(PECVD)法在Si基底上制备氮化硅薄膜,通过红外吸收光谱研究分析了薄膜中的成分及键结构.
李京娜
关键词:氮化硅薄膜PECVD法红外光谱
共1页<1>
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