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韩吉胜

作品数：96 被引量：9H指数：2
供职机构：山东大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 92篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 43篇电子电信
  • 4篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 28篇碳化硅
  • 20篇肖特基
  • 17篇氮化镓
  • 17篇电极
  • 16篇二极管
  • 15篇肖特基二极管
  • 15篇击穿电压
  • 14篇微电子
  • 12篇电阻
  • 12篇半导体
  • 11篇势垒
  • 11篇欧姆接触
  • 11篇外延层
  • 11篇金属
  • 11篇刻蚀
  • 9篇导通
  • 9篇导通电阻
  • 8篇增强型
  • 8篇衬底
  • 7篇氮化镓器件

机构

  • 96篇山东大学

作者

  • 96篇韩吉胜
  • 88篇徐现刚
  • 68篇崔鹏
  • 28篇徐明升
  • 15篇李树强
  • 10篇罗鑫
  • 6篇王新宇
  • 6篇王柳
  • 6篇林兆军
  • 3篇展杰
  • 2篇姚涛
  • 1篇蔡菁菁
  • 1篇王成建
  • 1篇解士杰
  • 1篇刘畅

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇山东大学学报...

年份

  • 16篇2025
  • 57篇2024
  • 13篇2023
  • 5篇2022
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1992
  • 1篇1991
共 96 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
半导体器件和半导体器件的制造方法
本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，属于半导体器件领域，包括：半导体衬底；第一半导体层；第二半导体层；栅沟槽；伪深沟槽；绝缘层；栅极；第一包裹半导体区域；第二包裹半导体区域；由碳化硅制成的第一半导体区域，具...
汉多科·林纳威赫韩吉胜崔鹏徐明升钟宇崔潆心徐现刚李树强
一种版图结构、半导体器件和其制造方法
本发明公开了一种版图结构、半导体器件和其制造方法，属于半导体器件技术领域，传统沟槽MOSFET承受高击穿电压的可靠性低，本发明在传统沟槽MOSFET器件结构之上进行改进，栅极氧化层和沟槽MPS的角落都被包裹在高掺杂浓度的...
汉多科·林纳威赫陈曦冉韩吉胜崔鹏徐现刚
一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
本发明涉及一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN HEMT包含衬底、过渡层、沟道层、势垒层、栅结构和源漏欧姆接触金属电极。器件栅极部分自下而上分别包括势垒层上的P‑型GaN栅极材...
崔鹏汉多科·林纳威赫韩吉胜徐现刚
提升高频性能的碳化硅MOSFET版图结构及制作方法
本发明给出提升高频性能的碳化硅MOSFET元胞结构，该碳化硅MOSFET元胞结构包括四个方形碳化硅MOSFET元胞，四个方形碳化硅MOSFET元胞整齐排列成方形，且每两个方形碳化硅MOSFET元胞间具有距离相等的沟道；方...
崔潆心刘芝新汉多科·林那威赫韩吉胜徐现刚
基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管
本发明公开一种基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管，涉及微电子技术领域，包括SiC衬底，以及制备在SiC衬底上的由GaN缓冲层、第二AlN插层、AlGaN势垒层和GaN帽层构成的GaN HEMT结终端，由SiC...
崔鹏代嘉铖韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
超晶格帽层氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法
本发明属于微电子研究领域，提供了一种超晶格帽层氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备方法，包括自下而上依次设置的衬底、成核层和GaN缓冲层，GaN缓冲层上设置有源电极和漏电极，源电极和漏电极之间自下而上依次设置有AlN插入层、...
崔鹏罗鑫韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
掺杂聚乙炔中的电荷转移与孤子、极化子等非线性元激发
1995年
导电聚合物中的π电子可以通过掺杂离子的桥梁作用及链间耦合作用在链与链之间转移.在给定掺杂离子浓度下,研究了聚乙炔链的基态,孤子,极化子等非线性激发态与链上净电荷之间的关系.指出了Peierls 电子-声子相互作用、掺杂离子与π电子的库仑相互作用等对体系的不同影响.
解士杰韩吉胜姚涛
关键词：聚乙炔电荷转移孤子极化子激发态
一种半导体器件及其制造方法
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域,包括由下到上依次设置的漏电极、n型半导体衬底、n型半导体层和非均匀掺杂p型半导体层，其中，非均匀掺杂p型半导体层表面外侧设置有p型半导体区域，内侧设置有n型半...
韩吉胜陈曦冉汉多科·林纳威赫崔鹏徐明升徐现刚
一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法
本发明涉及一种SiC MOSFET各部分栅电容及器件沟道电容的精确提取方法，属于微电子领域，四部分电容为并联状态，故总栅电容C<Sub>G</Sub>＝2(C<Sub>1</Sub>+C<Sub>2</Sub>+C<Su...
崔鹏王柳韩吉胜汉多科·林纳威赫徐现刚
一种碳化硅超结平面栅横向MOS器件及其制造方法
本发明涉及一种碳化硅超结平面栅横向MOS器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件由下到上依次包括衬底和外延层，外延层两侧分别设置有漏极区域A和源极区域A，漏极区域A和源极区域A内分别设置有漏极金属和源极金属，外延层...
汉多科·林纳威赫蔡菁菁韩吉胜徐现刚崔鹏
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