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董建新

作品数:24 被引量:39H指数:3
供职机构:重庆大学数理学院更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”重庆市自然科学基金重庆市科技攻关计划更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 12篇期刊文章
  • 9篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 5篇一般工业技术
  • 5篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇机械工程

主题

  • 10篇透明导电
  • 8篇P型
  • 7篇透明电极
  • 7篇欧姆接触
  • 5篇P型GAN
  • 4篇散热
  • 4篇散热性
  • 4篇散热性能
  • 4篇透明导电膜
  • 4篇LED
  • 3篇氮化铝
  • 3篇氮化铝薄膜
  • 3篇性能研究
  • 3篇肖特基
  • 3篇ZNO
  • 3篇GAN
  • 2篇导电薄膜
  • 2篇势垒
  • 2篇透光
  • 2篇透明导电薄膜

机构

  • 24篇重庆大学
  • 3篇重庆师范大学
  • 1篇广东省建筑设...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇中国兵器工业...

作者

  • 24篇董建新
  • 20篇方亮
  • 17篇张淑芳
  • 12篇高岭
  • 8篇彭丽萍
  • 5篇陈勇
  • 4篇张文婷
  • 3篇刘高斌
  • 3篇汪立文
  • 3篇付光宗
  • 2篇孔春阳
  • 1篇孙建生
  • 1篇李丽
  • 1篇李秋俊
  • 1篇万蕴杰
  • 1篇冯世娟
  • 1篇李现华
  • 1篇吴芳
  • 1篇陈希明
  • 1篇徐勤涛

传媒

  • 3篇真空科学与技...
  • 3篇2007高技...
  • 2篇功能材料
  • 2篇材料导报
  • 2篇微型计算机
  • 2篇中国真空学会...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇半导体光电
  • 1篇2007高技...
  • 1篇中国真空学会...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2009
  • 4篇2008
  • 13篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇2005
24 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究被引量:2
2007年
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。
杨丰帆方亮孙建生徐勤涛吴苏友张淑芳董建新
关键词:光电性能
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
本发明公开了一种P型GaN上的镉铟氧(CIO)透明电极,它通过采用CIO透明导电薄膜结构,使透明电极的透光率比传统的金属(Ni或Ni/Au)电极提高15%以上,可望应用于GaN基蓝光发光二极管或激光二极管提高其出光效率,...
方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
文献传递
ZnO上肖特基接触的研究进展被引量:4
2008年
由于ZnO存在本征施主缺陷(锌间隙和氧空位),使得表面存在较高浓度的施主能级,难以获得肖特基接触。本文回顾了近年来在n型ZnO上制备肖特基接触的研究进展,对n型ZnO上制备肖特基接触的Au、Pt、Pd、Ag等金属方案的性能与特点,以及影响接触性能等因素,如表面处理和退火等进行了分析与归纳。同时,对p型ZnO上难以获得肖特基接触的原因进行了讨论。另外,由于Au、Pt等金属普遍存在热稳定差的问题,会降低ZnO基大功率器件的寿命,寻找能与n型ZnO能形成高热稳定性、低泄露电流、高势垒高度的肖特基接触材料是未来ZnO上肖特基光电器件的发展方向。
方亮董建新张淑芳张文婷彭丽萍吴芳孔春阳
关键词:ZNO肖特基接触泄露电流
透明导电SrCu2O2薄膜的制备技术与生长机制的探讨
SrCu2O2(SCO)是一种新型可掺杂为p型导电的直接带隙透明氧化物半导体,其沉积温度低,基于pSrCu2O2和n-ZnO薄膜已经成功制备了异质结透明近紫外发光二极管,预示着其广阔的应用前景.对SCO薄膜的几种制备技术...
方亮高岭董建新彭丽萍刘高斌汪立文
关键词:氧化物半导体
文献传递
硅脂导热涂层改善LED散热性能的研究
研究了导热硅脂(KE3493)涂层对水下密闭环境下应用的 LED 灯散热情况的影响,结果表明,LED 系统的集成电路板上加入导热涂层能提高 LED 系统的散热效率,研究结果为导热涂层应用于 LED 散热系统提供了参考数据...
张淑芳方亮付光宗董建新陈勇
关键词:散热性能LED硅脂
文献传递
氮化铝薄膜改善LED散热性能的研究
研究了氮化铝薄膜对 LED 灯散热情况的影响,并与导热硅脂(KS609)涂层的散热效果进行了比较, 结果表明:导热涂层能加强 LED 的散热,氮化铝薄膜散热效果优于导热硅脂;对红、白、绿3种颜色 LED, 相同条件下,散...
陈勇方亮张淑芳董建新高岭
关键词:氮化铝薄膜LED散热
文献传递
p-GaN上透明电极的研究现状
GaN基发光器件通常采用金属作为p型GaN的接触电极,但由于金属透光率低,影响器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析p-GaN上难以形成欧姆接触的基础上,从电极的制备方法、光电特性等方...
董建新方亮张淑芳高岭
关键词:透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
文献传递
p型GaN上透明电极的研究现状
GaN 基发光器件通常采用金属作为 p 型 GaN 的接触电极,但由于金属透光率低,大大降低了器件的发光效率,解决办法之一就是采用透明导电薄膜作为其接触材料。本文在分析 p-GaN 上难以形成欧姆接触原因的基础上,提出了...
董建新方亮张淑芳高岭孔春阳
关键词:透明导电膜GAN欧姆接触透明电极
文献传递
P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
本发明公开了一种P型GaN上镉铟氧透明电极的制备方法,其工艺步骤为:1)在P型GaN上以物理气相沉积方式,沉积第一导电层;第一导电层厚度范围2到100埃;2)在第一导电层上以物理气相沉积方式,沉积CdIn<Sub>2</...
方亮张淑芳彭丽萍董建新刘高斌
文献传递
ZnO上欧姆接触的研究进展
为制备高性能的 ZnO 基器件如 uv 光发射器/ 探测器、场效应晶体管,在 ZnO 上形成优良的金属电极是十分必要的.回顾了近年来 ZnO 上制备欧姆接触的新进展,对在 n 型 ZnO 上制备欧姆接触的 Al,Al/P...
董建新方亮张淑芳彭丽萍张文婷高岭
关键词:ZNO欧姆接触肖特基势垒透明电极
文献传递
共3页<123>
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