王印月
- 作品数：76 被引量：475H指数：12
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院磁学与磁性材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金甘肃省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术医药卫生更多>>
- In掺杂ZnO薄膜的制备及结构特性研究被引量：1
- 2005年
- 通过射频反应共溅射法在硅衬底上制备了不同In掺杂量的ZnO薄膜,表征了薄膜的结构和表面形貌,研究了In掺杂量对znO薄膜的结构特性的影响.掠角X射线衍射分析结果表明制备的样品为ZnO薄膜,θ-2θ X射线衍射分析结果表明样品具有小的应力和C轴择优取向;原子力显微镜测试结果表明样品的颗粒大小和应力同其(002)衍射峰强度有关.薄膜具有较低的电阻率(10-1-100Ω·cm).当In掺杂量为3％时,样品的(002)衍射峰强度最高、压应力较小(7.3x108N/m2).
- 朋兴平杨映虎季涛方泽波王印月
- 关键词：ZNO薄膜
- 非晶硅太阳电池稳定性研究
- 1996年
- 报导对非晶硅太阳电池长期跟踪测量的结果，并对提高太阳电池稳定性进行了讨论．
- 王印月杨映虎姜永波张仿清陈光华王思礼
- 关键词：非晶硅稳定性太阳能电池
- 用温度调制空间电荷限制电流法研究GD-a-Sic∶H膜的隙态密度
- 1990年
- 本文用温度调制空间电荷限制电流法测得了 GD-a-Si_(1-x)C_x∶H 膜不同碳含量 x 时的隙态密度,得到了光处理前后隙态密度的变化情况,发现强光照后存在有光诱导缺陷态效应,文中还就该方法本身的优越性进行了讨论.
- 王印月王辉耀张仿清
- 关键词：非晶硅膜温度调制
- 用拉曼散射光谱估算纳米Ge晶粒平均尺寸被引量：9
- 1998年
- 用射频共溅射技术和真空退火方法制备了埋入ＳｉＯ２基底中的纳米Ｇｅ复合膜（ｎｃ－Ｇｅ／ＳｉＯ２）。测量了不同温度退火后该复合膜的拉曼散射光谱，其结果与晶体Ｇｅ的拉曼谱相比，纳米Ｇｅ的拉曼峰位红移峰形变宽；用拉曼谱的参数计算了纳米Ｇｅ晶粒的平均尺寸。
- 王印月郑树凯杨映虎郭永平奇莉甘润今
- 关键词：拉曼散射光谱晶粒尺寸
- SiC／SiO2超晶格的蓝光发射研究被引量：1
- 2004年
- 利用RF共溅射的方法，制备了SiC／SiO2多层膜，测量了样品的光致发光(PL)谱和光激发(PLE)谱，并观察到室温下的蓝光发射现象。改变势阱层的厚度，观察430nm的蓝光峰的蓝移现象。我们又进行了光致发光峰(PL)在外加偏压前后情况的测试。样品在加上10伏(电流为0．5mA)偏压后，发光峰有明显的蓝移和加强现象，通过测量PLE谱，认为样品在加偏压后引起自由激子的辐射复合使发光峰发生蓝移。
- 张静姜岩峰刘文楷刘雪芹王印月
- 关键词：超晶格蓝光发射
- 射频反应溅射非晶硅基薄膜的红外谱
- 1995年
- 本文研究了用射频反应溅射法制备的非晶硅基系列薄膜（ａ－Ｓｉ：Ｈ，ａ－ＳｉＣ_ｘ：Ｈ，ａ－ＳｉＮ_ｘ：Ｈ和ａ－Ｓｉｃ_ｘＮ_ｙ：Ｈ）的红外吸收谱，对其中的主要吸收区进行了分析和讨论。
- 王印月吴现成王辉耀陈光华
- 关键词：反应溅射红外吸收红外光谱
- 沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响被引量：4
- 2000年
- 采用RF反应溅射法在Si(1 1 1 )、玻璃衬底上制备了具有良好C轴取向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件 (衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类 )对样品结构的影响。发现 (1 )薄膜的取向性随着衬底温度的升高而增强 ,超过40 0℃后薄膜质量开始变差 ;(2 )工作气体中氧与氩气压比 (PO2 PAr)为 2 :3时 ,薄膜取向性最好 ;(3)薄膜晶粒尺寸 1 1～ 34nm ,相同沉积条件下 ,单晶硅衬底样品 (0 0 2 )衍射峰强度减弱 ,半高宽无明显变化。
- 龚恒翔阎志军杨映虎王印月
- 关键词：ZNO薄膜
- 溶胶-凝胶法制备纳米多孔SiO_2薄膜被引量：28
- 2003年
- 以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,采用旋转涂敷的方法 ,结合溶胶 凝胶技术在硅衬底上制备超低介电常数多孔SiO2 薄膜 采用两种不同的改性方法对薄膜表面进行改性 ,傅里叶变换红外光谱分析发现改性后薄膜中含有大量的—CH3键 ,从而减少了孔洞塌陷 .用扫描电子显微镜观察薄膜的表面形貌 ,发现薄膜内孔洞尺寸在 70— 80nm之间 调节溶胶pH值 ,发现pH值越小凝胶时间越长 对改性样品热处理的结果表明 ,在 30 0℃时介电常数最低达2 0 5 .
- 何志巍甄聪棉兰伟王印月
- 关键词：纳米多孔材料二氧化硅薄膜红外光谱分析正硅酸乙酯
- 反应溅射a-SiC_xN_y∶H薄膜特性被引量：2
- 1999年
- 利用射频反应溅射技术在室温下制备了氢化非晶硅碳氮薄膜（ａＳｉＣｘＮｙ∶Ｈ），通过红外透射谱（ＩＲ），光吸收谱［α（λ）］，电子自旋共振谱（ＥＳＲ）和电导率（σ）等测试手段，研究了薄膜的结构和光电特性．在固定甲烷流量γＣＨ４＝３％，氢气流量γＨ２＝１２％的情况下，改变氮气流量γＮ２＝（０—１４）％，综合研究了暗电导率σｄ、光学带隙Ｅｏｐｔ、自旋密度ＮＳ等随γＮ２的变化关系，发现由于碳、氮元素同时存在，薄膜结构和特性明显地受γＮ２的调制，当γＮ２～５％时，薄膜结构和特性均有突变．对上述结果进行了较深入的讨论．
- 吴现成王印月
- 关键词：反应溅射碳氮薄膜
- 一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法
- 本发明公开一种制备多孔低介电常数薄膜材料的方法，特别是生产半导体集成电路中形成电路的互连线层间或每层互连线间的绝缘介质的制备方法，特别是用溶胶-凝胶法制备多孔二氧化硅薄膜的方法。本发明的方法是在用溶胶-凝胶法制备多孔二氧...
- 何志巍刘雪芹王印月
