徐法强
- 作品数：75 被引量：324H指数：7
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- ZnO及其缺陷的电子结构被引量：118
- 2001年
- 利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级 .根据以上结果 。
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌
- 关键词：电子结构氧化锌化合物半导体半导体激光器件
- PTCDA一维纳米结构的制备及其光学性能的调变
- 2014年
- 在分子束外延系统(MBE)中以玻璃为衬底,使用物理气相沉积(PVD)方法制备了苝四甲酸二酐(PTCDA)的纳米结构;并利用扫描/透射电子显微镜(SEM/TEM),X射线衍射(XRD),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光谱仪(PL)等手段对样品的形貌及光学性能进行了系统的研究.结果表明,纳米结构的形貌主要受衬底温度(Ts)的影响;单晶PTCDA纳米棒和纳米线的形成机制是基于VS(vapor-solid)机理.此外,XRD结果表明制备的纳米结构均为α相PTCDA.然而,纳米结构的尺寸和结晶度的不同,导致了它们光学性能的差异.
- 郭盼盼韩玉岩张文华刘凌云徐法强
- 关键词：VSPVDPTCDA衬底温度光学性能
- Co-Ni合金薄膜的电化学外延及同步辐射XMCD研究被引量：3
- 2007年
- 采用电化学循环伏安法在单晶GaAs(001)衬底上外延沉积了Co-Ni二元合金薄膜.扫描电子显微镜观察结果显示,薄膜厚度约180nm,其表面由约40nm大小的颗粒组成.用X射线荧光法确定了薄膜的组分为Co66Ni34,XRD确定了其为面心立方结构.用同步辐射圆偏振软X射线分别测量了样品中Co和Ni的吸收谱(XAS),从而得到X射线磁性圆二色(XMCD)谱,通过加和定则分别计算出了合金中Co和Ni的轨道磁矩和自旋磁矩,与纯的Co和Ni样品相比,它们都有不同程度的增加.
- 王立武李宗木张文华徐法强王劼闫文盛
- 关键词：循环伏安法自旋磁矩
- Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 1999年
- 用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0～50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O^-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。
- 朱俊发徐法强孙玉明王险峰陆尔东徐彭寿张新夷庄叔贤
- 关键词：光电子能谱
- 电化学外延生长亚稳态Co薄膜的结构和磁性表征
- 2007年
- 用循环伏安法在单晶Cu(110)上沉积了亚稳态fcc相的Co磁性薄膜,并用法拉第定律估算了薄膜的厚度约为17 nm。X射线衍射结果表明薄膜具有(100)的单一取向结构,而用同样方法沉积在多晶Pt片上的Co薄膜则是六方多晶结构。用扫描电子显微镜、X射线以及同步辐射光电子能谱对薄膜的表面形貌、组成以及元素的化学态进行了表征,结果表明循环伏安法制备的薄膜平整连续,Co薄膜没有明显的氧化现象;磁性测量结果表明外延生长的薄膜具有典型的软磁特征,矫顽力约为100 Oe,剩磁比约0.86。软X射线磁性圆二色实验结果计算得到Co薄膜的自旋磁矩和轨道磁矩非常接近于Co体相材料的数据。
- 李宗木徐法强孙秀玉张文华王立武
- 关键词：电化学沉积循环伏安法光电子能谱
- 酞菁钴准一维纳米结构的制备及其生长过程的探究
- 酞菁钴是具有大p共轭环的有机小分子,作为有机半导体材料在制作光电功能器件方面有独特优势,因此在有机场效应管和气体传感器等方面得到广泛应用。本工作采用低真空下的石英管式炉和超高真空下的有机分子束外延系统,通过时间控制的方法...
- 姚一王凯陈昊董纳徐法强
- 关键词：酞菁钴准一维纳米结构成核
- NSRL在半导体表面结构的光电子衍射研究
- 2004年
- 利用角分辨光电发射精细结构(ARPEFS)技术研究了GaAs(001)面,验证了Biegelsen提出的钙双层模型的正确性。拟合结果显示,最外层构成二聚体的两个钙原子沿[110]方向移动聚拢,偏离体材料格位8.3%。同时最外层的钙原子向内收缩2.1%。利用X射线光电子衍射(XPD)实验技术研究了硫钝化方法处理过的GaAs(001)表面结构,确定了钝化的硫原子位于第一层钙原子的桥位上。与钙原子成键的键长为3.62?、键角为61.2°。使用与能量和角度有关的光电子衍射技术并结合多重散射团簇模型计算对Al2O3衬底上生长的GaN单晶薄膜表面的极化性质进行了研究,确定了该GaN表面极性为钙在最外层的正极化性。
- 徐彭寿邓锐潘海斌徐法强李拥华
- 关键词：半导体GAASGAN
- CdS基光催化剂的并行合成及高通量筛选
- 2021年
- 材料基因组技术可以显著提高催化剂筛选速度,节约研发成本。文中研制了一套水热/溶剂热并行合成装置,发展了一种并行合成粉末样品的方法,并利用有色亚甲基蓝染料为目标降解物,高通量筛选CdS基复合光催化剂。结果表明:所研制的多通道反应器具有良好的温度一致性,适用于水热/溶剂热并行合成粉末材料;以CdS为目标产物并结合相关物性表征,成功验证所研制水热/溶剂热并行合成装置的有效性;通过有色染料亚甲基蓝的降解,高通量筛选出最优催化剂,当MoS_(2)负载量为0.05%时,其可见光下亚甲基蓝溶液降解效率可达100%。
- 魏宇学朱晓娣黄菊李达刘凯鲍骏徐法强孙松高琛
- 关键词：光催化材料CDS
- MBE法生长ZnO纳米线阵列的结构和光学性能被引量：7
- 2012年
- 在氧等离子体辅助的MBE系统中,以1 nm厚的Au薄膜为催化剂,基于气液固（VLS）机制实现了低温ZnO纳米线阵列在Si（111）衬底表面的生长.通过场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）可以观察到,ZnO纳米线阵列垂直生长在衬底上,直径为20~30 nm.X射线衍射（XRD）和高分辨透射电镜（HRTEM）结果表明：ZnO纳米线为六方纤锌矿结构,具有沿c轴方向的择优取向.光致发光（PL）谱显示在380 nm附近有强烈ZnO本征发射峰,475~650 nm可见光区域有较强的缺陷导致的发射峰.
- 郑志远陈铁锌曹亮韩玉岩徐法强
- 关键词：ZNO纳米线分子束外延VLS
- AAO模板受热失重及发光机理的研究被引量：5
- 2012年
- 为了深入理解草酸溶液中制备的阳极氧化铝（AAO）模板受热失重以及草酸根对模板发光性能的影响,利用程序升温脱附与质谱联用（TPD-MS）、热重分析（TGA）、差热分析（DTA）以及光致发光（PL）等技术对AAO模板进行了系统研究.热失重分析结果表明,当温度低于402.2℃时,发生H2O、CO以及CO2分子的脱附以及掺杂草酸的分解,其中H2O的脱附为失重的主要原因;在402.2-866.7℃范围内,主要是草酸盐分解放出CO和CO2引起失重,CO为主要产物;碳酸盐以及残余的草酸盐的剧烈分解发生在866.7~1022.9℃范围内,主要放出CO2,并且引起大量失重.由热重结果及脱附产物中CO的摩尔比得到草酸根残余量随处理温度的变化趋势.最后,对模板PL强度、草酸根含量以及氧空位缺陷（F＋）浓度三者随处理温度的变化趋势进行了关联,对AAO模板发光的原因进行了分析.
- 韩玉岩曹亮徐法强千坤黄伟新
- 关键词：阳极氧化铝热重分析差热分析光致发光
