徐法强
- 作品数：75 被引量：324H指数：7
- 供职机构：中国科学技术大学核科学技术学院国家同步辐射实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- ZnO及其缺陷的电子结构被引量：118
- 2001年
- 利用全势线性Muffin_tin轨道 (FP_LMTO)理论方法 ,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构 .计算的结果表明 ,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用 .O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽 ,带隙变小 .Zn空位和O填隙分别在价带顶 0 .3和 0 .4eV处产生浅受主能级 .而Zn填隙在导带底 0 .5eV处产生浅施主能级 .但O空位则在导带底 1 .3eV处产生深施主能级 .根据以上结果 。
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌
- 关键词：电子结构氧化锌化合物半导体半导体激光器件
- PTCDA一维纳米结构的制备及其光学性能的调变
- 2014年
- 在分子束外延系统(MBE)中以玻璃为衬底,使用物理气相沉积(PVD)方法制备了苝四甲酸二酐(PTCDA)的纳米结构;并利用扫描/透射电子显微镜(SEM/TEM),X射线衍射(XRD),紫外-可见分光光度计(UV-vis)和荧光谱仪(PL)等手段对样品的形貌及光学性能进行了系统的研究.结果表明,纳米结构的形貌主要受衬底温度(Ts)的影响;单晶PTCDA纳米棒和纳米线的形成机制是基于VS(vapor-solid)机理.此外,XRD结果表明制备的纳米结构均为α相PTCDA.然而,纳米结构的尺寸和结晶度的不同,导致了它们光学性能的差异.
- 郭盼盼韩玉岩张文华刘凌云徐法强
- 关键词：VSPVDPTCDA衬底温度光学性能
- Co-Ni合金薄膜的电化学外延及同步辐射XMCD研究被引量：3
- 2007年
- 采用电化学循环伏安法在单晶GaAs(001)衬底上外延沉积了Co-Ni二元合金薄膜.扫描电子显微镜观察结果显示,薄膜厚度约180nm,其表面由约40nm大小的颗粒组成.用X射线荧光法确定了薄膜的组分为Co66Ni34,XRD确定了其为面心立方结构.用同步辐射圆偏振软X射线分别测量了样品中Co和Ni的吸收谱(XAS),从而得到X射线磁性圆二色(XMCD)谱,通过加和定则分别计算出了合金中Co和Ni的轨道磁矩和自旋磁矩,与纯的Co和Ni样品相比,它们都有不同程度的增加.
- 王立武李宗木张文华徐法强王劼闫文盛
- 关键词：循环伏安法自旋磁矩
- Ni(110)上Gd薄膜氧化的同步辐射光电子能谱研究
- 1999年
- 用同步辐射软X射线光电子能谱和X射线光电子能谱(XPS)研究了室温下氧与原位生长于Ni(110)上的Gd薄膜及Gd-Ni复合薄膜的相互作用。氧在3.7 nm的Gd膜上有很高的初始粘附几率。Gd4f双峰中的高结合能峰随氧暴露量的增加逐渐衰减,在吸附了50L的氧并在高温(800K)退火后几乎彻底消失。0～50L的氧暴露量范围内O 1s XPS峰的结合能为529.6eV,来自晶格氧。Gd/Ni(110)轻微氧化再经高温退火而形成的复合薄膜表面上,氧的吸附引起Gd在表面的偏析和进一步氧化,并可检测到化学吸附的O^-和晶格氧两种氧物种。对氧化机理和表面氧物种的本质与衍变进行了讨论。
- 朱俊发徐法强孙玉明王险峰陆尔东徐彭寿张新夷庄叔贤
- 关键词：光电子能谱
- 苝四甲酸二酐在Au(111)表面的取向生长及电子结构研究被引量：1
- 2010年
- 利用X射线光电子能谱(XPS),同步辐射紫外光电子能谱(SRUPS),近边X射线吸收精细结构(NEXAFS)以及原子力显微镜(AFM)等技术研究了苝四甲酸二酐(PTCDA)与Au(111)的界面电子结构、PTCDA分子取向及有机薄膜的表面形貌.SRUPS价带谱显示,伴随PTCDA分子的微量沉积(0·5ML),位于费米能级附近Au的表面电子态迅速消失,但却观察不到明显的界面杂化态,这说明PTCDA分子和Au(111)界面间存在弱电子传输过程,但并没有发生明显的化学反应.角分辨NEXAFS以及SRUPS结果证明PTCDA分子是平铺在衬底表面.根据Au4f7/2和C1s峰积分强度随薄膜厚度的变化以及AFM图像可知,PTCDA分子在Au(111)表面是一种典型的Stranski-Krastanov生长模式,即先层状生长,再岛状生长,并且在层状生长到岛状生长的转变过程中,存在有机分子的去润湿过程.
- 曹亮张文华陈铁锌韩玉岩徐法强朱俊发闫文盛许杨王峰
- 关键词：同步辐射光电子能谱分子取向
- GaAs表面硫钝化研究新进展被引量：5
- 2000年
- GaAs及其他Ⅲ -Ⅴ族半导体表面钝化一直是人们感兴趣的研究课题 ,在半导体器件制造工艺的发展中起着重要的作用 。
- 谢长坤徐法强徐彭寿
- 关键词：光致发光砷化镓电镜半导体
- GaN(110)表面原子及电子结构的第一性原理研究被引量：4
- 2004年
- 用缀加平面波加局域轨道方法计算了立方GaN及其非极性 ( 1 1 0 )表面的原子结构和电子结构 ,得到的GaN晶格常数及体积弹性模量与实验值符合得很好 .用层晶超原胞模型计算立方GaN ( 1 1 0 )表面的原子和电子结构 ,发现表面顶层原子发生键长收缩并旋转的弛豫特性 ,表面阳离子向体内移动 ,与周围阴离子形成sp2 杂化 ,而表面阴离子则形成p3 型锥形结构 .其面旋角为 1 4 .1°,比传统的Ⅲ V族半导体 ( 1 1 0 )表面面旋角 ( 30°± 2°)小得多 ,这主要与材料的离子性有关 .此外 ,在带隙附近还发现了两个表面态 ,一个是占据的表面态 ,主要是由N的p电子构成的 ;另一个是空态 ,主要由阳离子的轨道构成 .在驰豫后 ,这两个表面能带都移出带隙 ,分别进入导带和价带 。
- 李拥华徐彭寿潘海滨徐法强
- 关键词：GAN表面电子结构
- ZnO及其缺陷电子结构对光谱特性的影响被引量：55
- 2002年
- 利用全势ＬＭＴＯ(ＦＰ－ＬＭＴＯ)理论计算方法,对ＺｎＯ中的某些缔合缺陷(如氧空位和锌填隙、锌填隙和锌空位及锌的氧反位缺陷〕的电子结构进行了计算根据本文和以前的计算结果,得到了ＺｎＯ中几种本征点缺陷对应的缺陷态能级位置．利用得到的理论计算结果,我们分析了ＺｎＯ的吸收和发射光谱可能产生的机制,并讨论了ＺｎＯ与缺陷电子结构对它们的影响．
- 徐彭寿孙玉明施朝淑徐法强潘海斌潘海斌
- 铈基稀土/碱土氧化物催化剂上甲烷氧化偶联反应研究
- 徐法强
- 一种CdS/Cu<Sub>2</Sub>S/Co基光电催化材料及其制备方法
- 本发明提供了一种CdS/Cu<Sub>2</Sub>S/Co基光电催化材料，包括基底，所述基底表面负载有CdS、Cu<Sub>2</Sub>S和Co基助催化剂；所述CdS和Cu<Sub>2</Sub>S复合形成CdS/C...
- 宋治敏孙松李士阔鲍骏徐法强高琛
