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孙长庆

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：天津大学理学院物理系更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇英文
  • 1篇磁头
  • 1篇磁性
  • 1篇FEN

机构

  • 2篇天津大学

作者

  • 2篇孙长庆
  • 2篇刘裕光
  • 2篇姜恩永
  • 1篇王忠杰
  • 1篇程启

传媒

  • 2篇天津大学学报

年份

  • 1篇1993
  • 1篇1989
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
环形磁头输出再生波形的模拟分析(英文)
1993年
引用互易定律对环形磁头输出再生波形进行模拟分析,所得结果与实验一致。
姜恩永程启孙长庆刘裕光王忠杰段辉平耿志刚
关键词：磁头
对向靶溅射法中直流负偏压对FeN化合物薄膜的结构和磁性的影响
1989年
对向靶反应溅射法制备的FeN化合物薄膜的结构和磁性对基板偏压的变化很敏感,不同的偏压数值作用的效果不同。我们用基板偏压促进成膜原子间的相互扩散,以及对负离子排斥降低膜中N的浓度和粒子轰击对膜再溅射的观点解释了FeN膜的结构和磁性的变化。
孙长庆姜恩永刘裕光张西祥吕旗
关键词：磁性
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共1页<1>
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