黄文韬
- 作品数：26 被引量：28H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划面向21世纪教育振兴行动计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 硼预淀积对自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响被引量：3
- 2002年
- 研究了以不同B2H6流量预淀积硼对UHV/CVD自组织生长Ge量子点尺寸分布的影响。在适当的生长条件下,得到了尺寸分布很窄的均匀Ge量子点,用AFM对量子点的形貌进行观察,Ge量子点尺寸的涨落小于±3%,量子点的水平尺寸和高度分别为60nm和10nm,密度为8×109cm-2。实验结果表明,通过预淀积硼表面处理,可以得到尺寸分布很窄的量子点,以满足量子点光电器件方面应用的要求。
- 邓宁黄文韬王燕罗广礼陈培毅李志坚
- 关键词：UHVCVDGE量子点
- SiGe HBT发射极台面湿法腐蚀技术研究
- 2003年
- 在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。
- 熊小义刘志农张伟付玉霞黄文韬刘志弘陈长春窦维治钱佩信
- 关键词：SIGEHBT湿法腐蚀异质结双极晶体管硅锗
- SiGe/Si外延与SiGe HBT微波单片放大电路研究
- SiGe HBT器件具有优异的性能,在许多领域特别是高速和微波领域具有广泛应用,市场迅速发展。SiGe HBT微波单片放大电路作为一种通用器件,具有结构简单、互换性强以及可以单片集成等优点而发展迅速。本论文在国内首先进行...
- 黄文韬
- 关键词：UHV/CVD应变弛豫电子辐照
- 基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管
- 用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,J<,p>(峰值电流)=1.589kA/cm<'2>,对应的低温(77K)脉冲测试数据为P...
- 熊晨荣王民生黄文韬陈培毅王燕罗广礼
- 关键词：势垒峰谷电流比共振隧穿二极管
- 多层Ge量子点的生长及其光学特性被引量：6
- 2003年
- 用超高真空化学气相淀积系统在Si(1 0 0 )衬底上生长了多层Ge量子点 .分别用TEM和AFM分析了埋层和最上层量子点的形貌和尺寸 ,研究了量子点层数和Si隔离层厚度对上层Ge量子点的形状和尺寸分布的影响 .观察到样品的低温PL谱线有明显蓝移 (87meV) ,Ge量子点的PL谱线的半高宽度 (FWHM )为 46meV 。
- 邓宁王吉林黄文韬陈培毅李志坚
- 关键词：PL谱
- 低应变SiGe/Si异质结构的应变弛豫与界面扩散
- 利用透射电子显微镜(TEM)和同步辐射X射线白光形貌术研究了低应变SiGe/Si异质结构应变弛豫和界面扩散。观察到SiGe外延层未发生应变弛豫,Si缓冲区和Si衬底中有颗粒状析出物。
- 马通达屠海令王敬陈长春黄文韬
- 关键词：透射电子显微镜
- 有弛豫缓冲层的SiGe HMOSFET材料
- 利用超高真空气相外延(UHV/CVD)设备SGE400生长了有弛豫缓冲层的Si<,1-x>Ge<,x>MOSFET材料.采用多种手段分析了材料的生长速率、生长质量.结果证明SGE400系统可以较好控制Ge的组分,并得到高...
- 黄文韬刘志农罗光礼陈培毅钱佩信
- 关键词：SIGE材料生长速率
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统
- 单片三腔式红外加热超高真空化学气相淀积外延系统属于超大规模集成电路薄膜外延生长和超晶格薄膜材料生长技术领域，除了高真空机组、气路装置、尾气处理装置、测温控温装置、加热电源、计算机控制装置以外，其特征在于，它含有：反应腔；...
- 钱佩信林惠旺梁聚宝刘荣华刘志弘白玉琦陈必贤黄文韬陈长春
- Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析被引量：3
- 2004年
- 为了研究失配应变的弛豫机理 ,利用高分辨电子显微镜 (HREM)对超高真空化学气相沉积 (U HVCVD) Si/Si Ge- OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察 .发现此多层结构中存在 6 0°位错和堆垛层错 .结合 Matthews和 Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对 6 0°位错组态的形成和存在原因进行了分析 .在具有帽层结构的 Si1 - x Gex 应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错 ,验证了
- 马通达屠海令邵贝羚陈长春黄文韬
- 关键词：失配位错
- UHV/CVD多晶锗硅及其电学特性
- 2004年
- 采用自行研制的超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,研究了在550°C下SiO2薄膜上多晶SiGe成核时间和生长速率与GeH4和B2H6流量的关系,以及不同温度下快速热退火对多晶SiGe电阻率的影响。实验结果表明,多晶SiGe成核时间随GeH4流量的增加而增加;在小的GeH4流量下,其生长速率随GeH4和B2H6流量的增加而增加,但比同等条件下单晶SiGe生长速率低;其电阻率随GeH4流量的增加而下降,随快速热退火温度的升高而下降。
- 黄文韬陈长春刘志农邓宁刘志弘陈培毅钱佩信
- 关键词：UHV/CVD快速热退火
