- 传输矩阵法和图解法计算二类超晶格能带结构被引量：1
- 2012年
- 采用传输矩阵法和图解法对InAs/GaSb二型超晶格的能带结构参数进行了理论计算,确定量子阱宽、垒宽、垒高、响应波长等参数。针对不同的结构,采用传输矩阵法和图解法得到不同的响应波长,与实际波长相比较,分析了两种算法的优劣之处。结果表明:采用传输矩阵法计算得到的子能带位置进而推算得到的响应波长与实际波长更吻合,而图解法由于本身的局限性,对超晶格结构中能带的计算会带来一定的偏差。
- 苗霈邓军史衍丽魏晓航罗绍军
- 关键词：传输矩阵法图解法
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器外延材料制备研究
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测器是近30年来迅速发展起来的一种半导体红外探测器,成熟的MOCVD、MBE等材料生长技术,使得它的能带结构可以任意剪裁,从而获得指定光响应谱,加之成熟的器件工艺,使得它在8～14μ长...
- 罗绍军
- 关键词：多量子阱红外探测器金属有机物化学气相沉积
