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严崐
作品数:
3
被引量:23
H指数:1
供职机构:
中山大学
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发文基金:
广东省科技计划工业攻关项目
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
季旭
中山大学
董美
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黄丰
中山大学
罗锻斌
中山大学物理科学与工程技术学院...
吴水珠
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一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤:S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片;S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层;S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰
季旭
董美
严崐
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毫秒有机聚合物薄膜全光开关
被引量:23
2004年
用聚甲基丙烯酸甲酯 (PMMA)和偶氮染料DR1以一定的比例混合 ,制成各向同性均匀薄膜样品。用经斩波器调制的线偏振氩离子激光 (5 14nm ,CW )作用样品产生光致双折射。作为探测光的线偏振氦氖激光 (6 33nm ,CW)经过样品 ,在与其原来偏振方向垂直的检偏器后的透射光强强度受控制光的调制作用 ,实现了光控光的全光开关效应。通过改变控制光的光功率及薄膜样品的温度 ,对样品的开关响应速度和开关调制深度进行了研究。在一定的实验条件下 ,用毫瓦量级的控制光功率实现了几个毫秒的开关响应速度和 6 0
罗锻斌
严崐
佘卫龙
吴水珠
关键词:
全光开关
调制深度
光纤通信
一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用
本发明公开了一种高电阻率单晶ZnO基辐射探测器件及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤:S1.制备高电阻率单晶ZnO晶片;S2.在高电阻率单晶ZnO晶片的双侧蒸镀金属电极层;S3.将步骤S2处理后的晶片结合到电路板...
黄丰
季旭
董美
严崐
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