林涛
- 作品数：103 被引量：69H指数：4
- 供职机构：西安理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学自动化与计算机技术更多>>
- 图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路
- 本发明公开了一种图像传感器像元输出非线性校正及加速读出电路，包括包括像素面阵中的感光像素中源随器M1、行选开关S1、Dummy像素中源随器M2、行选开关S2；列级校正加速电路中开关S3、S4、S5，运算放大器AMP，检流...
- 郭仲杰王彬许睿明程新齐刘绥阳林涛
- 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
- 一种低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法，包含下述步骤：利用MOCVD方法，在高的生长温度下，在衬底上生长缓冲层；将反应室温度降低至低的生长温度；以及减小通入反应室的反应源V/III比，保持掺杂源流量以及其它...
- 江李林涛韦欣王国宏马骁宇
- 文献传递
- 利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器及其制作方法
- 本发明公开了利用氧化锌量子阱混杂制作的半导体激光器，包括外延片，外延片上设置有条形发光区域，外延片的上表面生长有氧化锌薄膜层，氧化锌薄膜层分为两部分，其中第一部分氧化锌薄膜层诱导量子阱混杂后在激光器两端的出光腔面处形成非...
- 林涛 张浩卿孙航郭恩民 孙锐娟
- 文献传递
- 内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路
- 本发明公开了一种内置相关双采样的直接输入型红外传感器像素电路，包括红外探测二极管PD、注入开关S1、复位开关S2、控制开关S3、S4、S5、S6、行选开关S7、源随器SF以及采样电容C1、C2、C3，输入级电路输出端连接...
- 郭仲杰王彬许睿明刘绥阳林涛
- 一种进行金属化的背接触太阳能电池结构及制作方法
- 本发明公开了一种进行金属化的背接触太阳能电池结构及制作方法，包括：硅基体、设置在硅基体上端的前表面膜层结构、硅基体表面膜层结构、发射极区域膜层结构，硅基体下端的背表面设置硅基体表面膜层结构，硅基体表面膜层结构自上而下依次...
- 林涛张天杰刘大伟
- 单晶硅太阳电池防电势诱导衰减镀膜工艺分析被引量：4
- 2015年
- 电势诱导衰减(PID)能够导致光伏组件功率在较短时间内出现大幅衰退,而PID现象的产生主要和封装材料及太阳电池表面处理等方面有关。针对太阳电池片的镀膜工艺设计实验,测试并分析了正常工艺和防PID工艺制作的Si Nx减反射膜厚度、折射率、反射率、镀膜前后的少子寿命以及单晶硅成品电池片的电学特性。结果表明,相比标准工艺,虽然防PID工艺制作的单晶硅太阳电池具有较好的钝化效果,但在整个光谱相应范围减反射效果较差是导致转化效率较低的主要原因。电致发光测试表明,防PID工艺并没有给单晶硅太阳电池带来额外的缺陷,但是防PID工艺制作的太阳电池在组件应用时却具有抵抗PID现象及防止金属离子对电池产生破坏的能力。
- 马新尖林涛冯帅臣
- 关键词：光电子学SI单晶硅太阳电池
- 一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板
- 本发明公开了一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板，包括用来安装VCSEL芯片本体的电极A和电极B，VCSEL芯片本体安装在电极A上，VCSEL芯片本体上的芯片引线节点通过电流引线与电极B的表面连接。相比现有的技术，引线...
- 林涛张天杰
- 中间镜式半导体可饱和吸收镜在Nd:YVO_4激光器中被动调Q特性研究被引量：1
- 2007年
- 利用一种新型的中间镜式半导体可饱和吸收镜,成功实现了二极管泵浦Nd∶YVO4激光器调Q运转,获得的最短脉冲宽度为8.3ns,最大平均输出功率为135mW,重复频率在400KHz到2MHz之间.利用这种吸收体被动调Q得到的重复频率大大高于所知的大多数吸收体所进行的被动调Q的重复频率.
- 王勇刚彭继迎檀慧明钱龙生柴路张志刚王清月林涛马骁宇
- 关键词：ND:YVO4激光器被动调Q
- 基于双偏振双平行马赫曾德尔调制器的可重构滤波器
- 一种基于双偏振双平行马赫曾德尔调制器的可重构滤波器及其应用，该可重构滤波器包括：一窄线宽激光器，用于提供光源；一第一偏振控制器，其与窄线宽激光器的输出端连接；一双偏振双平行马赫曾德尔调制器，其与第一偏振控制器的输出端相连...
- 林涛张志珂刘建国赵尚弘
- 文献传递
- 应用于CMOS图像传感器的斜坡信号校正电路
- 本发明公开了一种应用于CMOS图像传感器的斜坡信号校正电路，包括斜坡信号发生器，斜坡信号发生器的一侧输入端分别接基准电压V<Sub>REF</Sub>和积分电流I<Sub>REF</Sub>，斜坡信号发生器的另一侧输入端...
- 郭仲杰许睿明刘绥阳余宁梅林涛
