杨卫桥
- 作品数：72 被引量：98H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术发展基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程一般工业技术更多>>
- 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
- 一种铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法，其特点是采用碳酸锂(Li<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>)和氧化铝(Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>)或氧化镓(Ga<Sub>2</Sub>O<...
- 徐军杨卫桥周圣明彭观良司继良李红军周国清
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- γ－LiAlO<Sub>2</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>柔性衬底材料及其制备方法
- 一种适合于高质量GaN外延生长的γ－LiAlO<Sub>2</Sub>/α－Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>柔性衬底材料及其制备方法，该柔性衬底材料是在白宝石α－Al<Sub>2</Sub>O<Su...
- 徐军彭观良周圣明杨卫桥王海丽周国清杭寅赵广军李红军吴锋王静雅司继良蒋成勇宋词
- 文献传递
- 金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法
- 一种金属有机化学气相沉积生长m面或a面ZnO薄膜的方法，其特征在于：将(100)面或(302)面的γ-LiAlO<Sub>2</Sub>单晶衬底置于低压-金属有机化学气相沉积系统的载物台上，采用二乙基锌作为锌源，高纯氧作...
- 林辉周圣明顾书林张荣杨卫桥
- 文献传递
- 适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法
- 一种适用于InN－GaN外延生长的复合衬底材料及其制备方法，该复合衬底材料是在MgO单晶上设有一层MgIn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>构成。该复合衬底材料的制备方法是：在铂金坩埚内，放置有带气孔的M...
- 周圣明徐军王海丽杨卫桥李抒智彭观良周国清宋词杭寅蒋成勇赵广军司继良
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- 稀土硫代氧化物晶体的生长方法
- 一种稀土硫代氧化物晶体的生长方法，是采用助熔剂并利用温度梯度炉生长晶体的方法，包括籽晶制备、料块压制和温度梯度法生长晶体步骤。该方法可以获得厘米量级，高质量的稀土硫代氧化物(Re<Sub>2</Sub>O<Sub>2</...
- 苏良碧徐军张连翰杨卫桥周国清董永军赵志伟赵广军
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- 色心蓝宝石衬底的制备方法
- 蒋成勇徐军周圣明杨卫桥周国清王银珍彭观良邹军刘士良张俊计邓佩珍
- 该项目通过辐照使蓝宝石衬底划片处产生较高浓度的F类色心，有利于划片时提高划痕质量和划片效率；此外辐照过程可以多个样品同时进行，有利于大批量生产。
- 关键词：
- 关键词：中子辐照划片
- 用MOCVD法在LiGaO_2(001)上生长GaN的研究被引量：2
- 2003年
- LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.
- 杨卫桥干福熹邓佩珍徐军李抒智张荣
- 关键词：GANMOCVD法半导体材料氮化镓
- ZnAl2O4／α-Al2O3复合衬底材料的制备方法
- 2004年
- 徐军王海丽周圣明杨卫桥
- 关键词：ZNAL2O4Α-AL2O3电阻炉
- γ-LiAlO2／α-Al2O3复合衬底材料的制备方法
- 2004年
- 徐军王海丽周圣明杨卫桥
- 关键词：Α-AL2O3热电偶电阻炉
- 温梯法生长CaF_2晶体中包裹物的研究被引量：3
- 2004年
- 本文对温度梯度法生长的氟化钙(CaF2)晶体中的包裹物进行了研究,用光学显微镜和SEM观察了包裹物的形貌,对晶体中的包裹物和透明部分作了微区EDX成分分析,对包裹物所含的杂质进行了解释,提出了减小或消除包裹物的措施。分析结果表明:包裹物的主要成分是碳和氧,碳来源于石墨坩埚和石墨发热体,而杂质氧则来源于原料中的含氧化合物和生长过程气氛中氧的进入。
- 董永军周国清苏良碧杨卫桥徐军
- 关键词：包裹物温度梯度法氟化钙光学显微镜
