吴小利
- 作品数：36 被引量：42H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程青年人才领域前沿项目国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 利用LBIC技术对InGaAs平面结器件结区特性的研究
- 室温铟镓砷(InGaAs)焦平面技术在航天工业上的应用越来越广泛,铟镓砷(InGaAs)焦平面列阵中探测器的尺寸正不断减小,这使得常规工艺形成的光伏探测器,其有效光敏元面积扩大的问题越来越突出。
本文利用激光诱...
- 张可锋吴小利唐恒敬乔辉贾嘉李雪龚海梅
- 关键词：红外探测焦平面列阵
- 文献传递
- 128×1线列InGaAs短波红外焦平面的研究被引量：14
- 2006年
- 报道了用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过干法刻蚀和湿法腐蚀相结合制作台面、硫化和聚酰亚胺钝化、电极生长等工艺,制备了128×1台面正照射InGaAs探测器阵列.测试了器件的变温I-V、响应光谱和探测率,在278K时平均峰值探测率为1.03×1012cmHz1/2W-1.实现了128元InGaAs探测器阵列与CTIA结构L128读出电路相互连,经封装后,在室温(291K)时成功测出128元响应信号.焦平面响应的不均匀性为18.3%,并对不均匀性产生的原因进行了分析.
- 吕衍秋徐运华韩冰孔令才亢勇庄春泉吴小利张永刚龚海梅
- 关键词：探测器焦平面INGAAS钝化
- InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片
- 本发明公开了一种InGaAs低台面线列或面阵红外探测器芯片，包括：在p－InP/InGaAs/n－InP外延片上通过刻蚀形成线列或面阵p－InP微台面。在p－InP微台面上置有与其欧姆接触的Au/Zn/Pt/Au/P电极...
- 唐恒敬吴小利张可锋汪洋刘向阳李永富吴家荣李雪龚海梅
- 文献传递
- ZnS／聚酰亚胺双层钝化InGaAs台面线列探测器的研究
- InGaAs探测器由于在短波红外波段可以室温工作,并且探测率高于HgCdTe,在国外已经用于卫星遥感。InGaAs线列和面阵焦平面多采用背照射Zn扩散平面结探测器,但是存在扩散工艺复杂和光敏面扩大等问题。InGaAs台面...
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- 关键词：INGAAS线列探测器聚酰亚胺ZNS
- 文献传递
- p^+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结结构的微波反射光电导衰减法表征及机理分析
- 2007年
- 采用微波反射光电导衰减法测量了p+-InP/n-InGaAs/n-InP双异质结材料的非平衡载流子寿命分布,通过对非平衡载流子浓度在p+n结中衰减过程的分析,建立了在此结构材料中微波反射光电导衰退法测试少子寿命与器件参数之间的联系,并且解释了寿命测试值随温度降低而减小的反常行为.
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- 关键词：铟镓砷双异质结
- Ar^+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面损伤及消除被引量：4
- 2007年
- 研究了Ar+刻蚀对InGaAs,n-InP和p-InP表面的损伤,并用湿法腐蚀后处理消除损伤.Ar+刻蚀后InGaAs表面均方根粗糙度较小,而n-InP和p-InP表面明显变粗糙.刻蚀后InGaAsPL强度增加,而n-InP和p-InPPL强度都减小.用XPS分析了未刻蚀、Ar+刻蚀和湿法腐蚀后处理三种情况下样品表面原子含量.刻蚀后InGaAs表面In和Ga含量明显增加,n-InP和p-InP表面有严重P缺失.湿法腐蚀后,样品表面原子含量和未刻蚀前基本一致.
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- 关键词：INGAASINP湿法腐蚀
- 正、背照InGaAs探测器的性能对比研究
- 为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延（MBE）方法生长的掺杂 InGaAs 吸收层 PIN InP/InGaAs/InP 双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面...
- 唐恒敬吕衍秋吴小利张可锋徐勤飞李雪龚海梅
- 关键词：探测器INGAAS探测率钝化
- 文献传递
- LBIC技术研究InGaAs线列探测器串音及光敏感区被引量：5
- 2007年
- 利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。用分子束外延方法生长掺杂InGaAs的PIN InP/InGaAs/InP外延材料,制备了256×1正照射台面InGaAs线列探测器。测试结果表明,InGaAs线列探测器相邻探测器间没有串音,虽然台面结构周围吸收层已被腐蚀,但因为少数载流子的侧向收集,扩大了有效光敏感区。
- 吕衍秋乔辉韩冰唐恒敬吴小利李雪龚海梅
- 关键词：INGAAS探测器串音
- 平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法
- 本发明公开了一种平面型铟镓砷红外焦平面器件，包括：在外延片上通过Zn扩散形成平面型pn结，其特征是：在Zn扩散区域上方周围有一加厚Cr/Au环形电极，通过Au层对入射光的反射来实现光敏元区的限定。由于加厚电极的形状由光刻...
- 吴小利唐恒敬张可峰李雪龚海梅
- 文献传递
- 正照射与背照射InGaAs探测器的性能对比研究被引量：2
- 2007年
- 首先介绍了InGaAs台面探测器的研究进展,然后为了验证利用台面结制作背照射器件的可行性,利用分子束外延(MBE)方法生长的掺杂InGaAs吸收层PIN InP/InGaAs/InP双异质结外延材料,通过台面制作、钝化、电极生长、背面抛光等工艺,制备了8元台面InGaAs探测器,并测试了正照射和背照射时,器件的I-V、信号和响应光谱。测试结果表明,正照射和背照射情况下,器件的响应信号差别不大,正照射下器件的平均峰值探测率为4.1×1011cm.Hz1/2.W-1,背照射下器件的平均峰值探测率为4.0×1011cm.Hz1/2.W-1,但背照射情况下器件的响应光谱在短波方向有更好的截止。
- 唐恒敬吕衍秋吴小利张可锋李雪龚海梅
- 关键词：探测器INGAAS探测率钝化
