乔忠良
- 作品数：111 被引量：139H指数：6
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金高功率半导体激光国家重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>
- InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究被引量：2
- 2014年
- 利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW),通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明,当生长温度为600℃、生长速率为1.15μm/h时,生长的量子阱PL谱较好,增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下,生长速率对量子阱质量的影响,利用模型解释了高In气相比时,随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
- 戴银李林苑汇帛乔忠良孔令沂谷雷刘洋李特曲轶刘国军
- 关键词：金属有机化学气相沉积生长速率生长温度
- 一种采用双金属片控制的太阳能跟踪器开关技术
- 本发明是关于一种采用灵敏温变的双金属片实现太阳能跟踪器开关的技术，这种开关技术不同于常用的光敏电阻开关，在稳定性、可靠性和机械结构上具有优点。此开关技术可以应用于太阳能跟踪器的自动控制中，提高太阳能利用率，降低太阳能损耗...
- 李占国刘国军邵成斌尤明慧李林李梅乔忠良邓昀王勇高欣薄报学
- 文献传递
- 基于Al_xN_y绝缘介质膜的新型窗口大功率半导体激光器被引量：4
- 2009年
- 提升半导体激光器的腔面抗光学灾变(COD)损伤的能力,改善半导体激光器的工作特性,一直是大功率半导体激光器器件工艺研究的难点。基于薄膜应力使基底半导体材料带隙变化的原理,采用直流磁控溅射方法在不同条件下溅射生成不同内应力的Al_xN_y绝缘介质膜。通过研究大功率半导体激光器腔面退化机理,借助Al_xN_y等应力膜设计制作了一种新型非吸收透明窗口结构的宽条形半导体激光器,使器件平均最大输出功率提高46.5%。垂直发散角达到21°,水平发散角达到6.1°,2000 h加速老化试验,其千小时退化速率小于0.091%。
- 乔忠良薄报学么艳平高欣张晶王玉霞刘春玲卢鹏李辉曲轶
- 关键词：激光器高功率半导体激光器ALN应力
- 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法
- 一种改善砷化镓基半导体激光器腔面稳定性的方法，属于激光技术领域。该领域已知技术难以有效改善砷化镓基半导体激光器的腔面稳定性，使砷化镓基半导体激光器的性能受到很大限制。本发明依次采用氩气、氢气、氧气、氮气或其混合气体的等离...
- 徐雨萌薄报学高欣乔忠良张晶李辉
- 文献传递
- 基于单发光区芯片的大功率光纤耦合激光器的输出远场特征分析被引量：4
- 2017年
- 为研究光纤耦合激光器的输出远场特征,基于ZEMAX光学设计软件,模拟了基于单发光区激光器芯片的多种光纤耦合结构,分析了不同耦合结构的输出远场特征。模拟结果表明:单管耦合输出远场分布通常为中间亮、边缘暗的圆形光斑。当准直后的光束快慢轴光束尺寸基本一致时,远场输出光斑均匀性会得到极大改善;当存在光纤轴心角向误差(大于1°)时,远场输出光斑的均匀性会明显降低。多单管耦合时,单管之间的台阶高度若大于准直后的快轴光斑尺寸,则对应的远场输出为有暗区的同心圆环,单管的数量对应圆环的数量。为了提高输出远场分布的均匀度,应严格控制合束单管之间的台阶高度。
- 夏晓宇高欣许留洋曹曦文乔忠良王宪涛薄报学
- 关键词：ZEMAX光纤耦合远场特性
- 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法
- 一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，属于半导体光电子器件工艺技术领域。该领域已知技术难以大幅度提高输出功率，同时使器件的可靠性保持在较高的水平。本发明之一种基于ZnO薄膜钝化半导体激光器腔面的方法，可有效提高输...
- 薄报学周路王云华许留洋高欣乔忠良
- 文献传递
- 高亮度大功率宽条形半导体激光器腔面氮氢钝化研究被引量：4
- 2013年
- 提升宽条形半导体激光器腔面抗光学灾变(COD)能力,改善宽条形半导体激光器的输出工作特性,一直是高亮度大功率宽条形半导体激光器器件工艺研究的核心。基于氮氢混合气体的等离子体反应钝化原理,通过AlN高效导热薄膜作为腔面钝化保护层,实现器件最大输出功率提高达66.7%;连续电流工作时,3.5W功率输出的情况下,其千小时退化率小于0.73%。
- 乔忠良张晶芦鹏李辉李特李林高欣曲轶刘国军薄报学
- 关键词：光电子学ALN
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器
- 一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器属于半导体光电子器件技术领域。该领域已知条形半导体激光器不足之处是输出光束发散角大、发光亮度低等缺点，限制了此类器件在相关领域中的应用。本发明之一种带有模式滤波器的高亮度条形半导...
- 乔忠良薄报学张斯玉高欣曲轶芦鹏李占国李辉刘国军李梅王玉霞
- 文献传递
- GaAs表面硫钝化工艺新研究被引量：6
- 2012年
- 为得到GaAs表面稳定的钝化层,以(NH4)2S为主要对象,首先研究不同溶剂对钝化效果的影响,得出溶液极性越小,钝化效果越好的结论;研制出一种新的钝化溶液:Se+(NH4)2S+叔丁醇。通过光致发光(PL)谱对比(NH4)2S+去离子水、(NH4)S2+异丙醇、(NH4)2S+叔丁醇、Se+(NH4)2S+叔丁醇等几种不同含硫溶液钝化GaAs(100)表面的发光特性。通过测试PL发光谱发现,Se+(NH4)2S+叔丁醇溶液处理的GaAs(100)表面发光强度最强,是未做钝化处理的25倍左右。钝化处理后的基片在空气中放置数小时,PL谱未见明显退化。得出Se+(NH4)2S+叔丁醇不论从发光强度还是稳定性来说,都是较为理想的钝化溶液。
- 周路王云华贾宝山白端元乔忠良高欣薄报学
- 关键词：砷化镓钝化光致发光
- 基于无杂质空位混杂法制备带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器研究被引量：10
- 2012年
- 为提高940nm半导体激光器抗灾变性光学损伤(COD)能力,采用无杂质空位量子阱混杂技术制备了带有无吸收窗口的940nm GaInP/GaAsP/GaInAs半导体激光器。借助光致发光光谱分析了退火温度和介质膜厚度对GaInP/GaAsP/GaInAs单量子阱混杂的影响;通过电化学电容-电压(EC-V)方法检测了经高温退火后激光器外延片的掺杂浓度分布的变化情况。实验发现,在875℃快速热退火条件下,带有磁控溅射法制备的200nm厚的SiO2盖层样品发生蓝移达29.8nm,而电子束蒸发法制备的200nm厚TiO2样品在相同退火条件下蓝移量仅为4.3nm。两种方法分别对蓝移起到很好的促进和抑制作用。将优化后的条件用于带有窗口结构的激光器器件制备,其抗COD能力提高了1.6倍。
- 周路薄报学王云华贾宝山白端元乔忠良高欣
- 关键词：激光器量子阱混杂
