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尔必达存储器株式会社

作品数：274 被引量：0H指数：0
相关机构：日立制作所东京毅力科创株式会社日本电气株式会社更多>>
相关领域：文化科学一般工业技术电子电信更多>>

合作机构

文献类型

  • 274篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 142篇半导体
  • 72篇半导体器件
  • 50篇电路
  • 49篇存储器
  • 37篇芯片
  • 25篇半导体装置
  • 24篇时钟
  • 23篇存储装置
  • 21篇绝缘膜
  • 18篇相变材料
  • 17篇时钟信号
  • 16篇电极
  • 16篇刷新
  • 16篇控制信号
  • 16篇记录层
  • 15篇布线
  • 14篇电压
  • 14篇信号
  • 13篇相变
  • 12篇放大器

机构

  • 274篇尔必达存储器...
  • 19篇日立制作所
  • 10篇东京毅力科创...
  • 4篇日本电气株式...
  • 3篇日立超大规模...
  • 2篇株式会社瑞萨...
  • 1篇NEC凸版电...

年份

  • 8篇2013
  • 19篇2012
  • 14篇2011
  • 27篇2010
  • 31篇2009
  • 41篇2008
  • 45篇2007
  • 33篇2006
  • 28篇2005
  • 22篇2004
  • 6篇2003
共 274 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
锁存电路和包括该电路的同步存储器
一种具有对应于和外部输出信号同步的两个内部时钟信号的锁存电路的两个锁存系统。该内部时钟信号和外部时钟信号的上升沿同步，并被产生为具有对应于外部时钟信号外部时钟频率1/2的频率的单触发脉冲。
藤泽宏树
包括层叠电容器的半导体器件
一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电容器的电容。
星野晶
存储系统和数据传输方法
通过减少由于在存储控制器和存储模块之间的不同布线中的分支和阻抗不匹配所引起的反射信号等的影响以及由于存储模块中的数据、命令/地址和时钟的传输延迟引起的影响，可以实现高速操作的存储系统。为此，存储系统包括存储控制器和安装了...
松井义德
制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法
本发明公开了一种制造具有不同厚度氧化膜的半导体器件的方法，该方法包括：在衬底(301)上形成第一栅氧化膜(302)后，通过第一氧氮化工艺形成氮化层(303)。从衬底的薄膜部区上有选择地除去第一栅氧化膜。第二栅氧化膜形成工...
神田隆行
存储器模块
在存储器模块中，排列多个半导体存储器插件并安装在模块基板上，并且将控制半导体插件配置在半导体存储器插件的排列的中央部、且安装在模块基板上。相对于半导体存储器插件的排列方向非热连接地设置有：与控制半导体插件热连接的控制半导...
柴本正训久野奈柄
非易失存储元件及其制造方法
非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的上电极17以及包含相变材料并且连接在下电极12和上电极17之间的记录层18。根据本发明，上电极17与记录层18的初始生长表面18a接触。该结构可以通过在记录层18之前...
浅野勇泰勒·A·劳里
非易失存储元件及其制造方法
非易失存储元件，包含：下电极12、设置在下电极12上的位线14以及包含相变材料并且连接在下电极12和位线14之间的记录层15。根据本发明，位线14与记录层15的初始生长表面15a接触。该结构可以通过在记录层15之前形成位...
浅野勇泰勒·A·劳里
半导体装置
本发明的目的在于提供一种高速且低成本的信息处理系统，能够确保存储容量的扩展性，且使用性良好。构成含有信息处理装置、易失性存储器及非易失性存储器的信息处理系统。信息处理装置、易失性存储器及非易失性存储器串联连接，通过减少连...
三浦誓士原口嘉典阿部和彦金子昭二
半导体存储器件
在半导体存储器件中，所述半导体存储器件包括：共享的读出放大器部分；在共享的读出放大器部分相对侧设置的存储单元部分对；在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间的传输门对；和构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享...
延时知子太田贤
半导体存储器件
在半导体存储器件中，所述半导体存储器件包括：共享的读出放大器部分；在共享的读出放大器部分相对侧设置的存储单元部分对；在存储单元部分对和共享的读出放大器部分之间的传输门对；和构成多个位线对的位线，所述位线通过传输门对将共享...
延时知子太田贤
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