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上海卓弘微系统科技有限公司
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上海北京大学微电子研究院
上海芯哲微电子科技股份有限公司
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化学工程
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上海北京大学微电子研究院
上海芯哲微电子科技股份有限公司
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一种改进型的双基岛封装结构
本发明提供了一种改进型的双基岛封装结构,包括塑封体、外引脚、一个通过散热材质外露的基岛,一个不外露的基岛,两个芯片。本发明解决了传统双基岛封装结构存在的散热问题,同时解决了单基岛封装结构性能不佳和集成度低的问题。本发明使...
陆宇
一种提高横向耐压的大功率埋层结构
本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构,其中主要包括埋层结构,埋氧层在源端和漏端成U型。利用U型埋氧层在大的漏端电压时正电荷不易被抽走提高击穿电压;源端U型介质埋氧层在漏端电压较大时保证击穿不会发生在p阱和漂移...
陆宇
沈立
周润宝
沈金龙
程玉华
文献传递
一种金属连线寄生电容的分离方法
本发明提出了一种金属层间层内电容的分离方法,以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括:测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容,测量金属结构combmeander的层内电容,测量平行金属板结构和...
沈立
文献传递
衬底掏空的层叠电感结构及其实现方法
本发明是关于一种优化的衬底掏空的层叠电感结构,具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括:多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间,其互连结构通过插塞采用多层金属...
沈立
陆宇
周润宝
沈金龙
程玉华
文献传递
一种可以有效提高器件击穿特性的LDMOS结构
本发明公开了DMOS结构及其制造方法,以提高击穿电压,其中该DMOS结构,涉及半导体600V BCD工艺中的高压器件领域,具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构,此结构在不改变器件尺寸,对导通电阻及饱和电流影响较小的...
沈立
文献传递
一种用于减小自加热效应的高压结构及其制造方法
一种用于减小自加热效应的SOI高压结构,本发明公开了该结构的原理示意图及其制造方法,以减弱SOI高压结构中埋层存在的自加热效应。其中该结构,包括通常的传统的SOI高压结构以及由新材料以不同于传统埋层结构的新型埋层。该材料...
陆宇
沈立
周润宝
沈金龙
程玉华
文献传递
高压MOS功率器件终端特性仿真等效模型
本发明对于高压深Trench的MOS器件终端仿真,提出一种等效仿真模型(图1)。其特点是:由与原终端Trench等距等宽度的PN结组成,并且各部分参杂种类和浓度相同,可以大致模拟出原终端横向的崩溃电压。其好处在于:能较快...
沈立
文献传递
一种晶体管参数化模块单元
本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元,以提高绘制版图的效率,改善版图的稳定性,其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元,由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
沈立
文献传递
一种封装防溢保护方法
本发明提供了一种QFN封装防溢保护方法。塑封时,当塑料填充物流到防溢保护膜下边沿处的激光监测点处时,停止塑料填充物的填充,保证引脚金属完整地裸露在外面。可以改变防溢保护膜相对于引脚框架的外延长度以及激光监测点的位置,实现...
陆宇
文献传递
晶体管参数化模块单元
本发明提供了大尺寸匹配晶体管参数化模块单元,以提高绘制版图的效率,改善版图的稳定性,其中所述的带参数的大尺寸匹配晶体管模块单元,由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。所述模块单元可以随时调整它的栅面积,根据实际版图允许面积...
沈立
陆宇
周润宝
沈金龙
程玉华
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