国家自然科学基金(10974075)
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 相关作者：王绩伟吴春瑜刘兴辉王振世张俊松更多>>
- 相关机构：辽宁大学北京美新华微电子技术有限公司中原工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省科技厅自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET输运特性的影响
- 2013年
- 碳纳米管场效应晶体管电子输运性质是其结构参量(纵向结构参量:如CNT的直径、栅介质层厚度、介质介电常数等;横向结构参量:如沟道长度、源/漏区掺杂浓度等)的复杂函数。本论文在量子力学非平衡格林函数理论框架内,通过自洽求解泊松方程和薛定谔方程以得到MOS-CNTFET电子输运特性。在此基础上系统地研究了沟道长度及源/漏区掺杂浓度对MOS-CNTFET器件的漏极导通电流、关态泄漏电流、开关态电流比、阈值电压、亚阈值摆幅及双极性传导等输运性质的影响。结果表明:当沟道长度在15 nm以上时,上述各性质受沟道长度的影响均较小,而导通电流、开关态电流比及双极性传导特性与源/漏掺杂浓度的大小有关,开关态电流比与掺杂浓度正相关,导通电流及双极性导电特性与源/漏掺杂浓度负相关。当沟道长度小于15 nm时,随沟道长度减小,漏极导通电流呈增加趋势,但同时导致器件阈值电压及开关电流比减小,关态漏电流及亚阈值摆幅增大且双极性传导现象严重,短沟道效应增强,此时,通过适当降低源/漏掺杂区掺杂浓度,可一定程度地减弱MOS-CNTFET器件短沟道效应。
- 刘兴辉李玉魁陆妍林雨佳李宇王绩伟李松杰
- 关键词：非平衡格林函数输运特性短沟道效应
- 由C＋＋到Verilog实现数字逻辑设计的方法
- 2011年
- 通过介绍C++语言配合VerilogHDL来进行数字逻辑设计的模式,提出了一种由C++到Verilog来实现逻辑设计的崭新方法此方法从系统设计(虚拟机)入手,用C++来搭建所需要的系统模型,再由Verilog与C++的一致性转化,将软件设计精确地转化到硬件级上,使得逻辑设计向上可进行软硬件的联合仿真,向下能够实现物理级延伸通过该方法可有效地避免SOC设计中从系统到物理实现在转化过程中产生的逻辑不一致在简叙C++的语言特性后,将Verilog与C++进行了对比分析,给出了两种语言之间进行转化设计的实现方式结合数字信号处理器的设计,对此方法进行了设计应用,最终通过比对C++与Verilog两者的仿真数据文件。
- 孟祥鹤吕楠韩路吴春瑜王绩伟梁洁
- 关键词：C++语言VERILOG硬件描述语言系统模型
- 低失调二阶曲率补偿的带隙电压基准源设计被引量：1
- 2012年
- 基于斩波运算放大器的曲率补偿CMOS带隙电压基准源电路,采用了折叠式的一阶放大器,较二阶结构线路简单,功耗低,版图面积小,并能很好地满足增益要求.采用二阶电流补偿进行曲率补偿,使带隙电压基准源能达到更好的温度系数,且系统稳定.应用0.5μm CMOS Spice模型进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真,输出电压为1.17V,在-20℃至120℃温度下,温度系数为4.7ppm/℃.该基准电压可根据工艺和内部电阻元件选取的不同获得不同电压值,其温度范围能够满足实际工作环境的需要.
- 宋宇吴春瑜王绩伟
- 关键词：斩波技术失调电压曲率补偿
- 基于智能卡标准的循环冗余校验码的研究与实现
- 2011年
- 分析了国内外智能卡应用中CRC校验方法的异同,深入研究了智能卡标准及CRC生成多项式,并把CRC的两种计算类型融合在一起,结合智能卡标准中CRC校验的特点提出了一种新的CRC计算模块的硬件实现方法.根据此方法完成了一种CRC计算模块的硬件设计,对设计进行了RTL仿真验证,通过了FPGA验证,并实施了投片.该芯片已经通过流片测试,结果表明模块功能和性能达到设计指标,性能良好.
- 许全胜吴春瑜张文婧王绩伟
- 关键词：循环冗余校验码硬件设计
- 基于非平衡Green函数理论的峰值掺杂-低掺杂漏结构碳纳米管场效应晶体管输运研究被引量：3
- 2012年
- 为改善碳纳米管场效应晶体管的性能,将一种峰值掺杂-低掺杂漏(HALO-LDD)掺杂结构引入碳纳米管沟道.在量子力学非平衡Green函数理论框架内,通过自洽求解Poisson方程和Schr(o|¨)dinger方程,构建了适用于非均匀掺杂的碳纳米管场效应管的输运模型,该模型可实现场效应晶体管的输运性质与碳纳米管手性指数的对接.利用该模型研究了单HALO双LDD掺杂结构对碳纳米管场效应晶体管输运特性的影响.对比分析表明,这种非均匀掺杂结构的场效应管同本征碳纳米管沟道场效应晶体管相比,具有更低的泄漏电流、更大的电流开关比、更小的亚阈区栅电压摆幅,表明其具有更好的栅控能力;具有更小的漏源电导,更适合应用于模拟集成电路中;具有更小的阈值电压漂移,表明更能抑制短沟道效应.同本征沟道碳纳米管场效应晶体管相比,这种非均匀掺杂碳纳米管场效应晶体管在沟道区靠近源端位置,电场强度增大,有利于增大电子的传输速率;在沟道区靠近漏端位置,电场强度减小,更有利于抑制热电子效应.
- 刘兴辉张俊松王绩伟敖强王震马迎李新王振世王瑞玉
- 关键词：碳纳米管场效应晶体管短沟道效应热电子
- 基于迟滞比较器的过热保护电路设计被引量：1
- 2012年
- 为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5～7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。
- 苏长江吴春瑜王绩伟温绍琨
- 关键词：CMOS迟滞比较器过热保护热振荡
