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国家自然科学基金(50371022)

作品数：2 被引量：6H指数：2
相关作者：刘超赵连城蔡伟吴冶高来勖更多>>
相关机构：哈尔滨工业大学黑龙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 2篇形状记忆
  • 2篇溅射
  • 2篇NI-MN-...
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇铁磁
  • 1篇铁磁性
  • 1篇NI
  • 1篇AR
  • 1篇GA
  • 1篇MN
  • 1篇磁性

机构

  • 2篇哈尔滨工业大...
  • 1篇黑龙江大学

作者

  • 2篇蔡伟
  • 2篇赵连城
  • 2篇刘超
  • 1篇吴冶
  • 1篇高智勇
  • 1篇安旭
  • 1篇高来勖

传媒

  • 2篇功能材料

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Ar工作压强对磁控溅射Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆薄膜成分的影响被引量：2
2006年
采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜。试验结果表明,Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响。Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势。随Ar工作压强的升高,薄膜的e/a值逐渐增大,薄膜的相变温度逐渐升高,室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜。
刘超安旭高来勖高智勇蔡伟赵连城
关键词：NI-MN-GA形状记忆铁磁性
磁控溅射Ni-Mn-Ga磁驱动记忆薄膜的组织结构与成分研究被引量：5
2005年
利用射频磁控溅射技术成功地在Si衬底上沉积Ni Mn Ga 薄膜,并采用XRD、SEM、AFM 及EMPA系统研究Ni Mn Ga薄膜的晶体学结构、断面形貌、表面形貌、成分及其影响规律。结果表明,经823K退火1h Ni Mn Ga薄膜完全晶化,室温下呈L21型体心立方结构;断面形貌揭示Ni Mn Ga 薄膜呈柱状结构。Ni Mn Ga薄膜的表面粗糙度随溅射功率和溅射时间的增加而增大;Ni Mn Ga薄膜中Ga的含量受溅射功率影响较大, Ni 的含量受溅射时间影响较大。
刘超吴冶蔡伟赵连城
关键词：形状记忆
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