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上海市科学技术委员会科研基金(13520500200)

作品数：3 被引量：7H指数：3
相关作者：张建华李喜峰许云龙更多>>
相关机构：上海大学更多>>
发文基金：上海市科学技术委员会科研基金国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇溶胶
  • 3篇溶胶凝胶
  • 3篇溶胶凝胶法
  • 3篇溶胶凝胶法制...
  • 3篇凝胶法制备
  • 3篇晶体管
  • 3篇薄膜晶体
  • 3篇薄膜晶体管
  • 2篇迁移率
  • 1篇氧化铪
  • 1篇溶液法
  • 1篇迁移
  • 1篇铟锡氧化物
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇铟
  • 1篇铪
  • 1篇锆
  • 1篇AL2O3
  • 1篇HFO

机构

  • 3篇上海大学

作者

  • 3篇李喜峰
  • 3篇张建华
  • 1篇许云龙

传媒

  • 2篇物理学报
  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
溶胶凝胶法制备高性能锆铝氧化物作为绝缘层的薄膜晶体管被引量：3
2014年
本文采用溶胶凝胶法制备了锆掺杂铝氧化物(锆铝氧化物)和铪铟锌氧化物薄膜,并用于制造薄膜晶体管的绝缘层和有源层.锆铝氧化物绝缘层具有较高的介电常数,其相对介电常数为19.67,且薄膜表面光滑,致密,其表面粗糙度仅为0.31 nm.获得的薄膜晶体管具备良好的器件性能,当器件宽长比为5时,器件的饱和迁移率为21.3 cm2/V·s,阈值电压为0.3 V,开关比可以达到4.3×107,亚阈值摆幅仅有0.32 V/dec.
高娅娜李喜峰张建华
关键词：薄膜晶体管迁移率
溶胶凝胶法制备以Al_2O_3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管被引量：3
2016年
利用溶液法制备了以HfSiOx为绝缘层、HfInZnO为有源层、Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件。HfSiOx薄膜经Al_2O_3薄膜修饰后,薄膜表面粗糙度从0.24nm降低至0.16nm。Al2O3薄膜与HfSiOx薄膜之间的界面接触良好,以Al_2O_3为界面修饰层的TFT器件整体性能得到提升,具体表现为:栅极电压正向和反向扫描过程中产生的阈值电压漂移显著减小,器件的阈值电压和亚阈值摆幅降低,迁移率与开关比增大。研究证明,溶液法制备Al_2O_3薄膜适合作为改善器件性能的界面修饰层。
高娅娜许云龙张建华李喜峰
关键词：溶液法薄膜晶体管
溶胶凝胶法制备以HfO_2为绝缘层和ZITO为有源层的高迁移率薄膜晶体管被引量：3
2015年
采用溶胶凝胶法制备了h-k氧化铪HfO2薄膜,经500?C退火后,获得了高透过率、表面光滑、低漏电流和相对高介电常数的HfO2薄膜.并采用氧化铪作为绝缘层和锌铟锡氧化物作为有源层成功地制备了底栅顶接触结构薄膜晶体管器件.获得的薄膜晶体管器件的饱和迁移率大于100 cm2·V1·s1,阈值电压为-0.5V,开关比为5×106,亚阈值摆幅为105 m V/decade.表明采用溶胶凝胶制备的薄膜晶体管具备高的迁移率,其迁移率接近低温多晶硅薄膜晶体管的迁移率.
朱乐永高娅娜张建华李喜峰
关键词：薄膜晶体管氧化铪场效应迁移率
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