教育部科学技术研究重点项目(106142)
- 作品数：3 被引量：9H指数：1
- 相关作者：魏进家方嘉宾袁敏哲马爱香王艺更多>>
- 相关机构：西安交通大学哈尔滨工业大学中国石油大学（北京）更多>>
- 发文基金：教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：化学工程动力工程及工程热物理更多>>
- 自然循环回路内芯片的强化沸腾换热研究
- 2007年
- 针对电子器件的高效冷却问题,对自然循环回路系统内表面加工有方柱形微结构的硅片上FC-72的强化沸腾换热性能进行了实验研究。测试了两个芯片,其表面上的方柱形微结构的边长均为30μm,但高度分别为60μm和200μm。沸腾介质的过冷度设为10 K、25 K和35 K。随着壁面过热度的增加,微结构表面芯片上的热流密度急剧增加且临界热流密度时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的临界上限温度85℃,这与其在池沸腾换热中的特点一样。但临界热流密度值与池沸腾情况相比有所降低。
- 魏进家权晓波本田博司
- 关键词：自然循环
- 对论文“任意精度的三点紧致显格式及其在CFD中的应用”的评论被引量：1
- 2009年
- 证明了林建国等(林建国,谢志华,周俊陶.任意精度的三点紧致显格式及其在CFD中的应用.应用数学和力学,2007,28(7):843-852)提出的紧致显格式与传统的差分格式实质相同,是传统差分格式的另一表达形式,并不具有紧致格式的优点.尽管如此,但这种表达形式更紧凑,推导获得高精度的差分表达式相对于传统的Taylor展开求待定系数的方法也更加简单.
- 张红娜宇波王艺魏进家李凤臣
- 方柱微结构表面上FC-72的流动沸腾强化换热实验研究被引量：8
- 2009年
- 为了提高电子器件的冷却效率,研究了不导电介质FC-72在表面加工有方柱微结构的模拟芯片上的流动沸腾强化换热性能。采用了两种方柱微结构,其边长均为30μm,但高度分别为60μm和120μm。方柱微结构芯片与光滑芯片相比显示出较好的强化沸腾换热效果,且增加方柱高度可有效提高流动沸腾强化换热性能。方柱微结构芯片的临界热流密度随着流速和过冷度的增大而增大,且到达临界热流密度(CHF)时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的上限温度85℃。
- 马爱香魏进家袁敏哲方嘉宾
- 关键词：FC-72
