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玻璃衬底和硅衬底沉积TZO透明导电薄膜的对比研究被引量：4: 2011年; 利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底和硅片衬底上制备出掺钛氧化锌（ZnO：Ti）透明导电薄膜。SEM和XRD研究结果表明，两种衬底上的ZnO：Ti薄膜均为为六角纤锌矿结构的多晶薄膜，且具有C轴择优取向。讨论了衬底对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当玻璃衬底薄膜厚度为568nm时，薄膜电阻率达到最小值1．64×10^-4Ω·cm，硅衬底上薄膜厚度为641nm时有最小电阻率2．69x10“Q·啪。两种衬底所制备薄膜都具有良好的附着性能，玻璃衬底薄膜样品在波长为500—800nm的可见光中平均透过率都超过了91％，硅衬底上薄膜样品的折射率约为2．05，ZnO：Ti薄膜可以用作薄膜太阳电池的透明电极。; 刘汉法张化福袁玉珍袁长坤类成新; 关键词：透明导电薄膜磁控溅射光电性能

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山东省自然科学基金(ZR2209GL015)