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国家重点基础研究发展计划(51310)
国家重点基础研究发展计划(51310)
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 相关作者：蒋书文李言荣张勤勇彭斌张文旭更多>>
- 相关机构：电子科技大学四川大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 磁性随机存储器中的电流磁场分布模型
- 2006年
- 根据磁性随机存储器(MRAM)设计的实际需要,建立了MRAM中相互垂直的字线和位线电流所产生的磁场的解析分布模型。利用该模型讨论了存储单元与位线间距离(d1),字、位线宽度(w)及字、位线厚度(t)对存储单元自由层表面磁场分布的影响。结果表明,d1或w增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都减小。t增大时,自由层表面磁场的强度及非均匀程度都增大。其中d1对磁场分布的影响程序是最大的。该模型为MRAM更精确的器件模拟及器件结构的优化设计工作提供了必要的基础。
- 张万里汤如俊张文旭彭斌
- 关键词：磁性随机存储器磁场分布
- STO铁电薄膜晶化动力学研究被引量：1
- 2006年
- 从经典的成核长大理论出发,建立了STO铁电薄膜的晶化动力学模型,根据模型模拟了热处理温度以及升温速率对STO铁电薄膜微结构的影响。模拟计算结果表明,在热处理温度较低的情况下,薄膜的晶粒较大,晶粒尺寸分布也较宽。随着晶化温度的升高,晶粒生长受到抑制,晶粒较小。当升温速率较小时,晶粒生长充分、晶粒较大,但晶粒大小分布不均匀。当升温速率较大时,薄膜晶粒大小分布均匀,晶粒较小。模拟计算结果与实际情况一致。
- 张勤勇李言荣蒋书文
- 关键词：STO铁电薄膜晶化动力学
- 菱形NiFe薄膜单元的自发磁化及剩磁状态的研究
- 2007年
- 利用微磁学方法系统研究了纳米尺度的NiFe薄膜菱形单元的自发磁化状态及剩磁状态。研究结果表明,在不同的尺寸下,菱形单元将有不同的自发磁化状态及剩磁状态。在单元的长宽尺寸小于某个临界尺寸时,菱形单元结构呈现单畴态。同时还分析了菱形NiFe单元作为磁性随机存储器(MRAM)存储单元时的要求。
- 汤如俊张万里张文旭彭斌
- 关键词：磁性随机存储器
- 快速热处理对(Ba,Sr)TiO_3薄膜晶化行为的影响被引量：3
- 2006年
- 采用射频溅射法在Si(111)基片上制备了(Ba,Sr)TiO3(BST)薄膜,并对制备的薄膜进行了快速退火热处理。采用X射线衍射和原子力显微镜分析了退火温度、退火时间和加热速度对BST薄膜晶化行为的影响。研究结果表明,BST薄膜的晶化行为强烈依赖于退火温度、退火时间和加热速度。BST薄膜的结晶度随退火温度的升高而提高。适当的热处理可降低BST薄膜的表面粗糙度,BST薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高经历了一个先降低后增大的过程,但退火后BST薄膜的表面粗糙度都小于制备态薄膜的表面粗糙度。BST薄膜的晶粒尺寸随退火温度的升高经历了一个先增大后减小的过程。随退火时间的延长,BST薄膜的特征衍射峰越来越强,薄膜的晶化程度越来越高。随退火时间的延长,BST薄膜的晶粒尺寸和表面粗糙度也经历了一个先增大后减小的过程。BST薄膜的晶粒大小主要由退火温度决定。高的升温速率可获得较小的晶粒。
- 张勤勇蒋书文李言荣
- 关键词：晶化XRDAFM
- 退火温度对PLT铁电薄膜微结构和电畴的影响
- 2006年
- 常温下采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基片上淀积(Pb0.9La0.1)TiO3薄膜,分别在550℃、570℃、600℃、630℃退火1h。采用X射线衍射、原子力显微镜和压电响应力显微镜检测不同退火温度的薄膜,讨论退火温度对薄膜结构、表面形貌和电畴结构的影响。结果表明:随着退火温度的升高,薄膜中钙钛矿相的含量增多,表面粗糙度和颗粒尺寸不断增大,薄膜从无畴状态变为以90°畴为主的多畴,而在退火升降温过程中,由于应力的影响,面外畴更多为取向向下的负畴。
- 黄惠东王志红路胜博吴家刚朱基亮肖定全
- 关键词：PLT铁电薄膜XRDPFM
