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国家自然科学基金(50405033): 作品数：27 被引量：109H指数：6; 相关作者：史铁林廖广兰汤自荣聂磊来五星更多>>; 相关机构：华中科技大学湖北工业大学武汉光电国家实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程一般工业技术更多>>

裂纹转子的理论分析与实验研究被引量：6: 2006年; 对横向裂纹转子系统建立力学模型,求得刚度矩阵,建立运动微分方程。通过运动仿真对裂纹转子基本故障特征进行了分析,得到不同裂纹深度、裂纹方向下转轴的运动特性。并通过实验,得到裂纹轴运动轴心轨迹、三维频谱,证明偏心质量、裂纹深度、方向这些因素对转子振动影响特性,其理论分析和实验结果可作裂纹故障的分析和识别依据。; 胡照林轩建平; 关键词：裂纹转子轴心轨迹

无压力辅助硅/玻璃激光局部键合被引量：6: 2007年; 提出了一种新的无需外压力作用的硅/玻璃激光局部键合方法,通过对晶圆进行表面活化处理,选择合适的激光参数及加工环境,成功地实现了无压力辅助硅/玻璃激光键合.同时研究了该键合工艺参数如激光功率、激光扫描速度、底板材料等的影响.实验表明,激光功率越大,扫描速度越小,键合线的宽度就越大.实验结果显示,该方法能有效减少键合片的残余应力,控制键合线宽,并能得到较好的键合强度.该工艺可为MEMS器件的封装与制造提供简洁、快速、键合区可选择的新型键合方法.; 马子文汤自荣廖广兰史铁林聂磊; 关键词：MEMS 激光键合表面活化

利用遗传编程提取齿轮多重故障分类特征被引量：11: 2006年; 特征提取是齿轮多重状态或故障分类中一个很重要的问题。为解决该问题,提出了利用频域特征和遗传编程对齿轮箱盖多类状态振动信号进行特征提取的方法。为了使诊断结果更好地可视化,利用遗传编程结果的固有随机性,提取两个新特征指标。结果表明,该方法对振动数据进行了准确的多重故障分类,也可以应用到其它机械故障诊断或分类中。; 轩建平史铁林廖广兰来五星; 关键词：故障诊断齿轮遗传编程特征提取

准分子激光电化学刻蚀硅的刻蚀质量研究被引量：5: 2006年; 为了解决现有硅刻蚀工艺中存在的刻蚀质量等问题,采用激光加工技术和电化学加工技术相结合的工艺对硅进行了刻蚀,研究了该复合工艺的工艺特性。实验中采用248nm KrF准分子激光作光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极n-S i上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,研究了激光电化学刻蚀S i的刻蚀孔的基本形貌,并对横向刻蚀和背面冲击等质量问题进行了分析。结果表明,该工艺刻蚀的孔表面质量好、垂直度高;解决了碱液中S i各向异性刻蚀的自停止问题,具有加工大深宽比微结构的能力;也具有不需光刻显影就能进行图形加工的优越性。; 龙芋宏熊良才史铁林柳海鹏; 关键词：激光技术光电化学准分子激光刻蚀硅

AgileSN:一种轻便易用的智能传感器应用层协议被引量：6: 2007年; 自主式智能传感器是一种高度集成的传感器系统,需要运行特定的协议与外界交换数据,能够大幅度减少应用系统的建立和开发时间.参考IEEE1451系列标准,提出了一种易于理解和实现的轻量级应用层协议AgileSN,具有自动发现、高性能、高可扩展性的特点.描述了AgileSN协议模型和工作过程,对比了与IEEE1451的异同,介绍了一种具体实现的途径,并给出了一个应用实例.; 赵江滨史铁林廖广兰; 关键词：智能传感器智能变送器轻量级应用层协议

晶片键合质量的红外检测系统设计被引量：3: 2006年; 基于晶片的红外透射原理,设计并搭建了晶片直接键合质量红外检测装置,并利用图像处理技术开发了相应的软件模块,可以快速获取键合界面的特性参数,如空洞分布、大小及键合率等,从而实现晶片直接键合质量的快速评估。同时,将该红外检测装置与硅片键合装置结合一体,可以实时监测硅片直接键合工艺。通过分析不同工艺条件下所获得的键合片质量,包括键合率、缺陷分布以及键合强度等参数的比较,可以有助于理解晶片键合的机理,实现键合工艺的优化。; 周平廖广兰史铁林汤自荣聂磊林晓辉; 关键词：键合质量红外检测图像法晶片键合

FREQUENCY OVERLAPPED SIGNAL IDENTIFICATION USING BLIND SOURCE SEPARATION被引量：6: 2006年; The concepts, principles and usages of principal component analysis （PCA） and independent component analysis （ICA） are interpreted. Then the algorithm and methodology of ICA-based blind source separation （BSS）, in which the pre-whitened based on PCA for observed signals is used, are researched. Aiming at the mixture signals, whose frequency components are overlapped by each other, a simulation of BSS to separate this type of mixture signals by using theory and approach of BSS has been done. The result shows that the BSS has some advantages what the traditional methodology of frequency analysis has not.; WANG JunfengSHI TielinHE LingsongYANG Shuzi

受抑全内反射的偏振分光器被引量：5: 2005年; 概述了薄膜偏振分光器的研究现状及其主要特点,对不同于MacNeille设计原理的受抑全内反射偏振分光器进行了研究,这种偏振分光器基于受抑全内反射和薄膜干涉原理,当入射角大于临界角时,在宽波段宽角度范围内反射P偏振光,透射S偏振光。重点分析这种偏振分光器的设计原理,设计了波长范围为420￣680 nm、空气中的入射角范围为±10°、膜系的消光比为TS/TP≥1000的用于背投系统的薄膜偏振分光器。; 颜鹰王聪李晓平史铁林; 关键词：消光比带宽

coiflet小波构造与设计被引量：3: 2006年; 提出了改进的尺度函数和小波函数都具有消失矩的coiflet小波系滤波器设计算法,按照Daubechies给出的一个构造算法,得到了第1滤波器的系数,但第2至第5滤波器的系数不能重复出来.通过对Daubechies的coiflet小波系构造和设计过程的分析,发现其算法上的缺陷主要在于一个约束条件中缺少了一些系数项,这些项对第2至第5滤波器的系数是重要的,对第1滤波器系数的影响则为0.在此基础上,建立了正确的求解方程,并从理论分析和数值计算方面证明了其正确性.; 轩建平史铁林廖广兰来五星; 关键词：消失矩小波

Cr掩模在硅湿法刻蚀中的应用研究被引量：3: 2005年; 针对硅湿法刻蚀中常见的SiO2、Si3N4掩模的缺点,提出了以Cr薄膜层为刻蚀掩模的新方法,并进行了相应的试验。试验结果表明,Cr掩模湿法刻蚀技术可用于硅半导体器件的制作。此项工艺为硅湿法刻蚀加工提供了一条新的技术途径。; 聂磊史铁林廖广兰钟飞; 关键词：铬掩模湿法刻蚀

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