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甘肃省自然科学基金(3ZS051-A25-052)

作品数:2 被引量:14H指数:1
相关作者:朱秀红贺德衍刘国汉丁毅陈光华更多>>
相关机构:北京工业大学兰州大学更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划甘肃省自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇硅薄膜
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇散射
  • 1篇射线衍射
  • 1篇氢化非晶硅
  • 1篇氢化非晶硅薄...
  • 1篇氢化微晶硅薄...
  • 1篇热丝
  • 1篇微结构
  • 1篇微结构研究
  • 1篇微晶硅
  • 1篇微晶硅薄膜
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼散射
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇非晶
  • 1篇非晶硅

机构

  • 2篇兰州大学
  • 2篇北京工业大学

作者

  • 2篇陈光华
  • 2篇丁毅
  • 2篇刘国汉
  • 2篇贺德衍
  • 2篇朱秀红
  • 1篇何斌

传媒

  • 1篇太阳能学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2006
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
HW-MWECR-CVD法制备氢化微晶硅薄膜及其微结构研究被引量:13
2006年
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积方法制备出高晶化体积分数的氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜.拉曼散射和X射线衍射技术对样品的微观结构测量分析表明,当反应气体中SiH4浓度在3.6%—50%之间大范围变化时,μc-Si:H薄膜均具有高的晶化体积分数.进一步的分析表明,在SiH4浓度较大时制备的薄膜,其结构以非晶-微晶的过渡相为主.薄膜易于晶化或生长为过渡相的主要原因是微波电子回旋共振使SiH4气体高度分解,等离子体高度电离.
刘国汉丁毅朱秀红陈光华贺德衍
关键词:氢化微晶硅薄膜拉曼散射X射线衍射
热丝辅助MWECR-CVD法沉积氢化非晶硅薄膜研究被引量:1
2006年
为了降低a-Si:H薄膜中的氢含量,提高其稳定性,在我们MWECR-CVD系统中引入了热丝装置,热丝对等离子体的热辐射使等离子体升温,既促进了气体的进一步分解和电离,获得较多的低氢原子基团,也减少了活性高硅烷聚合物的生成,从而使薄膜中的(SiH2)n的含量降低。同时,热丝对样品表面提供的热辐射和光辐射也可以进一步降低薄膜的氢含量。实验结果表明,用这种装置沉积的a-Si:H薄膜,氢含量可降低到4.5at%左右,稳定性明显增强,光敏性也有一定改善。
刘国汉丁毅朱秀红何斌陈光华贺德衍
关键词:电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积氢化非晶硅薄膜热丝
共1页<1>
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