国家自然科学基金(61201064)
- 作品数:2 被引量:3H指数:1
- 相关作者:陈强刘丹朱建国彭志航肖定全更多>>
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- 相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>
- CaBi2Ta2O9基压电陶瓷的A位掺杂改性研究被引量:2
- 2019年
- 该文采用固相反应法制备了铋层状结构Ca1-x(LiCe)x/2Bi2Ta2O9(CBT-LC100x)高居里温度(TC)压电陶瓷,研究了(Li0.5Ce0.5)2+复合离子掺杂对CaBi2Ta2O9(CBT)基陶瓷晶体结构、介电、压电等性质的影响。结果表明,在选定(Li0.5Ce0.5)2+掺杂浓度范围内,CBT-LC100x陶瓷呈正交晶体结构。随着x增加,TC趋于降低,从941℃降低至924℃。Ce离子的施主掺杂效应有利于电阻率及压电活性的提高,当x=0.06(x为摩尔分数)时,具有最优综合性能,TC约为924℃,压电常数d33约为8.1pC/N,650℃时电阻率为1.7×106Ω·cm。
- 钟建强王丹石钰琳陈强
- 关键词:高居里温度压电陶瓷电学性能
- Bi_3TiNbO_9压电陶瓷制备工艺研究被引量:1
- 2013年
- 以Bi2O3、Nb2O5和TiO2为原料,采用固相法合成Bi3TiNbO9(BTN)压电陶瓷.用X线衍射仪和电子显微镜等对陶瓷样品进行分析.实验结果表明,采用固相法可在较低烧结温度下制备出单相的BTN陶瓷.探讨不同工艺参数对BTN压电陶瓷的压电、介电性能的影响.实验发现,较高的成型压强可以制得致密且均匀的BTN陶瓷.再结晶可以使晶粒生长均匀,且能够承受较高的极化场强.在8kV/mm场强下极化的BTN陶瓷的压电常数d33为5.6pC/N.
- 刘丹陈强彭志航肖定全朱建国
- 关键词:压电陶瓷