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作品数： 51被引量：39H指数：3

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一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶: 本发明提供了一种提高靶材使用率的磁控溅射圆形平面靶枪的磁靶，所述磁靶包括靶材和磁铁；所述磁铁包括圆柱形磁铁和梅花形环状磁铁；所述圆柱形磁铁位于梅花形环状磁铁的中心；所述圆柱形磁铁与梅花形环状磁铁同圆心且磁铁高度相同。相比...; 付学成; 文献传递

一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法: 本发明提供了一种具有ITO电极的垂直型锗硅光电探测器及其制备方法，锗硅光电探测器自下而上依次包括高阻Si衬底层、P型掺杂Si层、P型掺杂Ge层、本征Ge层、n型Ge层、n型Si层，对锗硅光电探测器隔断，隔断后的P型掺杂S...; 程秀兰李雅倩王晓东付学成刘民权雪玲; 文献传递

NH_(3)和N_(2)混合等离子体预处理对锗MOS器件性能的影响: 2021年; 对锗衬底进行NH 3和N 2混合等离子体(V(NH_(3))∶V(N_(2))=5∶1)原位预处理,其自然氧化层GeO_(x)反应生成GeO_(y)N_(z)。XPS结果显示,随着预处理时间的延长,GeO_(y)N_(z)厚度稍有增加。结构为500 nm Al/20 nm Ti/10 nm HfO_(2)/Ge的锗MOS电容样品,在1 V的偏压下,未经过原位等离子体预处理的样品的漏电流密度为10^(-4) A/cm^(2)量级,而120 s NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理后的样品的漏电流密度减小到10^(-5) A/cm 2量级;所有等离子体预处理样品的C-V曲线不存在明显的翘曲变形,表明样品的界面陷阱电荷密度较低;通过C-V曲线计算可得,NH_(3)/N_(2)混合等离子体预处理60 s后样品的等效电容约为17,小于理想HfO_(2)的介电常数值,说明预处理条件下仍有不可忽略的层间电容。与其他预处理方法相比,NH_(3)/N_(2)混合等离子体原位预处理锗衬底可以更加有效地提高锗衬底上原子层沉积HfO_(2)层间界面的质量,抑制Ge向HfO_(2)的扩散,对界面的陷阱电荷有重要的限制作用。在提高锗MOS器件的性能方面,NH_(3)和N_(2)混合等离子体原位预处理的方法在工业生产中更具有潜在优势。; 乌李瑛柏荣旭瞿敏妮付学成田苗马玲王英程秀兰; 关键词：原子层沉积高介电常数

一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法: 本发明提供了一种降低ITO薄膜红外吸收率的方法，包括如下步骤：基片清洗步骤：透明的优质浮法玻璃作为基底，使用丙酮在超声的环境下进行清洗；ITO薄膜制备步骤：沉积ITO薄膜，设定靶材转速、溅射功率，经过设定时间得到ITO薄...; 程秀兰李雅倩王晓东付学成刘民权雪玲; 文献传递

电子束蒸发挖坑效应膜厚均匀性的计算新方法被引量：2: 2018年; 环形锥面蒸发源模型对沉积膜厚均匀性计算有局限性。针对电子束蒸发镀膜挖坑效应设计一种新的小圆锥体蒸发模型,提出一种新的公式计算沉积膜厚均匀性。采用相同工艺条件,不同时间蒸镀二氧化硅薄膜,验证了小圆锥体模型计算电子束蒸发挖坑膜厚均匀性准确可靠,并成功解释了随着蒸发时间的延长,均匀性变差的原因。该方法可以用于实验教学,真空镀膜工艺以及真空镀膜设备生产领域。; 付学成张洪波权雪玲王凤丹李进喜; 关键词：电子束蒸发真空镀膜设备膜厚

一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法: 本发明公开了一种常温NTC热敏电阻薄膜及其制备方法；所述薄膜是以VO2，MgV2O5为主要成分的一种玻璃态多混合材料。制备时，在高真空条件下，在衬底上对还...; 付学成程秀兰王英乌李瑛权雪玲

电子束蒸镀快速沉积铜膜研究被引量：1: 2023年; 利用电子束蒸镀设备沉积金属薄膜是微电子领域最常见的薄膜沉积工艺之一。然而使用普通钨坩埚电子束蒸镀铜薄膜时,沉积速度非常低。这是因为熔融的铜与钨坩埚是浸润的,当提高电子枪功率时,液态铜的表面自由能随着温度的升高而降低,液态铜会沿着坩埚壁向上铺展,消耗电子束能量。为此,对钨衬埚壁进行结构优化,阻止了电子枪功率较高时液态铜的向上铺展,将铜膜的沉积速度从2Å/s提高到20Å/s,并对不同沉积速率制备的铜薄膜的粗糙度、均匀性、应力进行对比,验证了该方法的可行性。; 付学成瞿敏妮权雪玲乌李瑛王英; 关键词：电子束蒸发

一种耐腐蚀导电材料及其制备方法: 本发明公开了一种耐腐蚀导电材料及其制备方法。耐腐蚀导电材料是以SiO2和铂或金为主要成分的一种新型材料。该材料利用氨水、醋酸作为催化剂，正硅酸已酯(TEOS)为SiO2源，甘油...; 付学成程秀兰王英乌李瑛

Mg和V_(2)O_(5)共溅射制备+4价钒的氧化物薄膜被引量：1: 2022年; 在常温、高真空条件下,采用高纯金属镁靶和V_(2)O_(5)靶进行共溅射,利用镁原子的还原性,将+5价的钒还原为+4价,在硅衬底上制备钒的氧化物薄膜。当Mg和V的原子比为1:2时,XPS测试表明薄膜中有V^(4+)和V^(2+)存在。X射线衍射结果显示,制备的薄膜主要成分是Mg V_(2)O_(5),且结晶状况良好。温度-电阻率测试结果显示,薄膜在20℃附近有相变行为,电阻温度系数高达-8.6%/K,回线弛豫温度约为0.3℃,负温度系数热敏电阻材料常数高达6700。这一发现为制备非制冷焦平面探测用的热敏薄膜材料提供了新的思路。; 付学成乌李瑛权雪玲瞿敏妮王英; 关键词：电阻温度系数

小圆形平面靶倾斜磁控溅射镀膜均匀性研究被引量：3: 2021年; 基于小圆形平面靶倾斜磁控溅射的实际情况,针对靶材环形刻蚀槽与水平工件台存在夹角的特点,建立数学模型。利用MATLAB软件进行模拟仿真,研究靶材与工件台正对且高度固定时,不同夹角对膜厚分布的影响。我们发现在工件台相对靶材的水平距离上,膜厚先增加后降低。当靶材夹角适当时,在工件台固定的区域范围内,薄膜沉积速率的变化近似直线。根据薄膜厚度在工件台水平面呈圆弧状递减分布实际特点,模拟出在4英寸的衬底上片内均匀性。根据模拟结果,我们在4英寸的衬底上制备出片内非均匀性小于0.6%的氮化钽薄膜,验证了数学模型的合理性,并解释了非均匀性的实验结果优于模拟计算结果的原因。这为设计制造磁控溅射镀膜设备提供了参考。; 付学成徐锦滨乌李瑛黄胜利王英; 关键词：磁控溅射数学模型