吴涛
作品数: 4被引量:6H指数:1
  • 所属机构:西安电力电子技术研究所
  • 所在地区:陕西省 西安市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家科技部专项基金

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ZK1150-45型快恢复二极管
王正鸣刘东丽郭永忠薛斌石宏高山城吴涛刘东吴飞鸟
ZK1150-45型快恢复二极管属于高电压、大电流电力半导体器件。针对此快恢复二极管对电流、电压及反向恢复时间同时要求较高,采用PIN型设计。对双角度造型终端PIN型快恢复二极管的工作模式进行了深入细致的研究,指出减小漏...
关键词:
关键词:电力半导体器件
Φ100快速晶闸管的研制被引量:5
2005年
通过计算机模拟运算,分析了低浓度短基区、缓变杂质分布阻断结和临界长基区等优化设计方案,最大限度地对阻断电压、通态压降和关断时间等矛盾参数进行了协调,成功地研制了Φ1002800V,3500A快速晶闸管。
高山城郭永忠吴涛李玉玲
关键词:晶闸管
4英寸超大功率快速晶闸管
王正鸣薛斌郭永忠石宏高山城吴飞鸟耿涛王睿韬刘东吴涛李玉玲
该项目来源于市场,是根据市场的需求情况本所自行设立的横向研究课题。超大功率快速晶闸管主要应用于钢、铁及其它溶炼用大型电炉的中频电源装置,是提高KGPS系列中频熔炼电源装置输出功率的关键器件,成功地将该系列产品单台输出功率...
关键词:
关键词:快速晶闸管中频电源电力半导体器件
特高压晶闸管结终端造型技术被引量:1
2015年
分析了传统晶闸管结终端造型技术的优缺点。基于双负角结终端造型技术,通过径向变掺杂技术和类台面造型技术改进,发展了一种全新的结终端造型技术。该技术不仅使芯片极薄化,而且使结终端造型占用芯片长度极小化,同时使有效导通长度极大化。制造并测试了三种不同结终端造型技术的样品,测试结果表明,采用该技术的样品在不降低阻断电压(≥8 000 V)前提下,具有更小的漏电流(2.50 m A);在流过相同的通态电流(4 500 A)时,具有更小的通态压降1.782 V;而且反向恢复电荷、dv/dt耐量、di/dt耐量、关断时间等得到全面优化。成功研制了6英寸(1英寸=2.54 cm)电流为4 500 A、阻断电压为8 500 V的特高压晶闸管,其动态特性和参数的一致性满足设计及应用要求。
高山城李罛吴飞鸟吴涛袁渊何杉
关键词:结终端阻断电压通态压降