-
孙志刚
-

-

- 所属机构:武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室
- 所在地区:湖北省 武汉市
- 研究方向:一般工业技术
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 何雄

- 作品数:23被引量:0H指数:0
- 供职机构:武汉理工大学
- 研究主题:雪崩效应 电极 磁阻效应 磁性纳米颗粒 存储器件
- 王嘉赋

- 作品数:48被引量:100H指数:6
- 供职机构:武汉理工大学理学院
- 研究主题:第一性原理 电子结构 第一性原理计算 磁阻 SUB
- 赵文俞

- 作品数:135被引量:235H指数:7
- 供职机构:武汉理工大学
- 研究主题:热电材料 热电 热电器件 SUB 热电薄膜
- 何雄

- 作品数:11被引量:7H指数:2
- 供职机构:武汉理工大学材料科学与工程学院材料复合新技术国家重点实验室
- 研究主题:磁阻效应 磁阻 电输运 物理模型 半导体
- 杨振

- 作品数:22被引量:0H指数:0
- 供职机构:武汉理工大学
- 研究主题:磁阻效应 磁阻 磁性纳米颗粒 磁性纳米 传热量
- Co_(3)Sn_(2)S_(2)单晶的磁性和电-热输运性能
- 2023年
- Co_(3)Sn_(2)S_(2)是一种磁性外尔半金属,具有特殊的磁性和电子结构,其独特的能带结构使其拥有反常霍尔效应、负磁阻效应和反常能斯特效应等多种物理性质.本文采用自熔剂法合成了高质量的Co_(3)Sn_(2)S_(2)单晶,并研究了Co_(3)Sn_(2)S_(2)低温下的电输运行为(磁阻效应与霍尔效应等)和热输运行为(塞贝克效应).热磁曲线表明,在居里温度点(T_(C)=178 K)以下:140K(TA)处存在特殊的磁结构,为铁磁态与反铁磁态共存的磁性过渡态.研究发现,在100—160 K出现负的反常“凸形”磁阻,且在T_(A)附近出现最大临界磁场B0,为1.41 T,同时霍尔电阻率ρ_(yx)也在T_(A)处取得最大值约20μΩ·cm.这可能是由于铁磁态与反铁磁态之间会相互竞争形成非平凡的自旋织构,导致TA附近独特的电输运行为.Co_(3)Sn_(2)S_(2)在低温下的散射机制为声学波散射和电子-声子散射的共同作用,在60—140 K时,自旋无序的增强会引起电子-声子散射增强,使得的塞贝克系数S出现平台特征.研究表明,Co_(3)Sn_(2)S_(2)在低温下的特殊磁结构和电子自旋对其电-热输运行为有着重要影响.
- 祝鑫强王剑朱璨罗丰陈树权徐佳辉徐峰王嘉赋张艳孙志刚
- 关键词:反常霍尔效应磁阻
- 热电制冷器件及其制备方法
- 本发明涉及半导体器件技术领域,提供了一种热电制冷器件,包括p型热电偶臂、n型热电偶臂、第一电极以及第二电极,p型热电偶臂的p型半导体和n型热电偶臂的n型半导体电连接,电连接的部位为可发热且发光的热端;第一电极与p型半导体...
- 孙志刚杨振何雄何斌赵文俞张清杰
- 文献传递
- 一种基于COMSOL软件的面内型热电器件结构设计方法
- 本发明公开了一种基于COMSOL软件的面内型热电器件结构设计方法,包括以下步骤:在COMSOL软件模型向导中选择三维空间维度和热电效应物理场,进入稳态研究;建立需要求解的热电器件的几何物理模型;定义相关全局参数和赋予模型...
- 赵文俞方文兵聂晓蕾张清杰朱婉婷魏平孙志刚李鹏田烨
- 一种含易挥发元素合金在该元素的饱和蒸气环境中热处理的方法
- 本发明提供了一种含易挥发元素合金在该元素的饱和蒸气环境中热处理的方法。含有易挥发元素合金在高真空环境中热处理时,热处理温度越高,易挥发元素的挥发损失越严重。通过在含有易挥发元素合金的热处理环境中放置该元素单质,当易挥发元...
- 孙志刚张孔斌何雄刘国强罗丰柯亚娇赵文俞
- 紫外光辐照对TiO_2纳米线电输运性能的影响及磁阻效应研究被引量:1
- 2016年
- 采用溶胶凝胶法以及静电纺丝法,利用热处理工艺,成功制备出了多晶锐钛矿型TiO_2纳米线,通过两线法在室温下测试单根TiO_2纳米线的V-I曲线来研究其电输运性能及磁阻效应.结果表明:在无光照环境下其V-I曲线为不过零点的直线,零场电阻较大,在磁场作用下电阻下降,表现出负磁阻效应;紫外光辐照环境下TiO_2纳米线载流子浓度增加使得电阻变小,然而在磁场作用下电阻增大,表现为正磁阻效应.紫外光辐照导致的载流子浓度变化,使得负磁阻转变为正磁阻,我们将磁阻变化归结为d电子局域导致的负磁阻与能带劈裂导致的正磁阻两种机理相互竞争的结果.
- 孙志刚庞雨雨胡靖华何雄李月仇
- 关键词:磁阻效应
- 一种添加助烧剂制备优异电输运性能柔性热电厚膜材料的方法
- 本发明涉及一种添加助烧剂制备优异电输运性能柔性热电厚膜材料的方法,该制备方法包括以下步骤:1)将热电材料粉体和助烧剂混合均匀得到混合粉体;2)将高分子树脂溶解在适当的溶剂里得到高分子树脂的溶液;3)将所述混合粉体与高分子...
- 赵文俞田烨聂晓蕾张清杰朱婉婷魏平孙志刚李鹏方文兵
- 文献传递
- Nd0.7Sr0.3MnO3中显微结构相关电致电阻效应被引量:2
- 2008年
- 用固相反应和高能球磨合成后续热处理两种方法分别得到钙钛矿结构Nd0.7Sr0.3MnO3氧化物.两种不同方法得到的多晶样品,虽然晶体结构相同,化学成分和晶粒大小相近,但它们电输运性质却表现出很大差异.用固相反应法制得的样品的电阻几乎不随负载电流的变化而变化,即不表现电致电阻行为;而通过高能球磨合成后续热处理方法得到的样品电阻随外加电流增大而急剧减小,出现显著电致电阻效应.产生这种截然不同电输运特性的原因可能与样品的显微结构和界面性质有关.
- 陈顺生杨昌平邓恒孙志刚
- 关键词:显微结构界面电阻
- Hall测量中排除反常Hall效应影响的原理与方法
- 2018年
- 本文通过分析Hall效应产生机制发现,对于磁性半导体或磁性掺杂半导体而言,测试获得的Hall电压中往往存在反常Hall效应的影响;通过对Hall测量系统误差分析及其消除方法的研究,本文发现在使磁性杂质达到饱和磁化的强磁场作用下,正常Hall电压与反常Hall电压之和与测量磁场之间是线性关系,因此,在一系列恒定强磁场下测出正、反向电流时的表观Hall电压,然后通过对表观Hall电压与磁场曲线的线性拟合得到斜率,确定正常Hall系数,最终排除了反常Hall效应的影响。本文研究有益于促进Hall测量在磁性半导体或磁性掺杂半导体中的更为广泛应用。
- 赵良兵何雄孙志刚
- 锗基半导体器件的界面磁阻效应和体磁阻效应
- 2021年
- 本工作对Ag/p-Ge∶Ga/Ag器件的界面磁阻和体磁阻效应进行了研究,结果表明该器件的体磁阻效应远大于界面磁阻效应。对界面磁阻而言,界面局部等离子体的形成与淬灭受外加磁场的影响较小,致使界面磁阻很小;而对体磁阻而言,磁场导致载流子复合速率加快,使载流子浓度急剧下降,从而导致体磁阻数值较大。进一步研究发现,采用低载流子浓度Ge制备的器件可以获得更为优异的体磁阻效应。本工作也研究了不同磁场施加方向对体磁阻效应的影响,发现低温时体磁阻具有明显的各向异性。当温度低于200 K时,垂直方向的体磁阻明显大于平行方向的体磁阻,其中当温度为10 K时,垂直方向体磁阻最大值约为123%@1 T,远大于平行方向的体磁阻数值(仅约为41%@1 T)。机理分析认为,体磁阻效应的各向异性源于不同磁场构型下几何效应的差异,而低温下载流子迁移率的增加导致这种几何效应的影响更为明显。
- 于涵何雄张孔斌何斌罗丰孙志刚
- 一种具有高稳定性的仿生集成电路
- 本发明属于电子信息技术领域,提供一种具有高稳定性的仿生集成电路,该仿生集成电路分支后线路的宽度之和等于分支前主干线的宽度。本发明通过仿生设计减少了电路内局部过热区与热应力的产生,从而使得复杂连线之间达到温度均匀。本发明结...
- 孙志刚何斌何雄杨振刘国强张孔斌赵文俞王嘉赋
- 文献传递