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万玉春
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- 所属机构:长春理工大学
- 所在地区:吉林省 长春市
- 研究方向:理学
- 发文基金:吉林省科技厅科技发展计划项目
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- 朱忠丽钱艳楠刘景和万玉春张亮
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- 2004年
- 通过对晶体生长时和生长后原料挥发物的XRD分析,发现在炉膛内壁上的挥发物质是Ga2O3和Ga2O的混合物,而观察窗口及后加热器内壁上的挥发物主要是Gd2O3。为避免原料中Ga2O3的挥发,按化学计量比配料,在1300℃下,采用固相反应法合成了Nd∶Gd3Ga5O12(Nd∶GGG)多晶原料。用此多晶原料,采用提拉法进行了Nd∶GGG单晶生长研究,所获单晶的荧光发射峰位于1061 54nm。对晶体表面的开裂现象进行了分析。
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