陈建新
作品数: 119被引量:144H指数:6
  • 所属机构:中国科学院上海技术物理研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

周易
作品数:57被引量:47H指数:5
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:超晶格 INAS/GASB 红外探测器 长波 长波红外探测器
徐志成
作品数:50被引量:45H指数:4
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:超晶格 INAS/GASB 长波 长波红外探测器 超晶格结构
何力
作品数:360被引量:437H指数:11
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 分子束外延 HGCDTE 红外焦平面探测器 红外焦平面
王芳芳
作品数:33被引量:13H指数:3
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:超晶格 长波 INAS/GASB 太赫兹量子级联激光器 长波红外探测器
白治中
作品数:31被引量:31H指数:3
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:超晶格 INAS/GASB 焦平面 中波红外 探测器
一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器
本发明公开了一种集成有源布拉格反射器的单模太赫兹量子级联激光器。本发明中,由解理形成的腔面和一阶光子晶体形成的布拉格反射器构成了一个谐振腔,靠近解理腔面一侧有若干个空气狭缝构成的耦合光栅。当解理腔面与布拉格反射器构成的谐...
徐刚毅何力俞辰韧朱欢常高垒朱海卿王凯白弘宙王芳芳陈建新林春
文献传递
GaN基材料的RF等离子体MBE生长与特性
齐鸣李爱珍李伟赵智彪张永刚陈建新
关键词:GAN基材料MBE生长
InGaP/GaAsHBT费米统计律下的数值模拟计算
2001年
用费米分布函数对HBT结构中载流子的分布进行了计算,与常用的玻尔兹曼统计律得到的载流子分布进行了比较分析。同时在热场发射-扩散模型的基础上,用两种方法得到的载流子分布分别对InGaP/GaAsHBT进行了数值模拟计算和分析。
彭鹏李爱珍陈建新
关键词:载流子分布异质结双极型晶体管数值模拟
锑化物超晶格及带间级联结构光电材料与器件研究
陈建新
新型锑化物带间级联红外探测器
红外探测器的小型化是未来重要的发展趋势,其中,提高探测器的工作温度是其关键.光子型红外探测器具有高灵敏度、高响应速度、高帧频等特点,如能提高其工作温度,使得光子型红外系统实现小尺寸、低功耗,将有重要的现实意义.采用新型量...
周易陈建新徐志成潘建珍黄爱波田源徐庆庆陈洪雷丁瑞军何力
一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法
本发明公开了一种砷化铟基II类超晶格结构及制备方法。其结构自下而上依次为InAs层、GaAs层、GaAs<Sub>x</Sub>Sb<Sub>1‑x</Sub>层和GaAs层。其特点在于:(1)原有的GaSb衬底被InA...
王芳芳陈建新徐志成余成章
文献传递
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格台面的ICP刻蚀研究被引量:3
2019年
报道了采用Cl_2/N_2电感耦合等离子(ICP)组合体刻蚀工艺在InAs/GaSb Ⅱ类超晶格红外焦平面台面加工过程中的研究结果,实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长的PIN型超晶格材料。结果表明,气体流量比例直接对刻蚀速率和刻蚀形貌产生影响,氯气含量越高,刻蚀速率越大,当氮气含量增加,刻蚀速率降低并趋于一定值。当氯气和氮气的流量比例和等离子腔体内压力等参数一定时,随着温度升高,刻蚀速率和选择比在有限范围内同时线性增大,台面的倾角趋于直角,台面轮廓层状纹理逐渐消失,但沟道内变得粗糙不平,并出现坑点。在实验研究范围内,电感耦合等离子源的ICP功率和RF功率对刻蚀结果产生的影响较小。
许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新
关键词:刻蚀焦平面
InAs/GaSbⅡ类超晶格中波红外探测器被引量:5
2012年
InAs/GaSb II类超晶格探测器是近年来国际上发展迅速的红外探测器,其优越性表现在高量子效率和高工作温度,以及良好的均匀性和较低的暗电流密度,因而受到广泛关注。报道了InAs/GaSb超晶格中波材料的分子束外延生长和器件性能。通过优化分子束外延生长工艺,包括生长温度和快门顺序等,获得了具原子级表面平整的中波InAs/GaSb超晶格材料,X射线衍射零级峰的双晶半峰宽为28.8″,晶格失配Δa/a=1.5×10-4。研制的p-i-n单元探测器在77 K温度下电流响应率达到0.48 A/W,黑体探测率为4.54×1010cmHz1/2W,峰值探测率达到1.75×1011cmHz1/2W。
徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力
关键词:INAS/GASB超晶格红外探测器分子束外延
长波InAs/GaSbⅡ类超晶格红外探测器被引量:11
2013年
报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力
关键词:暗电流
一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构
本发明公开了一种用来测量超晶格材料少子横向扩散长度的器件结构。超晶格材料是一种多周期交叠生长的量子结构材料,与传统的平面结HgCdTe材料相比,超晶格探测器一般为原位掺杂的台面结构,无法直接通过激光诱导电流的方法测试吸收...
周易陈建新田源