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陈建新
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- 所属机构:中国科学院上海技术物理研究所
- 所在地区:上海市
- 研究方向:电子电信
- 发文基金:国家自然科学基金
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- 许佳佳黄敏徐庆庆徐庆庆徐志成王芳芳白治中周易陈建新
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- 徐庆庆陈建新周易李天兴金巨鹏林春何力
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- 报道了50%截止波长为12.5μm的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外探测器材料及单元器件.实验采用分子束外延技术在GaSb衬底上生长超晶格材料.吸收区结构为15ML(InAs)/7ML(GaSb),器件采用PBIN的多层异质结构以抑制长波器件暗电流.在77K温度下测试了单元器件的电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)特性,响应光谱和黑体响应.在该温度下,光敏元大小为100μm×100μm的单元探测器RmaxA为2.5Ωcm2,器件的电流响应率为1.29A/W,黑体响应率为2.1×109cmHz1/2/W,11μm处量子效率为14.3%.采用四种暗电流机制对器件反向偏压下的暗电流密度曲线进行了拟合分析,结果表明起主导作用的暗电流机制为产生复合电流.
- 周易陈建新徐庆庆徐志成靳川许佳佳金巨鹏何力
- 关键词:暗电流
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