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祝祖送
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- 所属机构:安庆师范学院
- 所在地区:安徽省 安庆市
- 研究方向:理学
- 发文基金:国家重点基础研究发展计划
相关作者
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- 祝祖送
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- 2016年
- 研究了SiCl_4浓度对等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中以SiCl_4/H_2为反应气体的微晶硅薄膜生长及光电特性的影响。结果表明,微晶硅薄膜的沉积速率和晶化率均随SiCl_4浓度的增加而增大,而晶粒平均尺寸在SiCl_4浓度小于65%时呈增大趋势,在SiCl_4浓度大于65%时呈减小趋势;此外,光照实验表明制备的微晶硅薄膜具有较稳定的微观结构,具有类稳恒光电导效应,且样品的电导率依赖于SiCl_4浓度的变化。此外,还讨论了Cl基基团在微晶硅薄膜生长过程中所起的作用。
- 祝祖送张杰尹训昌易明芳闻军
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- 2005年
- 对以SiH4/H2及SiCl4/H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积技术制备的非晶硅薄膜和多晶硅薄膜进行了光照稳定性的研究.实验表明,制备的多晶硅薄膜并没有出现非晶硅中的光致衰减现象,其光电导、暗电导在光照过程中没有下降反而有所上升且电导率变化快慢受氢稀释度的制约.多晶硅薄膜的光照稳定性可能来源于高的晶化度及Cl元素的存在.
- 祝祖送林璇英余云鹏林揆训邱桂明黄锐余楚迎
- 关键词:多晶硅薄膜H2气源等离子体增强非晶硅薄膜稀释度
- SiH_4辉光放电等离子体中中性基团的轴向分布
- 2013年
- 利用RGA100质谱仪成功地实现了对SiH4辉光放电等离子体的在线检测。根据线性拟合的方法获得了SiH4消耗率及中性基团SiHn(n=1,2,3)在空间的分布规律,并对此进行了详细的分析和讨论。
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- 优质高稳定性微晶硅薄膜的制备被引量:1
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- 对以SiCl_4和H_2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积优质高稳定性的微晶硅薄膜进行了研究.在低于250℃下,成功制备出了沉积速率高达0.28nm/s、晶化度达80%以上的微晶硅薄膜.通过光照实验,表明该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%.
- 祝祖送张杰易明芳尹训昌闻军
- 关键词:微晶硅薄膜均匀性PECVD
- 优质微晶硅薄膜的光学性质
- 2014年
- 对以SiCl4和H2为源气体、采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在低温快速沉积的优质微晶硅薄膜的光学性质进行了研究。拉曼谱表明,微晶硅薄膜的晶化度超过80%;SEM结果表明,晶粒分布较均匀,大小平均为60nm左右;光照实验结果表明,该微晶硅薄膜光致电导率基本保持恒定;通过对气流分布进行调节,透射光谱结果表明,微晶硅薄膜的均匀性得到明显改善,均匀度高达95%。
- 祝祖送张杰江贵生尹训昌余春日
- 关键词:微晶硅薄膜均匀性等离子体增强化学气相沉积
- 时效性高校教育质量评价体系的研究
- 2022年
- 建构系统、科学、行之有效的教育评价体系,对于促进高校的教学管理,提高教学质量具有重要的意义。具有时效性的教育评价体系可以形成信息技术环境下有效评价模式,改变师生的评价方式,从而引导高校教育朝着科学、时效的方向发展。文中确立以“学生为本”的教育评价观,研究如何构建全员参与性、动态评价性、终结性与形成性相结合的教育评价指标体系,并分析其在教学管理和促进学生成长方面所起的作用,以此推动教育评价体系的与时俱进。
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- 关键词:大数据教育评价观指标体系
- SiCl_4/H_2辉光放电等离子体中电子特性的在线检测
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- SiCl4/H2混合气体被公认为低温沉积纳米晶以及多晶硅薄膜最具潜力的气源之一。首次利用加热可调谐Langmuir探针对等离子体增强化学气相沉积系统中的SiCl4/H2放电等离子体的电子浓度和电子平均能量进行了在线检测,并分析了电子特性随系统各参数:气体压强、射频功率及氢稀释度RH的变化规律。实验结果表明:随着气体压强的升高,电子浓度不断增大而电子平均能量不断减小;增大射频功率或减小氢稀释度RH,电子浓度和电子平均能量都相应增大。此外,并对实验结果进行了定性或半定量分析。本研究工作将有助于更好地理解SiCl4/H2放电机理,改善并优化沉积优质多晶硅薄膜的工艺参数。
- 祝祖送林揆训林璇英邱桂明
- 关键词:电子特性沉积速率
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- 应用实空间重整化群变换的方法,在Sierpinski镂垫上研究了外场作用下具有二体和三体自旋作用的Ising模型,求出了临界点和临界指数.与只有二体自旋作用的情况相比较,考虑三体自旋作用后,系统仍然只存在零温相变.
- 尹训昌余春日郝广周祝祖送
- 关键词:ISING模型重整化群
- SiCl_4-H_2沉积多晶硅薄膜过程中放电功率的影响被引量:2
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- 以SiCl4 和H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积技术 ,以 3 5 s的速率生长出了晶化度为 75 %的优质多晶硅薄膜 .着重分析放电功率的影响 ,结果表明 :随着功率的增大 ,薄膜沉积速率基本上线性增大 ,之后有减小的趋势 ;薄膜晶化度随功率的增大而减小 ;功率较大时 ,晶粒密度也大 ,且比较均匀 ,但晶粒尺寸较小 ,功率较小时 ,大尺寸的晶粒明显增多 。
- 王照奎林璇英林揆训邱桂明祝祖送黄锐魏俊红
- 关键词:等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜电功率大尺寸晶粒尺寸