方家熊
作品数: 238被引量:374H指数:10
  • 所属机构:中国科学院上海技术物理研究所
  • 所在地区:上海市
  • 研究方向:电子电信
  • 发文基金:国家自然科学基金

相关作者

龚海梅
作品数:454被引量:605H指数:13
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:红外探测器 碲镉汞 INGAAS 铟镓砷 杜瓦
李言谨
作品数:127被引量:201H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 HGCDTE 红外焦平面 红外探测器 长波
李向阳
作品数:363被引量:388H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:碲镉汞 紫外探测器 GAN 探测器 HGCDTE
黄松垒
作品数:49被引量:108H指数:6
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:INGAAS 焦平面 暗电流 读出电路 短波红外
李雪
作品数:343被引量:316H指数:9
供职机构:中国科学院上海技术物理研究所
研究主题:INGAAS 铟镓砷 红外探测器 INGAAS探测器 探测器
高Al组分AlGaN的ICP干法刻蚀
初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,刻蚀速率随ICP直流偏压的增加而增加.采用传输线模型测量了刻蚀前后...
亢勇李雪何政方家熊
关键词:ALGAN材料干法刻蚀MOCVD生长离子束溅射
文献传递
大周长面积比延伸波长InGaAs红外焦平面噪声被引量:4
2012年
在理论上分析了红外焦平面组件中光敏元、读出电路以及两者耦合的总噪声特性,对大周长面积比(38×500μm2)延伸波长InGaAs组件的噪声与温度、积分时间的关系进行了实验和分析.实验结果指出,在一定条件下组件噪声与积分时间的根号并不成正比.测量了不同温度下的组件暗信号、噪声,得到组件噪声与暗电流的关系,分析表明,该种组件噪声主要来自于1/f噪声及读出电路输入级电流噪声.
黄松垒张伟黄张成许中华方家熊
关键词:积分时间
Si上Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元合金薄膜的化学气相淀积生长研究
1999年
本文报道了用快速加热化学气相淀积方法,乙烯( C2 H4)作为 C 源在 Si(100)衬底上生长 Si1x y Gex Cy 合金薄膜的实验结果.经喇曼( Ram an)光谱和傅里叶变换红外光谱( F T I R)测量表明:我们成功地制备了具有一定代位式 C 含量的 Si1x y Gex Cy 合金薄膜材料,较低的生长温度和较高的 Si H4 / C2 H4 流量比有助于提高代位式 C 含量和薄膜材料的晶体质量。
江宁臧岚江若琏朱顺明刘夏冰程雪梅韩平王荣华胡晓宁方家熊
关键词:化学气相淀积
亚胺类光驱动旋转马达工作机理及性能提升的理论设计
分子马达是迄今为止人类制造出的最小的机器,在外界能量的供应下能持续不断地进行定向旋转。分子马达在生命科学领域十分常见,例如ATP合酶就能够将储存在ATP中的化学能转化为对外单向旋转做功的机械能。目前人类合成的大多数为光驱...
方家熊房常峰
关键词:分子马达机械性能
一种高安全可靠的晶体生长安瓿
本实用新型提供了一种高安全可靠的晶体生长安瓿,是一个石英双层结构坩埚,内层的试料安瓿为供顺序封存单晶籽晶、溶剂、多晶锭和石英塞的料管真空密封而成,其下端烧接一短石英棒后再烧接一带小孔的喇叭口,试料安瓿的另一端与引导管烧接...
沈杰森杏潮范雪芬李言谨方家熊
文献传递
HgCdTe表面复合机制
龚海梅方家熊
关键词:半导体材料
利用Hg_(1-x)Cd_xTe本征区反射峰确定其截止波数和组分
1998年
利用FTIR光谱仪测量了一组Hg1-xCdxTe样品的透射和反射光谱,利用透射测量确定样品的组分.在反射光谱中明显地观察到一个反射极大点.考虑直接带隙样品的吸收系数以及K-K关系,理论分析得到反射极大点出现的范围为Eg<h-ωm<2Eg.通过反射极大点的波数与截止波数的比较,得出两者之间存在正比关系的结论,其比例常数为1.092.
李向阳胡晓宁朱文娟陆慧庆赵军龚海梅方家熊
关键词:碲镉汞光谱
三五之魅
2022年
三五族化合物半导体具有丰富的特性,使其在电子学、光电子学以及光子学领域获得了各种应用,这些都源自于三族元素和五族元素构成之二元系的各种魔幻组合形成的多变特性。本文基于二元系砷化物、磷化物及锑化物,对其构成的各种三元系、四元系和五元系的特征进行了几何图示阐述,主要涉及其带隙、晶格常数及其与不同衬底的晶格匹配区域。对氮化物和稀氮、铋化物和稀铋以及硼化物的一些特性也进行了简要讨论。通过对整个三五族化合物半导体的全面了解将有助于深入了解其潜力和可持续发展态势,包括存在的诸多挑战。
张永刚顾溢马英杰邵秀梅李雪龚海梅方家熊
关键词:二元系三元系
CdTe Raman散射的温度淬灭
傅里叶变换Raman散射技术研究了CdTe表面的Raman散射信号与激发光功率的关系,观察到了Raman散射信号的温度淬灭和CdTe表面的激光退火现象,实验中没有观察到Raman散射峰的移动。
周咏东方家熊
关键词:半导体材料傅里叶变换散射碲化镉喇曼散射
N-On-P Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te光伏探测器参量的选择
1989年
考虑了Burstein-Moss效应等因素,得到了光伏探测器的性能公式。
胡燮荣刘兆鹏陈立信方家熊陈泉森沈杰
关键词:光伏探测器HGCDTE