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郭祥
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- 所属机构:贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
- 所在地区:贵州省
- 研究方向:理学
- 发文基金:国家自然科学基金
相关作者
- 丁召
- 作品数：144被引量：159H指数：7
- 供职机构：贵州省微纳电子与软件技术重点实验室
- 研究主题：GAAS STM 分子束外延 MBE 探针
- 罗子江
- 作品数：174被引量：164H指数：7
- 供职机构：贵州财经大学信息学院
- 研究主题：GAAS STM 分子束外延 RHEED 液滴
- 王一
- 作品数：62被引量：17H指数：2
- 供职机构：贵州大学
- 研究主题：扫描隧道显微镜 GAAS STM 分子束外延 控制器
- 杨晨
- 作品数：70被引量：59H指数：4
- 供职机构：贵州大学
- 研究主题：光口 积分球 控制器 光源 底板
- 周勋
- 作品数：105被引量：278H指数：8
- 供职机构：贵州师范大学物理与电子科学学院
- 研究主题：RHEED MBE STM GAAS 分子束外延
- RHEED实时监控下MBE生长不同In组分的InGaAs薄膜被引量：5
- 2011年
- 利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs(001)基片上外延生长了不同In组分(39%、29%、19%)的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于(2×3)表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
- 罗子江周勋贺业全何浩郭祥张毕禅邓朝勇丁召
- 关键词：MBERHEEDSTM
- Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs(001)薄膜退火过程的热力学分析被引量：2
- 2018年
- 在As_4束流等效压强为1.2×10^(-3)Pa、退火60 min条件下改变退火温度,对Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜表面平坦化的条件进行了探讨.定量分析了薄膜表面坑、岛与平台的覆盖率和台阶-平台间薄膜粗糙度随退火温度变化的规律,得到最合适的退火温度为545℃(±1℃);根据退火模型发现退火温度的改变会影响参与熟化的原子的数量,熟化原子比θ正比于退火温度,即θ∝Τ.退火温度540℃条件下退火约60 min,薄膜表面达到基本平坦,推测此时0.20<θ<0.25;退火温度为545℃时,推测退火时间约为55-60 min.本实验得到的结论可以为生长平坦的Al_(0.17)Ga_(0.83)As/GaAs薄膜提供理论与实验指导.
- 王一杨晨杨晨杨晨郭祥魏节敏王继红罗子江丁召
- 关键词：ALGAAS退火
- 基于分子束外延技术可控制备Ga原子团簇的研究
- 2025年
- 本研究基于分子束外延(Molecular Beam Epitaxy,MBE)技术在Si(100)衬底表面成功制备金属Ga原子团簇.通过控制变量法,研究其尺寸形貌与工艺参数之间的关系.第一组对照实验分别在940℃、970℃、1000℃的Ga源温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,Ga源温度的升高导致Ga的蒸发量增加,进而沉积在Si衬底表面的Ga原子增多,Ga原子自组装成团簇,最终表现为Ga原子团簇的高度升高.第二组对照实验分别在3 s、6 s、10 s、40 s、50 s、60 s的沉积时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,沉积时长增加导致团簇的高度逐渐增加,主要由新吸附原子和竞争效应驱动.第三组对照实验分别在0 s、60 s、300 s的退火时长下制备Ga原子团簇.实验结果表明,退火时长的增加导致团簇的高度下降和团簇内的原子重新排列和分布有关.第四组对照实验分别在420℃、500℃的退火温度下制备Ga原子团簇.实验结果表明,升温至500℃退火会促进Ga原子团簇呈现有序排列,是表面原子的热运动和Ga原子团簇与Si(100)的晶格匹配度的共同作用的结果.
- 马玉麟郭祥郭祥
- 关键词：MBE
- GaAs(001)薄膜表面形貌相变过程被引量：2
- 2014年
- 采用STM以及RHEED技术对于GaAs(001)的表面形貌相变过程(有序平坦→无序平坦→粗糙)进行了深入研究。通过GaAs(001)在不同As BEP、不同温度的表面形貌相变过程的研究发现,As BEP和温度的变化是促使表面形貌相变发生的主要原因,高温引起原子重组致使表面重构的演变是GaAs(001)薄膜发生表面形貌相变的主要内在机制。单一表面重构或某一重构占绝对优势的表面形貌处于有序平坦状态;多种重构的非等量混合表面是无序平坦状态的主要表面形式;当表面重构难以辨别时,表面形貌也将进入岛上高岛、坑中深坑的粗糙状态。研究还观察到,当As BEP和温度足够高时,GaAs(001)表面形貌相变将不会出现无序平坦状态,表面将直接从平坦转变为粗糙状态。
- 罗子江周勋王继红郭祥王一魏文喆丁召
- 关键词：STM
- InAs沉积量对InAs/GaAs量子点表面形貌的影响
- 2015年
- 基于分子束外延(MBE)技术,以反射式高能电子衍射仪(RHEED)作为实时监测工具,在经过Ga液滴刻蚀而具有纳米洞的GaAs衬底上沉积不同厚度的InAs材料形成量子点,并利用扫描隧道显微镜(STM)研究了量子点的形成及分布与InAs沉积量之间的关系。结果表明,在GaAs衬底平坦区,InAs按照SK模式生长,在纳米洞位置,洞内及其周围的台阶会约束量子点的生长成核,而随着InAs沉积量的增加,这种约束会逐渐减小。特别是当InAs沉积量为2ML时,在纳米洞周围会形成尺寸均匀、分布有序且呈环状的量子点结构。
- 赵振周海月郭祥罗子江王继红王一魏文喆丁召
- 关键词：分子束外延INAS量子点
- 一种STM探针针尖制备装置的液膜控制装置
- 本实用新型公开了一种STM探针针尖制备装置的液膜控制装置，包括：底座；金属圈，所述金属圈为圆形，金属圈固定连接在底座上，金属圈位于探针夹持孔正前方；电动伸缩杆，所述电动伸缩杆下端固定连接在底座上，电动伸缩杆位于金属圈正下...
- 王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江丁召
- 文献传递
- 一种防烫电烙铁
- 本实用新型公开了一种防烫电烙铁，包括手柄、加热套管和烙铁头；还包括复位开关、电磁铁、吸块、压簧和保护套管；所述保护套管滑动连接在加热套管上，保护套与手柄之间设置压簧，压簧未受外力时使得保护套管将烙铁头全部罩在其中；所述电...
- 张正丽李军丽王一杨晨郭祥罗子江丁召
- In液滴低温时在不同沉积量下的形貌演变分析
- 2023年
- 本文研究了低温时不同沉积量的In液滴在GaAs(001)衬底上的形貌特征.在衬底温度为160℃时,对In液滴形貌进行观察和分析并根据经典的成核理论解释了不同沉积量下In液滴纳米结构的形成机制和In液滴形貌随沉积量的演变规律;通过对液滴数量,直径和高度以及液滴周围出现扩散圆盘的直径和高度进行统计,结合液滴形貌与沉积量的相关理论公式以及本文实验中所得数据,拟合计算出In液滴产生扩散圆盘的最小沉积量约为3.3 ML,表明In液滴的沉积量大于3.3 ML时才会形成圆盘.相关研究结果对液滴外延法制备InAs纳米结构具有指导意义.
- 唐锦程丁召丁召李家伟宋娟赵梦琴张丹懿王一郭祥
- 关键词：沉积量分子束外延形貌
- AlxIn1-xAs电子结构和光学性质的第一性原理研究
- 2019年
- 基于密度泛函理论,对各组分Alx In1-x As(x为0~1)的晶体结构,电子结构和光学性质进行了第一性原理计算.结果显示,随Al组分x增加,Alx In1-x As晶体各键长将缩短,键角发生变化,晶胞体积也将减小,晶格常数的变化符合Vegard定律.另外,随着Al组分x的增加,Alx In1-x As的禁带宽度变宽,且能带有从直接带隙结构转变为间接带隙结构的趋势.具有较高In组分的Alx In1-x As晶体在可见光区域中的光吸收能力更强,光谱响应范围更大.
- 张振东王一黄延彬李志宏杨晨杨晨罗子江丁召
- 关键词：电子结构光学性质第一性原理
- 一种多功能霍尔效应测试仪
- 本实用新型公开了一种多功能霍尔效应测试仪，包括：本体，所述本体上表面中部开有样品槽；液氮加液口，所述液氮加液口与样品槽内部连通，液氮加液口设置在本体侧部；第一永磁铁，所述第一永磁铁左右滑动安装在样品槽的正左侧；第二永磁铁...
- 王一郭祥王继红李军丽杨晨罗子江张正丽丁召
- 文献传递
